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公开(公告)号：CN102395702B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201080017285.X
申请日：2010-11-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C1/0425 , C22C9/00 , H01L31/0322 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种能通过溅射法形成良好地添加有Na的Cu-Ga膜的溅射靶及其制造方法。该溅射靶中，作为溅射靶的除氟(F)以外的金属成分，含有Ga：20～40at％、Na：0.05～1at％，余部具有由Cu和不可避免的杂质构成的成分组成，且Na以NaF化合物的状态被含有。该溅射靶的制造方法包括下述工序：形成由NaF粉末和Cu-Ga粉末的混合粉末，或者NaF粉末、Cu-Ga粉末和Cu粉末的混合粉末构成的成型体，然后在真空、惰性气体或还原气氛中烧结。
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公开(公告)号：CN108138311A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061310.1
申请日：2016-10-24
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
Abstract: 本发明的溅射靶具有In的含量为45原子％以上90原子％以下、剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的组成，存在In单质相和Cu11In9化合物相，所述In单质相及所述Cu11In9化合物相的XRD峰值比I(In)/I(Cu11In9)在0.01以上3以下的范围内，所述Cu11In9化合物相的平均粒径在150μm以下，氧含量为500质量ppm以下，理论密度比为85％以上。
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公开(公告)号：CN107709584A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680038273.2
申请日：2016-07-21
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明的Ag合金膜在0.1原子％以上且5.0原子％以下的范围内含有Ti，在合计0.1原子％以上且与Ti的总计成为10.0原子％以下的范围内含有选自Cu、Sn、Mg、In、Sb、Al、Zn、Ge、Ga中的至少一种元素，剩余部分由Ag及不可避免的杂质构成，且Na、Si、V、Cr、Fe、Co的合计含量为100质量ppm以下。
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公开(公告)号：CN105593398B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201480054518.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/3414
Abstract: 本发明的In或In合金溅射靶为在由Cu或Cu合金制的垫板或衬管构成的靶支承基体上，通过由In与Cu的合金构成的结合层接合有成为靶主体的In或In合金层的In或In合金溅射靶，所述结合层具有5～100μm的厚度。
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公开(公告)号：CN103261472B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201280003513.7
申请日：2012-07-06
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/14 , B22F9/082 , B22F2009/043 , C22C1/0425 , C22C9/00
Abstract: 本发明提供机械加工性优异、且可以形成主要含有Cu、Ga的化合物膜的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有以下的成分组成：相对于溅射靶中的全部金属元素，含有Ga：15原子%～40原子%，而且含有Bi：0.1原子%～5原子%，余量的Cu及不可避免的杂质。该溅射靶的制造方法包括：将至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金在1050℃以上熔融，并制作铸块的步骤。或者包括：制作原料粉末的步骤，该原料粉末是至少Cu、Ga及Bi的各元素的单质或含有这些中2种以上的元素的合金的粉末；和将原料粉末在真空、惰性气体气氛或还原性气体气氛中热加工的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105008580A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010218.3
申请日：2014-02-25
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34 , B22F3/14 , B22F3/15 , C22C1/04 , C22C9/00 , C22F1/08 , C22C28/00 , C22F1/00 , C22F1/16
CPC classification number: H01J37/3429 , B22D7/005 , B22F1/0003 , B22F3/10 , B22F9/04 , B22F2201/01 , B22F2201/10 , B22F2201/20 , B22F2301/10 , B22F2304/10 , C22C1/0433 , C22C1/0483 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22C30/00 , C22C30/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C22F1/16 , C23C14/14 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种溅射靶，该溅射靶的机械加工性优异，且可形成含有Cu、Ga作为主成分的化合物膜。本发明的溅射靶，其特征在于，相对于溅射靶中的全部金属元素，含有15.0～50.0原子％的Ga、合计0.1～10.0原子％的选自Al、Zn、Sn、Ag及Mg中的一种以上金属元素，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成。
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公开(公告)号：CN104024470A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201380004675.7
申请日：2013-02-15
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3429 , B22F3/10 , B22F2201/20 , B22F2301/00 , B22F2999/00 , C22C1/0425 , C22C32/0089 , C23C14/0623 , C23C14/08 , C23C14/087 , C23C14/3414 , C23C14/35 , B22F3/1007
Abstract: 本发明提供一种含有高浓度的Na并且可以抑制变色、斑点的产生和异常放电，进而具有高强度而不易破裂的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有如下成分组成：作为溅射靶的除F、S、Se以外的金属成分，含有Ga：10～40at％、Na：1.0～15at％，剩余部分由Cu及不可避免杂质构成，以由氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种构成的Na化合物的状态含有Na，理论密度比为90％以上，抗折强度为100N/mm2以上，体积电阻率为1mΩ·cm以下，在靶表面的1cm2面积内，0.05mm2以上的氟化钠、硫化钠及硒化钠中的至少一种的凝集体平均存在一个以下。
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公开(公告)号：CN101796214A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200880105516.5
申请日：2008-09-05
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/12 , C04B35/44 , C04B35/486 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C23C14/086 , G11B7/24 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
Abstract: 该ZrO2-In2O3系光记录介质保护膜形成用溅射靶，具有当A为Si、Cr、Al、Ce、Ti、Sn中的1种或2种以上时，由ZraInbAcO100-a-b-c(其中，5原子％＜a＜23原子％、12原子％＜b＜35原子％、0＜c＜30原子％)构成的成分组成，所述光记录介质保护膜形成用溅射靶中所含Zr的90％以上成为Zr与In的复合氧化物相，分散在靶基底中。
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公开(公告)号：CN106574360A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580039989.X
申请日：2015-08-28
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 太阳能先锋株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F2998/10 , C22C1/04 , C22C1/0425 , C22C9/00 , C22C28/00 , C22F1/08 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F3/1039 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F2003/247
Abstract: 本发明提供一种Cu‑Ga溅射靶，其具有作为除去氟的金属成分含有5原子％以上且60原子％以下的Ga及0.01原子％以上且5原子％以下的K、且余量由Cu及不可避免的杂质构成的组成，在由波长分离型X射线检测器获得的原子映射图像中存在含有Cu、Ga、K及F的Cu‑Ga‑K‑F区域。
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