-
公开(公告)号：CN104979249B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201510435906.0
申请日：2015-07-22
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/324
摘要： 一种进出气装置，包括：气体盒，与外界气压源连通，并设置在工艺腔室之第一侧壁；第一气体分流板，与气体盒连通，并位于气体盒之紧邻工艺腔室的内侧，且间隔设置第一气体通孔；气体出口，设置在第二侧壁；第二气体分流板，与气体出口连通，并位于气体出口之紧邻工艺腔室的内侧，且间隔设置第二气体通孔。本发明将工艺气体输入至气体盒，并将工艺气体聚集，随后将工艺气体通过间隔设置第一气体通孔之第一气体分流板进行流速降低，平缓、均匀的导入至晶圆的表面，最后通过设置在晶圆之异于第一气体分流板一侧的第二气体分流板和气体出口将残留气体导出，不仅气流平缓、分布均匀，而且对晶圆温度的影响一致、均匀性好，极大的提高了产品良率。
-
公开(公告)号：CN107799460A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710987035.2
申请日：2017-10-20
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/02
摘要： 本发明的一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有浅沟槽；b)在所述浅沟槽的中沉积隔离层，所述隔离层覆盖所述浅沟槽的底壁及侧壁，且部分填充所述浅沟槽，未填充部分形成间隙；c)刻蚀所述隔离层，增加所述间隙的宽深比；d)重复进行b)和c)，直至所述浅沟槽中填充完全。本发明能够降低隔离层中金属离子的浓度，提高CIS器件的质量。
-
公开(公告)号：CN104198004B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410491316.5
申请日：2014-09-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G01F1/88
摘要： 本发明涉及一种气体质量流量计，依次包括加热电桥传感器、第一放大器、电压比较器以及第二放大器，所述加热电桥传感器检测气体管道中的气体流量并转换为电压信号，所述的电压信号经过第一放大器放大，与初始的设定电压值在所述电压比较器中进行比较，二者的差值经过所述第二放大器的放大，作为执行机构的第一反馈控制信号；还包括压力传感器，所述压力传感器设置于所述气体管道内，所述压力传感器检测到的气体的压力信号，作为执行机构的第二反馈控制信号，所述第一、第二反馈控制信号共同调节所述气体管道中的气体流量。本发明利用压力传感器与加热桥传感器相互关联，实现对气体质量流量计的零点监控，确保实际的气体质量流量与设定值相符。
-
公开(公告)号：CN104269351B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410520740.8
申请日：2014-09-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明提供一种用于改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，包括：进行干法净化步骤，对所述晶舟进行净化清洁；在所述晶舟表面沉积TEOS缓冲层；在所述TEOS缓冲层上沉积DCS SIN层。本发明改善HCD氮化硅沉积工艺在炉管的石英晶舟上造成的应力缺陷的方法，有效解决了HCD氮化硅工艺的应力和石英晶舟的裂缝问题。
-
公开(公告)号：CN105364701A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510680557.9
申请日：2015-10-19
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种研磨护圈磨损自动补偿装置以及补偿方法，该研磨护圈磨损自动补偿装置，包括：研磨支架、安装在所述研磨支架底部的研磨头和设置在所述研磨头边缘的研磨护圈，所述研磨护圈与所述研磨支架之间通过升降装置连接。本发明通过设置升降装置，利用升降装置来控制所述研磨护圈下降，进而补偿化学机械研磨过程中研磨护圈的磨损量，成本低廉，控制方便，便于实现，保证了研磨时的研磨压力及平整度的稳定性，从而可以稳定器件的电性及其良率。
-
公开(公告)号：CN104867853A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510144258.3
申请日：2015-03-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , B08B5/02
CPC分类号： H01L21/67393 , B08B5/02
摘要： 本发明公开了一种FOUP结构和FOUP清洁方法，通过在FOUP两侧侧板的内侧设置一根进气管和一根出气管，形成气体的单向流动通道，且进气管和出气管自上而下开设多个进气口和出气口，使得气流可以均匀分布于纵向空间，同时吹扫到FOUP上部和下部的晶圆，且气流相较现有技术更加平稳、均匀，提高了FOUP内晶圆的清洁均匀性和清洁效率、清洁效果。
-
公开(公告)号：CN104198004A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410491316.5
申请日：2014-09-23
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： G01F1/88
摘要： 本发明涉及一种气体质量流量计，依次包括加热电桥传感器、第一放大器、电压比较器以及第二放大器，所述加热电桥传感器检测气体管道中的气体流量并转换为电压信号，所述的电压信号经过第一放大器放大，与初始的设定电压值在所述电压比较器中进行比较，二者的差值经过所述第二放大器的放大，作为执行机构的第一反馈控制信号；还包括压力传感器，所述压力传感器设置于所述气体管道内，所述压力传感器检测到的气体的压力信号，作为执行机构的第二反馈控制信号，所述第一、第二反馈控制信号共同调节所述气体管道中的气体流量。本发明利用压力传感器与加热桥传感器相互关联，实现对气体质量流量计的零点监控，确保实际的气体质量流量与设定值相符。
-
公开(公告)号：CN103264025A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310213627.0
申请日：2013-05-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： B08B5/02
摘要： 本发明公开了一种晶舟自动吹扫装置，属于半导体技术领域。其设置在炉管内的装载区，具体可以包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。通过这种方案自动实现了残留物的清扫，避免了现有技术中人工进行停机、清扫等工作，从而降低了产品的生产成本，提高了产品的良率。
-
公开(公告)号：CN102441542A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110250237.1
申请日：2011-08-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： B08B3/04
摘要： 本发明提供一种外表面带有防水挡板的去离子水槽，其包括水槽主体，过渡传感器，上挡板和侧挡板。过渡传感器固定在离子水槽的外表面上，上挡板固定在过渡传感器的上方，侧挡板与上挡板相连接，固定在过渡传感器的两侧。使水槽内溢出来的水流向发生改变而不经过晶圆过渡传感器，不但延长传感器密封圈的寿命，也保护了传感器正常工作，避免晶圆误被探测而发出报警信号中断整个研磨过程，导致晶圆研磨的不持续性，造成晶圆存在表面缺陷，非常适于实用。
-
公开(公告)号：CN203811590U
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201320778034.4
申请日：2013-11-29
申请人： 上海华力微电子有限公司
发明人： 倪立华
IPC分类号： G01N33/00
摘要： 本实用新型提出了一种探测特殊气体遥控车，解决在了在发生事故的现场,第一时间通过预设探测器,自动识别泄漏气体的种类,并第一时间做出判断,找出泄漏点。并且本实用新型可遥控移动，能对无安装固定探测器的区域及对人员有危险的区域进行探测，本实用新型内的探测器的探测模块可根据需求灵活组合使用，大大降低成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
31 条记录 (耗时 0.025 秒)
