公开(公告)号：CN105719983B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610088975.3

申请日：2016-02-17

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  倪立华

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一栅氧化层厚度实时监控方法，在栅氧化层制备完成并测量其物理厚度D1后，定义第一自然氧化层厚度DOX1和第二自然氧化层厚度DOX2，监控栅氧化层的实时厚度D＝D1+DOX1+DOX2。该方法综合考虑栅氧化层制备完成后、到多晶硅栅沉积工艺开始前的等待时间Q‑Time，以及多晶硅栅沉积工艺中沉积区域氧气浓度O2‑Density对栅氧化层自然氧化速度的影响，实现对栅氧化层实际厚度的精确监控。与现有技术相比，能够根据工艺进度、工艺条件以及工艺时间，精确监控栅氧化层的实时厚度，与传统的栅氧化层物理厚度实际测量相比，更为细致和精确，避免物理厚度监控与最终实际电性厚度不符而失去监控意义，从而提高工艺质量，保障器件性能。

公开(公告)号：CN106252213B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610703032.7

申请日：2016-08-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  倪立华

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L27/146

摘要： 本发明提供了一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡层；其中，第一种离子和第二种离子不相同。本发明通过对硅衬底边缘进行离子注入，从而形成防止硅衬底边缘重掺杂离子析出的阻挡层，有效避免了硅衬底边缘离子扩散析出，确保了后续工艺质量。

公开(公告)号：CN107088825A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710420190.6

申请日：2017-06-06

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 王哲 ,  文静 ,  张传民 ,  陈建维 ,  倪立华

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/015 ,  B24B37/34

摘要： 本发明提供一种化学机械研磨机台、温度控制系统及其温度控制方法。所述温度控制系统包括依次通讯连接的采集单元、控制单元以及执行单元。所述温度控制方法包括：所述采集单元采集化学机械研磨过程中的研磨垫的温度信息；所述控制单元根据所述研磨垫的温度信息，控制所述执行单元对所述研磨垫进行降温处理，以使所述研磨垫的温度保持在预定范围内。所述化学机械研磨机台包括研磨垫和所述温度控制系统。本发明通过采集单元获取研磨过程中的研磨垫的温度信息，使控制单元根据该温度信息控制执行单元对研磨垫进行降温，从而实现了研磨垫温度的控制，使化学机械研磨过程中的研磨垫的温度能够稳定在一定的数值范围内，从而确保晶圆的研磨效果。

公开(公告)号：CN104979249A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510435906.0

申请日：2015-07-22

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 郭楠 ,  赖朝荣 ,  苏俊铭 ,  倪立华

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/67098 ,  H01L21/324

摘要： 一种进出气装置，包括：气体盒，与外界气压源连通，并设置在工艺腔室之第一侧壁；第一气体分流板，与气体盒连通，并位于气体盒之紧邻工艺腔室的内侧，且间隔设置第一气体通孔；气体出口，设置在第二侧壁；第二气体分流板，与气体出口连通，并位于气体出口之紧邻工艺腔室的内侧，且间隔设置第二气体通孔。本发明将工艺气体输入至气体盒，并将工艺气体聚集，随后将工艺气体通过间隔设置第一气体通孔之第一气体分流板进行流速降低，平缓、均匀的导入至晶圆的表面，最后通过设置在晶圆之异于第一气体分流板一侧的第二气体分流板和气体出口将残留气体导出，不仅气流平缓、分布均匀，而且对晶圆温度的影响一致、均匀性好，极大的提高了产品良率。

公开(公告)号：CN107799460B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201710987035.2

申请日：2017-10-20

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 蔡毅 ,  倪立华

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02

摘要： 本发明的一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有浅沟槽；b)在所述浅沟槽的中沉积隔离层，所述隔离层覆盖所述浅沟槽的底壁及侧壁，且部分填充所述浅沟槽，未填充部分形成间隙；c)刻蚀所述隔离层，增加所述间隙的宽深比；d)重复进行b)和c)，直至所述浅沟槽中填充完全。本发明能够降低隔离层中金属离子的浓度，提高CIS器件的质量。

公开(公告)号：CN104259153B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201410356934.9

申请日：2014-07-24

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  倪立华

IPC分类号： B08B9/032 ,  H01L21/67

摘要： 本发明提供一种炉管清洗工艺，包括：利用二氯乙烯对炉管进行清洗的步骤，还包括：利用升温湿氧工艺对炉管进行清洗的步骤，所述升温湿氧工艺利用水蒸汽将炉管中的金属污染物带走，所述升温湿氧工艺包括：升温步骤，用于将炉管进行升温至第一温度，并通入氢氧点火后形成的水汽；稳定步骤，用于将炉管维持所述第一温度并持续一段时间，并通入氢氧点火后形成的水汽；降温步骤，用于将炉管从所述第一温度降低至第二温度，并通入氢氧点火形成的水汽。本发明利用二氯乙烯工艺与升温湿氧工艺分别对炉管进行清洗，将炉管中的金属污染最大程度的降低。

公开(公告)号：CN106449482A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610925966.5

申请日：2016-10-24

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 佟金刚 ,  李阳柏 ,  张传民 ,  倪立华

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明提出一种晶圆边缘清洗装置及清洗方法，该装置包括：机械手臂，夹持晶圆两侧并通过旋转带动晶圆进行旋转；化学药液槽，设置于所述机械手臂下方，通过控制所述机械手臂的高度来控制晶圆与所述化学药液槽中的药液接触深度；多路氮气管路，设置于所述化学药液槽上方并对所述化学药液槽中的药液及晶圆进行氮气处理。本发明提出的晶圆边缘清洗装置及清洗方法，通过对晶圆边缘的清洗工艺进行改进，防止由于边缘产生的缺陷源头，而影响晶圆的良率。

公开(公告)号：CN105719983A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610088975.3

申请日：2016-02-17

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  倪立华

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12

摘要： 本发明涉及半导体技术领域，公开了一栅氧化层厚度实时监控方法，在栅氧化层制备完成并测量其物理厚度D1后，定义第一自然氧化层厚度DOX1和第二自然氧化层厚度DOX2，监控栅氧化层的实时厚度D＝D1+DOX1+DOX2。该方法综合考虑栅氧化层制备完成后、到多晶硅栅沉积工艺开始前的等待时间Q?Time，以及多晶硅栅沉积工艺中沉积区域氧气浓度O2?Density对栅氧化层自然氧化速度的影响，实现对栅氧化层实际厚度的精确监控。与现有技术相比，能够根据工艺进度、工艺条件以及工艺时间，精确监控栅氧化层的实时厚度，与传统的栅氧化层物理厚度实际测量相比，更为细致和精确，避免物理厚度监控与最终实际电性厚度不符而失去监控意义，从而提高工艺质量，保障器件性能。

公开(公告)号：CN103264025B

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201310213627.0

申请日：2013-05-31

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 俞玮 ,  倪立华 ,  裴雷洪

IPC分类号： B08B5/02

摘要： 本发明公开了一种晶舟自动吹扫装置，属于半导体技术领域。其设置在炉管内的装载区，具体可以包括：喷嘴、导轨和吹扫控制机构，喷嘴用于喷洒吹扫气体，以实现将晶舟槽内残留物自动清除的功能，在清除过程中，所述喷嘴可沿着所述导轨行进；所述吹扫控制结构用于控制喷嘴的吹扫状态。通过这种方案自动实现了残留物的清扫，避免了现有技术中人工进行停机、清扫等工作，从而降低了产品的生产成本，提高了产品的良率。

公开(公告)号：CN105689330A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610185803.8

申请日：2016-03-29

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 张召 ,  张乐成 ,  王智 ,  苏俊铭 ,  倪立华

IPC分类号： B08B5/02

CPC分类号： B08B5/02

摘要： 本发明公开了一种改善炉管晶舟支撑脚颗粒状况的装置及方法，通过在机械手臂的两侧设置喷嘴，可在利用机械手臂向晶舟传输晶圆的过程中，对晶舟支撑脚的支撑部位进行气体吹扫，达到清洁晶舟支撑脚的目的，从而可改善炉管机台存在的颗粒状况。