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公开(公告)号：CN110600495A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910892907.6
申请日：2019-09-20
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种Micro-LED芯片、封装结构，Micro-LED芯片包括：Micro-LED外延片；以及位于LED外延片底部的IC电路衬底；IC衬底控制Micro-LED的工作状态；其中，IC电路衬底包括：IC电路主区域，与所述Micro-LED外延片相键合；外围连线，位于IC电路主区域且位于Micro-LED外延片底部的外围，外围连线上具有输出端；外围连线位于IC电路衬底的顶层；其中，外围连线具有至少一圈，每一圈外围连线具有各自的引出极。外围电路的设计使得引出极的分布更加灵活，进一步简化封装结构，提高封装效率。
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公开(公告)号：CN110534624A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910643463.2
申请日：2019-07-17
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于生长半导体超薄外延结构的一种外延层，外延层从下往上依次包括第一外延层、第二外延层，位于第一外延层与第二外延层之间的电子流扩散层；第一外延层、第二外延层和电子流扩散层的导电类型相同。本发明的外延层能够有效减小外延层表面的应力，为后续材料层的生长提供了良好的生长界面，从而提高超薄外延结构的质量和最终所制备的器件的性能。
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公开(公告)号：CN110473942A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910643455.8
申请日：2019-07-17
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种超薄LED芯片，采用了半导体超薄外延结构，利用应力调节层来调节第一导电类型外延层中由于生长产生的应力，减小应力对发光层的影响，提高发光层发光效率。进一步的，在应力调节层顶部生长第一导电类型位错微调层，来控制进入发光层的位错浓度，提高发光层的发光效率。由于外延结构非常薄，在制备器件的过程中，对外延结构的刻蚀并不会造成外延结构的侧壁倾斜度很大，近似垂直，由于刻蚀后的外延结构顶部和底部的面积相近，与传统发光外延芯片相比，本发明的外延结构所在芯片的单位面积的数量有效增加，提高了芯片集成度，提高了器件单位面积的发光效率。
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公开(公告)号：CN110275302A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910479753.8
申请日：2019-06-04
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
IPC分类号： G02B27/01
摘要： 本发明提供了一种AR眼镜用眼镜主体，眼镜主体包括：眼镜壳体、位于眼镜壳体内的空腔、位于空腔内的光路系统、与光路系统连接的LED芯片系统；其中，LED芯片系统投射出微影像光束到光路系统中；光路系统将LED芯片系统发出的微影像光束进行放大投射出放大的影像到空腔外。本发明使得用户在获取虚拟信息的同时，更加清楚地分辨现实和虚拟信息，降低头晕感，提高用户使用舒适度。
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公开(公告)号：CN109920368A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910278923.6
申请日：2019-04-09
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
IPC分类号： G09G3/32
摘要： 本发明提供了一种μLED像素驱动电路系统，包括驱动开关单元、SRAM存储单元和灰度控制上拉管。其中，驱动开关单元一端与μLED的阳极相连，用于控制μLED的开启或关闭；SRAM存储单元与驱动开关单元的另一端相电连，用于存储并且向驱动开关单元输出灰度信号；灰度控制上拉管与SRAM存储单元、驱动开关相电连，用于控制驱动开关单元的开启或关闭时间，从而实现不同的像素灰度控制。本发明利用SRAM存储单元存储并且向驱动开关单元输出灰度信号，灰度控制上拉管来控制驱动开关单元的开关时间，从而简化了PWM灰度控制信号的生成过程，有效地控制了LED的开关时间，提高了显示画面的对比度。
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公开(公告)号：CN118281036A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410372387.7
申请日：2018-03-19
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
摘要： 通过重复地键合未图案化的外延结构来制造包括LED的层的堆叠。由于外延结构是未图案化的(例如，未被图案化成单独的微型LED)，对于对准的要求显著放宽。一个示例是集成多色LED显示面板，其中微型LED的阵列与对应的驱动器电路集成。微型LED的多个层被堆叠在包括驱动器电路的基础衬底的顶部上。在该过程中，每个层都按如下方式制造。未图案化的外延结构被键合在现有器件的顶部上。然后外延结构被图案化以形成微型LED。层被填充并且被平坦化，以允许下一层的未图案化的外延结构被键合。这样进行重复来构建层的堆叠。
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公开(公告)号：CN116783720A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202180089287.8
申请日：2021-01-08
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
IPC分类号： H01L33/48
摘要： 用于微型发光二极管(LED)的外延结构，包括半导体基板(102)，半导体基板(102)之上的N‑型导电层(108)，N‑型导电层(108)之上的N‑型包覆层(110)，N‑型包覆层(110)内或/和N‑型导电层(108)与N‑型包覆层(110)之间的氧化层(210)，第一导电类型的包覆层(110)之上的有源发光层(114)，有源发光层(114)之上的P‑型包覆层(118)，以及P‑型包覆层(118)之上的P‑型导电层(120、122、124)。氧化层(210、410)在后续的氧化工艺中由氧化层前体AlxGa1‑xAs(x大于或等于0.9且小于1)形成为氧化环。氧化环有效地提高了PN结电流密度和所形成的LED器件的发光效率。两次转移制备工艺被用来形成LED器件。
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公开(公告)号：CN116724398A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202280010634.8
申请日：2022-01-19
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
IPC分类号： H01L25/16
摘要： 一种切分微型发光二极管(LED)晶圆，其包括：驱动电路衬底；形成在所述驱动电路衬底上的多个微型LED，所述多个微型LED由并排布置在所述驱动电路衬底上的多个外延层切片制成；以及接合层，所述接合层形成在所述多个外延层切片的底部处并且在所述驱动电路衬底的顶表面上，用于接合所述微型LED和所述驱动电路衬底。
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公开(公告)号：CN115210801A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202180010389.6
申请日：2021-01-22
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
发明人： 李起鸣
摘要： 一种具有高光提取效率的微型发光二极管(LED)，包括底部导电层、底部导电层上的发光层，和发光层上的顶部导电结构。微型LED还包括将发光层的侧壁与底部导电层电连接的导电侧臂，以及设置在发光层下方和底部导电层上方的反射底部介电层。在一些实施例中，微型LED还包括在顶部导电结构与发光层之间的具有小面积且透明的欧姆接触部，从而增加光出射面积并提高光提取效率。
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公开(公告)号：CN110534624B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910643463.2
申请日：2019-07-17
申请人： 上海显耀显示科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种用于生长半导体超薄外延结构的一种外延层，外延层从下往上依次包括第一外延层、第二外延层，位于第一外延层与第二外延层之间的电子流扩散层；第一外延层、第二外延层和电子流扩散层的导电类型相同。本发明的外延层能够有效减小外延层表面的应力，为后续材料层的生长提供了良好的生长界面，从而提高超薄外延结构的质量和最终所制备的器件的性能。
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