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公开(公告)号：CN1777977B
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200480010470.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28518 , C23C16/08 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供一种在Si晶片(1)上形成硅化钛膜(4)的成膜方法。首先，通过使用高频的等离子体处理Si晶片(1)。接着，向通过等离子体处理的含Si部分上供给含Ti原料气体，生成等离子体，进行Ti成膜，通过此时的Ti膜与含Si部分的Si反应，生成硅化钛膜(4)。Si晶片(1)的等离子体处理，是向Si晶片(1)上施加绝对值在200V以上的DC偏置电压(Vdc)而进行的。
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公开(公告)号：CN1788106A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200480013128.6
申请日：2004-05-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45525
Abstract: 本发明涉及一种使用原料气体和反应性气体对被处理体(例如半导体晶片)进行成膜处理等的处理装置。该装置具有：内部容纳被处理体(W)的处理容器(22)，分别向处理容器内选择性地供给原料气体和反应性气体的原料气体供给系统(50)和反应性气体供给系统(52)，和用于对处理容器内的环境气体进行真空排气、具有真空泵(44、46)的真空排气系统(36)。该装置还具有使原料气体和反应性气体分别绕过处理容器，从各气体供给系统选择性地流入真空排气系统的原料气体旁路系统(62)和反应性气体旁路系统(66)。在各旁路系统(62、66)中，分别设置有在关闭状态下防止原料气体和反应性气体向真空排气系统流出的原料气体流出防止阀(X1)和反应性气体流出防止阀(Y1)。
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公开(公告)号：CN1692177A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100730.9
申请日：2003-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/31 , H01L21/68
Abstract: 在半导体处理用的成膜处理容器(4)内配设载置台装置。载置台装置包括：载置台(16)，其具有载置被处理基板(W)的上面和从上面下降的侧面；和加热器(18)，配设在载置台(16)内，且通过其上面加热基板(W)。CVD预覆层(28)覆盖载置台(16)的上面和侧面，预覆层(28)具有使由加热器(18)的加热得到的来自载置台(16)的上面和侧面的辐射热量实质饱和的厚度以上的厚度。
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公开(公告)号：CN105164307B
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201480024289.9
申请日：2014-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/34 , C23C16/4405 , C23C16/4409 , C23C16/4412 , C23C16/45544 , C23C16/4583 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: 本发明提供一种易于进行组装、维护等且能够抑制反应气体进入到波纹管内的成膜装置。配置于在真空氛围下向基板(W)的表面供给反应气体而进行成膜处理的处理容器(1)内的升降轴(23)以自下表面侧支承着用于载置基板(W)的载置台(2)的状态沿上下方向延伸地设置，该升降轴(23)穿过被设于处理容器(1)的贯通口(15)而与外部的升降机构相连接。波纹管(231)自侧方覆盖升降轴(23)的周围而将处理容器(1)内保持为真空气氛，盖构件(41)以包围升降轴(23)的方式配置，吹扫气体供给部(63b)向波纹管(231)内供给吹扫气体，以便形成经由升降轴(23)与盖构件(41)之间的间隙向处理容器(1)流动的气体的流动。
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公开(公告)号：CN101818336B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201010157610.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4586 , H01L21/67109 , H05B3/143
Abstract: 本发明提供一种处理装置和加热器单元，该处理装置的特征在于，一边加热被处理体一边进行处理，该处理装置包括：处理容器；配置在该处理容器内，载置所述被处理体的载置台；和埋设在该载置台内，用于通过加热所述载置台而加热被载置的所述被处理体的加热器，所述加热器被配置在所述载置台的表面与背面之间的中央，沿着该表面埋设有电极，沿着该背面埋设有由与该电极相同的材料形成的增强部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101818336A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010157610.4
申请日：2005-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4586 , H01L21/67109 , H05B3/143
Abstract: 本发明提供一种处理装置和加热器单元，该处理装置的特征在于，一边加热被处理体一边进行处理，该处理装置包括：处理容器；配置在该处理容器内，载置所述被处理体的载置台；和埋设在该载置台内，用于通过加热所述载置台而加热被载置的所述被处理体的加热器，所述加热器被配置在所述载置台的表面与背面之间的中央，沿着该表面埋设有电极，沿着该背面埋设有由与该电极相同的材料形成的增强部件。
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公开(公告)号：CN100471990C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200480002342.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/02 , C23C16/458 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: 本发明的目的是提供一种在基座周边部分难以产生局部放电的等离子体化学蒸镀方法和实施该方法的装置。在成膜开始前，将气体导入真空排气的腔室内，将基板支撑在位于基座上同时处在上升位置的基板支撑销上，对基板进行预热。接着，在停止导入气体的同时，对该腔室进行真空排气，使基板支撑销下降，将基板放置在基座上。接着，在此状态下，将气体导入该腔室内，再预热基板。然后，在腔室内生成等离子体的同时，导入成膜气体，进行成膜。
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公开(公告)号：CN101164156A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680012967.5
申请日：2006-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683 , C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4586 , H01J2237/2001 , H01L21/67109 , H01L21/68735 , H01L21/68742
Abstract: 本发明提供了一种即使在实施预涂敷的情况下，也能够使其上的晶片的温度均匀的基座和具备该基座的基板处理装置。在基座(12)的晶片支撑面的中央部和周边部之间的中间部，形成有环状的凹部(12a)。通过设置凹部，在该中间部抑制因来自基座的热辐射而导致的基板加热效果。凹部的几何学的形状尺寸根据腔室内的压力而决定。
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公开(公告)号：CN1777977A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010470.0
申请日：2004-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/285
CPC classification number: H01L21/28518 , C23C16/08 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供一种在Si晶片(1)上形成硅化钛膜(4)的成膜方法。首先，通过使用高频的等离子体处理Si晶片(1)。接着，向通过等离子体处理的含Si部分上供给含Ti原料气体，生成等离子体，进行Ti成膜，通过此时的Ti膜与含Si部分的Si反应，生成硅化钛膜(4)。Si晶片(1)的等离子体处理，是向Si晶片(1)上施加绝对值在200V以上的DC偏置电压(Vdc)而进行的。
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公开(公告)号：CN1250767C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN03800692.8
申请日：2003-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45514 , C23C16/45565
Abstract: 本发明的气体喷头，它与基板的表面相对地设置，同时，在与上述基板相对的表面上设置多个孔，从气体供给通路送出的多种成膜气体可通过这些孔同时供给上述基板，该气体喷头具有喷头本体和多个气体流路，该喷头本体有多个金属构件，通过在将该多个金属构件上下重合的状态下，在给定的温度条件下加热，各个金属构件的接触面彼此可以在局部金属扩散接合，该多个气体流路横切贯通上述喷头本体内的上述接触面，而且可使每种成膜气体均不混合地独立地形成，上述温度条件是通过之后的再加热，局部地金属扩散接合的部分可分离的温度条件。
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