公开(公告)号：CN113270315A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110067048.4

申请日：2021-01-19

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 户村幕树 ,  新关智彦 ,  胜沼隆幸 ,  笹川大成 ,  中根由太 ,  石川慎也 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  泷野裕辅 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN113169066A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980076470.7

申请日：2019-07-12

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 久松亨 ,  胜沼隆幸 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/302

摘要： 本发明的基片处理方法包括：提供具有掩模的基片的步骤；在掩模上形成膜的步骤；在膜的表层形成反应层的步骤；和对反应层供给能量来去除反应层的步骤。

公开(公告)号：CN112509920A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010914258.8

申请日：2020-09-03

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 胜沼隆幸 ,  本田昌伸 ,  中根由太 ,  石川慎也

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01J37/32

摘要： 本发明提供一种利用容易与有机膜一起被去除的保护膜，来抑制因有机膜的等离子体蚀刻而导致的弓形歪曲的发生的蚀刻方法、等离子体处理装置和基片处理系统。在一个例示的实施方式中，提供了一种蚀刻方法。蚀刻方法包括对有机膜执行等离子体蚀刻的步骤(a)。在有机膜上形成有掩模。通过等离子体蚀刻在有机膜形成凹部。蚀刻方法还包括在划分出凹部的有机膜的侧壁面上形成有机保护膜。蚀刻方法还包括在步骤(b)之后执行对有机膜的进一步等离子体蚀刻的步骤(c)。

公开(公告)号：CN111261514A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910857745.2

申请日：2019-09-09

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 胜沼隆幸 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  户村幕树 ,  熊仓翔

IPC分类号： H01L21/311

摘要： 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。