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公开(公告)号：CN110137068B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201910079546.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
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公开(公告)号：CN113903645A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202110659767.5
申请日：2021-06-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 茂山和基
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供等离子体处理系统、等离子体处理装置和边缘环更换方法。等离子体处理系统包括等离子体处理装置和与其连接的减压输送装置，等离子体处理装置包括：能够减压的处理容器；设置在处理容器内的、能载置边缘环组装体的支承台；和交接部件，减压输送装置包括：与处理容器连接的减压输送室；和在处理容器与减压输送室之间输送边缘环组装体的输送机构，等离子体处理系统能够：不使处理容器向大气开放，由输送机构支承边缘环组装体的传热片侧，并使边缘环组装体向支承台的上方移动，由交接部件从输送机构接收边缘环组装体，并支承边缘环组装体的传热片侧，由支承台以边缘环隔着传热片载置在支承台上的方式从交接部件接收边缘环组装体。
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公开(公告)号：CN102576673B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080047610.7
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。另外，微波等离子体处理装置具有试样台。
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公开(公告)号：CN102867725B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201210235937.8
申请日：2012-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环状的第一凹部包围；和第二凹部（153），其以包围平坦面（146）的重心位置的方式在平坦面（146）内形成多个。当从与槽板的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部（153）的重心位置重叠位于槽板（20）中的各个槽（133）内。
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公开(公告)号：CN104205306A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280071768.7
申请日：2012-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , C23C16/4401 , H01J37/32192 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01J37/32862 , H01L21/32137 , Y10T29/49998
Abstract: 包括：在将被处理基体搬入处理容器内之前，对在该处理容器内静电吸附被处理基体的静电卡盘施加电压的工序；和在对静电卡盘施加电压的工序之后，向处理容器内搬入被处理基体的工序。另外，在对静电卡盘施加电压的工序中，对静电卡盘施加电压，使以包围静电卡盘的方式设置的聚焦环与被处理基体之间的电位差降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102867725A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210235937.8
申请日：2012-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32238
Abstract: 本发明提供一种能够改善基板表面处理量的面内均匀性的天线、电介质窗、等离子体处理装置和等离子体处理方法。该天线具备电介质窗（16）和设置于电介质窗（16）一个表面上的槽板（20）。电介质窗（16）的另一个表面具有：平坦面（146），其被环状的第一凹部包围；和第二凹部（153），其以包围平坦面（146）的重心位置的方式在平坦面（146）内形成多个。当从与槽板的主表面垂直的方向观看时，各个第二凹部（153）的重心位置重叠位于槽板（20）中的各个槽（133）内。
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公开(公告)号：CN101501238A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780029415.X
申请日：2007-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C14/568 , C23C14/228 , C23C16/54 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种能避免在有机EL元件等的制造工序中形成的各层的相互污染、且占地面积较小、生产率较高的成膜系统。一种在基板(G)上成膜的成膜装置(13)，在处理容器(30)的内部具有用于形成第1层的第1成膜机构(35)和用于形成第2层的第2成膜机构(36)，第1成膜机构(35)包括：配置于处理容器(30)的内部的、用于向基板供给成膜材料的蒸气的喷嘴(34)；配置在处理容器的外部的、用于产生成膜材料的蒸气的蒸气产生部(45)；将在蒸气产生部(45)产生的成膜材料的蒸气输送到喷嘴(34)的配管(46)。
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公开(公告)号：CN112397369B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202010766400.9
申请日：2020-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统中的输送方法。本发明的基片处理系统中的输送方法包括托盘送入步骤、测量步骤、调节步骤、基片载置步骤和托盘送出步骤。在托盘送入步骤中，将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室。在测量步骤中，测量载置于托盘的边缘环的位置以获取边缘环的位置信息。在调节步骤中，基于所获得的位置信息，调节半导体基片的位置。在基片载置步骤中，将位置调节后的半导体基片载置在托盘。在托盘送出步骤中，将载置有半导体基片和边缘环的托盘从上述载置室送出。本发明能够相对于边缘环将半导体基片配置在正确的位置。
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公开(公告)号：CN117476427A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310894923.5
申请日：2023-07-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置。高精度地控制等离子体处理容器内的排气压力。提供一种等离子体处理装置，其中，该等离子体处理装置具备：等离子体处理容器；基板支承部，其配置于等离子体处理容器内；可动构件和静止构件，它们配置于基板支承部的周围，可动构件具有多个动叶片，多个动叶片能够旋转，静止构件具有多个静叶片，多个动叶片和多个静叶片沿着等离子体处理容器的高度方向交替地排列，在可动构件和静止构件的下方形成有排气空间；第1驱动部，其构成为使可动构件旋转；压力调整构件，其以能够移动的方式配置于基板支承部的周围、且是可动构件和静止构件的上部；以及第2驱动部，其构成为使压力调整构件移动。
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