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公开(公告)号：CN117769755A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280052235.8
申请日：2022-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；在上述基片支承部的上述载置面上形成由液体的层和可变形的固体的层中的至少任一者构成且可变形的、针对上述温度调节对象体的传热层的步骤；和对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤。
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公开(公告)号：CN117561589A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202280043218.8
申请日：2022-06-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 一种耗材，其由石英和陶瓷中的任一材料形成，用于等离子体处理装置，上述耗材具有：由第一纯度的上述材料形成的芯部；和保护部，其设置在上述芯部的周围的、会因上述等离子体处理装置中的等离子体发生损耗的部分，由比上述第一纯度高的第二纯度的上述材料形成。
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公开(公告)号：CN114050100A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111174570.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
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公开(公告)号：CN113327833A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110187517.6
申请日：2021-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供部件更换方法，其能够缩短伴随消耗部件的更换的处理装置的停止期间。第一推算步骤推算处理装置的消耗部件的更换时期。确定步骤将更换时期之前的期间中的由处理装置进行的基片的处理最终结束后的时刻确定为消耗部件的可更换时刻。第二推算步骤推算部件运送装置移动至需要更换消耗部件的处理装置的位置所需的第一移动时间。第三推算步骤推算直到使已移动至需要更换消耗部件的处理装置的位置的部件运送装置成为能够进行消耗部件的更换的状态为止的准备所需的第一准备时间。发送步骤在比可更换时刻提早了第一移动时间和第一准备时间的合计时间量的时刻之前的时刻，向部件运送装置发送更换指示，来对部件运送装置指示消耗部件的更换。
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公开(公告)号：CN110137068A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910079546.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101385395A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005427.9
申请日：2007-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01L51/0017 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供发光元件、发光元件的制造方法和基板处理装置，该基板处理装置在被处理基板上形成在第一电极和第二电极之间形成有包括发光层的有机层的发光元件，其特征在于，包括：在形成在上述被处理基板上的上述第一电极上形成上述有机层的有机层形成装置；在上述有机层上形成上述第二电极的电极形成装置；和蚀刻上述有机层的蚀刻装置。
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公开(公告)号：CN117813676A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280052184.9
申请日：2022-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由上述基片支承部供给到该基片支承部的上述载置面与上述温度调节对象体的背面之间来形成传热层的步骤；对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤；和在等离子体处理后，将上述温度调节对象体与上述载置面分隔开的步骤。
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公开(公告)号：CN113594018A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110735397.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
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公开(公告)号：CN113327877A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110187416.9
申请日：2021-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供容易地进行消耗部件的更换的部件搬运装置和处理系统。对消耗部件进行搬运的部件搬运装置包括部件收纳部、容器、机械臂和移动机构。部件收纳部收纳使用前的消耗部件和使用后的消耗部件。容器具有与处理装置连接的开口部和开闭开口部的闸门，收纳部件收纳部。机械臂设置在容器内，在前端具有末端执行器，能够经开口部从处理装置运出使用后的消耗部件并将其收纳在部件收纳部内，将使用前的消耗部件从部件收纳部取出并经开口部运入处理装置内。移动机构具有动力源，使部件搬运装置移动。
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公开(公告)号：CN112397369A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010766400.9
申请日：2020-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种基片处理系统中的输送方法。本发明的基片处理系统中的输送方法包括托盘送入步骤、测量步骤、调节步骤、基片载置步骤和托盘送出步骤。在托盘送入步骤中，将能够载置半导体基片和边缘环的托盘送入设置有载置台的载置室。在测量步骤中，测量载置于托盘的边缘环的位置以获取边缘环的位置信息。在调节步骤中，基于所获得的位置信息，调节半导体基片的位置。在基片载置步骤中，将位置调节后的半导体基片载置在托盘。在托盘送出步骤中，将载置有半导体基片和边缘环的托盘从上述载置室送出。本发明能够相对于边缘环将半导体基片配置在正确的位置。
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