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公开(公告)号：CN107268086A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201610210944.0
申请日：2016-04-06
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法，所述方法包括将硅酸铋闪烁晶体在高纯氮气气氛中于600～800℃进行热处理6～20小时以使硅酸铋闪烁晶体中的氧杂质扩散出来从而提高硅酸铋闪烁晶体在近紫外波段透过率。本发明通过在特定的气氛、温度条件下对硅酸铋晶体进行高纯氮气气氛下高温热处理，提高晶体近紫外波段（300～400nm）的透过率，从而更易于切伦科夫光和闪烁光的分离，更加有利于硅酸铋晶体在双读出量能器领域的应用。
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公开(公告)号：CN104562205B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510044104.7
申请日：2015-01-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种阴阳离子共掺杂的硅酸铋闪烁晶体及其制备方法，所述硅酸铋闪烁晶体掺杂有F‑和Ba2+。F‑离子和Ba2+离子的掺入，在一定程度上补偿了晶体内部局域电荷的不平衡；并且，F可打断硅氧四面体间桥氧并置换桥氧而进入BSO熔体，可减小硅氧集团层间的束缚力，从而降低BSO熔体粘度并减少宏观缺陷。
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公开(公告)号：CN105063753A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510541293.9
申请日：2015-08-28
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种硝酸钠单晶的提拉法生长工艺，包括以下步骤：将原料硝酸钠于100～200℃烘干2～5小时后，装入坩埚中；将装料后的坩埚置于提拉炉中，经2～5小时将炉温升至350～450℃，并保温1～2h，使坩埚中的硝酸钠原料全部熔化，缓慢降低加热功率，当控制炉温为250～350℃时，将籽晶浸到熔体中，旋转籽晶并向上提拉，开始晶体生长，提拉速率为1.0～10mm/h，旋转速率为10～20r/min，固液界面的温度梯度为10～30℃/cm；根据晶体生长趋势，微量调整加热功率，完成放肩和等径过程，生长完毕，提出晶体使之脱离熔体，以20～50℃/h的降温速率使炉体冷却至室温并取出晶体。本发明晶体的热应力小，可减少晶体开裂。
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公开(公告)号：CN101892514B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010231621.2
申请日：2010-07-20
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种坩埚下降法生长大尺寸、高质量硝酸钠单晶的方法，属于晶体生长技术领域。本发明采用分析纯硝酸钠为原料，采用单层圆锥底铂金坩埚或圆弧底石英玻璃坩埚装料，采用硅碳棒或硅钼棒为发热体的下降炉进行晶体生长，生长炉温350～380℃，生长速率0.2～1.0mm/h，生长界面温度梯度5～15℃/cm。本发明所述的坩埚下降法生长工艺简单，可按制定的条件进行晶体生长，其温场稳定，径向温梯小，可有效减少晶体开裂，而且一炉可同时生长多根不同规格的硝酸钠单晶。
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公开(公告)号：CN101424615B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810203917.6
申请日：2008-12-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法，本发明利用PWO晶体在特定γ射线辐照剂量下与紫外线辐照下的辐照诱导吸收系数之间的线性关系，通过紫外线辐照晶体结果直接估算该晶体在γ射线辐照后的辐照诱导系数，从而对PWO晶体的抗γ射线辐照性能进行快速评估。本发明提供的方法采用简便、安全的紫外线辐照来模拟γ射线辐照效果，大大简化了PWO晶体抗辐照性能的检测过程。
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公开(公告)号：CN101935879A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010274494.4
申请日：2010-09-07
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种Yb3+/Bi3+双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，属于光学晶体领域。本发明利用Yb3+离子的敏化作用，通过Yb3+—Bin+(n＝0，1，2)之间的能量传递作用，使PWO晶体中Bi离子产生多波段近红外发光。本发明提供的制备方法以高纯Bi2O3、Yb2O3粉料掺入钨酸铅多晶料锭中，采用提拉法及坩埚下降法制备了Yb3+/Bi3+双掺杂钨酸铅晶体，所得晶体中Bi3+的掺杂量为0.1～2.0(at％)，Yb3+的掺杂量为0.3～4.0(at％)。
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公开(公告)号：CN101424615A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810203917.6
申请日：2008-12-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法，本发明利用PWO晶体在特定γ射线辐照剂量下与紫外线辐照下的辐照诱导吸收系数之间的线性关系，通过紫外线辐照晶体结果直接估算该晶体在γ射线辐照后的辐照诱导系数，从而对PWO晶体的抗γ射线辐照性能进行快速评估。本发明提供的方法采用简便、安全的紫外线辐照来模拟γ射线辐照效果，大大简化了PWO晶体抗辐照性能的检测过程。
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公开(公告)号：CN1306075C
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200510029744.7
申请日：2005-09-16
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种利用改进的坩埚下降法生长阴阳离子同时双掺杂的高光产额快衰减钨酸铅闪烁晶体的制备方法，属于晶体生长领域。使用本发明提供的工艺技术可克服阴阳离子双掺杂PWO晶体生长过程中原料及掺杂剂挥发的问题，生长出光产额达到BGO晶体的7.3%的阴阳离子双掺杂PWO晶体。本发明采用PbF2和Y2O3或BaF2和Y2O3作为掺杂剂，掺杂量分别为600-1000ppm(at%)和100-300ppm(at%)，使用铂坩埚生长，坩埚密封以控制原料及掺杂剂的挥发，坩埚的形状和大小随所需生长晶体的形状和大小而异。用本发明可以同时生长2根、6根或28根高光产额钨酸铅晶体，适于大批量生产。
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