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公开(公告)号：CN114783862A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202110088948.7
申请日：2021-01-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/3105
Abstract: 本发明提供了一种提高SiC场效应晶体管中栅氧化层可靠性的方法，该方法通过在三种加工环境下，采用不同的气体对SiO2栅氧化层依次进行三次退火处理，以降低SiO2栅氧化层界面处的C相关缺陷。也就是说，通过三次连续的退火处理，可以处理掉SiC场效应晶体管中SiO2栅氧化层界面处的多种陷阱和缺陷，界面质量得到优化，致密性得到增强，漏电流减小，可靠性得到提升，进而提高SiC场效应晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN110828538A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810894043.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/73
Abstract: 本发明公开了一种双极晶体管，包括：按自下而上的顺序依次设置的集电极、N+衬底、N-集电区、P+基区；设置于所述P+基区上的P-基区，所述P-基区裸露出P+基区的延伸部分，所述延伸部分包括基极接触区和终端区，其中，所述基极接触区上设置有基极，所述终端区包括间隔设置的多个场限环，相邻场限环之间由凹槽分隔开；设置于所述P-基区上的N+发射区；以及设置于所述N+发射区上的发射极。
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公开(公告)号：CN109283298B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811349529.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC‑SiO2界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN109768091A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910192344.X
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构，包括：一碳化硅衬底；依次堆叠在衬底之上的一碳化硅N型电子漂移外延层、一碳化硅N型电流扩展外延层、一碳化硅P型基区层、一碳化硅N型重掺杂层、两个对称分布、从碳化硅N型重掺杂层顶部延伸到碳化硅N型电流扩展外延层中的碳化硅源极P型重掺杂离子注入区；两个在碳化硅源极P型重掺杂离子注入区内的源极沟槽；一位于中心的栅极沟槽；一位于栅极沟槽下的P型遮蔽区；一包覆栅极沟槽的二氧化硅层；一栅极多晶硅层。本发明提出的双沟槽SS-SiC MOSFET结构，通过短P型遮蔽区和浅源极沟槽的设计，可以实现在不损失器件的耐压能力的同时，提高器件的电流能力。
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公开(公告)号：CN109494147A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811349424.3
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法，包括：步骤一、提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压控制所述氧等离子体中的氧离子与电子的运动，在所述碳化硅衬底上生成预定厚度的氧化层，其中，碳化硅衬底电压为负时，氧离子靠近界面与碳化硅发生氧化反应，碳化硅衬底电压为正时，电子靠近界面与碳化硅发生还原反应，将碳残留去除；步骤四、停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以实现对碳化硅氧化层的实时修复，有效减小碳残留，改善界面质量，减小氧化层中的缺陷中心对载流子的散射作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109341880A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811156415.2
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；以及环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型重掺杂区；其中，所述环形阴极与所述晶体管的源极短路设置。
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公开(公告)号：CN107658215A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710880833.5
申请日：2017-09-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/04 , H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/046 , H01L29/1033 , H01L29/66068 , H01L29/7827
Abstract: 本发明提供一种碳化硅器件制作方法，其中包括：步骤一、提供N+-SiC衬底，在N+-SiC衬底上形成N--SiC外延层，在N--SiC外延层两端离子注入形成P阱；步骤二、在器件表面外延N型沟道层；步骤三、在器件两端进行离子注入，形成相邻的N+源区和P+源区；步骤四、在器件表面生长栅氧化层，在栅氧化层上方生长多晶硅层并进行刻蚀，得到栅电极；步骤五、在栅氧化层表面淀积层间介质并刻蚀层间介质以及栅氧化层，用于形成源电极与N+源区和P+源区的接触窗口；步骤六、在器件的正面和反面形成源电极和漏电极。本发明还提供一种碳化硅器件。本发明能够保证导电沟道深度，抑制注入工艺带来的接触界面粗糙，并且简化器件制备工艺流程。
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公开(公告)号：CN102842610B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201110170508.2
申请日：2011-06-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT芯片，包括栅极焊盘和栅极总线，还包括：位于所述栅极焊盘与所述栅极总线之间的补偿电阻区。本发明在IGBT芯片的栅极焊盘与栅极总线之间增加了补偿电阻区，该补偿电阻区的电阻相当于IGBT芯片的栅极电阻，该补偿电阻的大小可根据IGBT芯片的需求进行调整，以避免IGBT模块电路中的自激振荡。由于该补偿电阻区位于栅极焊盘下方，不会占用IGBT芯片内部的面积、体积，并且该补偿电阻区是在IGBT芯片生产过程中集成在芯片内部的，在IGBT芯片生产时只需增加补偿电阻区的形成过程即可，因此该IGBT芯片的制作方法工艺简单易行，并未增加电路的设计成本。
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公开(公告)号：CN102931223B
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201210494615.5
申请日：2012-11-28
Applicant: 江苏物联网研究发展中心 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/417 , H01L29/739 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供一种IGBT集电极结构，包括N-型基区，还包括在N-型基区的背面形成的间隔分布N+型区域层，以及在N-型基区的背面，上述间隔分布N+型区域层未覆盖区域形成的间隔分布P+型集电极层。所述间隔分布N+型区域层是由五价元素在N-型基区的背面间隔注入后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后形成。或者所述间隔分布N+型区域层是通过在N-型基区的背面外延生长一层N+型层，然后通过间隔刻蚀后，并且跟随着经历了N-型基区的正面的所有热过程后得到。本发明用于形成IGBT的集电极结构。
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公开(公告)号：CN103077962A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310013013.8
申请日：2013-01-14
Applicant: 江苏物联网研究发展中心 , 中国科学院微电子研究所 , 江苏中科君芯科技有限公司
IPC: H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明在器件的背面制作异质结结构提高注入效率，可以改善器件的导通压降，异质结界面缺陷较多，可以形成复合中心减少载流子寿命，改善关断特性。
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