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公开(公告)号：CN103474414A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201210184945.4
申请日：2012-06-06
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/02
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电感及其形成方法，其中，所述电感包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的第一介质层；位于所述第一介质层表面的第一平面螺旋线圈，所述第一平面螺旋线圈包括最外圈金属线、以及与最外圈金属线一端连接的内圈金属线，其中，所述内圈金属线包括至少2根相互隔离的子金属线，所述子金属线的一端分别与最外圈金属线连接；位于所述第一介质层表面的第一接触层，所述最外圈金属线的另一端与所述第一接触层连接。所述电感的品质因数Q提高，性能良好。
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公开(公告)号：CN102194817B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010118042.7
申请日：2010-03-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 程仁豪
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，在所述衬底中形成的多个浅隔离沟槽；在所述衬底中形成的多个有源区，所述相邻的有源区通过所述多个浅隔离沟槽间隔开；在所述多个浅隔离沟槽上形成的多晶硅层；在所述有源区和多晶硅层上形成的多层层间介电层和夹在相邻层间介电层之间的第一金属层；在位于顶层的层间介电层上形成的第二金属层，用于形成平面电感；所述有源区和多晶硅层通过在层间介电层中形成的接触孔接地从而形成图案化接地屏蔽层。根据本发明，与没有设置图案化接地屏蔽层的平面电感相比，插入图案化接地屏蔽层的平面电感提供了具有可比性或更好的Q性能，也可以减少感应的衬底耦合噪声对电路的影响。
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公开(公告)号：CN102222702A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010154752.5
申请日：2010-04-14
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 一种电容器及其形成方法，所述电容器包括：多个伪电极，形成于半导体基底上且呈阵列排布；介质层，形成于所述伪电极和半导体基底表面上；第一电极和第二电极，形成于所述介质层上，所述第一电极和第二电极间填充有绝缘物。本发明改善了电容器的失配问题。
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公开(公告)号：CN102194817A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010118042.7
申请日：2010-03-03
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 程仁豪
IPC: H01L27/04
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，在所述衬底中形成的多个浅隔离沟槽；在所述衬底中形成的多个有源区，所述相邻的有源区通过所述多个浅隔离沟槽间隔开；在所述多个浅隔离沟槽上形成的多晶硅层；在所述有源区和多晶硅层上形成的多层层间介电层和夹在相邻层间介电层之间的第一金属层；在位于顶层的层间介电层上形成的第二金属层，用于形成平面电感；所述有源区和多晶硅层通过在层间介电层中形成的接触孔接地从而形成图案化接地屏蔽层。根据本发明，与没有设置图案化接地屏蔽层的平面电感相比，插入图案化接地屏蔽层的平面电感提供了具有可比性或更好的Q性能，也可以减少感应的衬底耦合噪声对电路的影响。
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公开(公告)号：CN101459177B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200710094474.7
申请日：2007-12-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Inventor： 程仁豪
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/02
Abstract: 一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沿半导体衬底方向的PN结以及在半导体衬底上形成有介质层；在介质层上对着半导体衬底中的垂直于半导体衬底方向的PN结的位置形成平面螺旋电感器。本发明还提供一种半导体器件。通过在介质层上对着半导体衬底中的垂直于半导体衬底方向的PN结位置形成平面螺旋电感器，降低平面螺旋电感器在半导体衬底中的损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112086429B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201910510660.7
申请日：2019-06-13
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/552 , H01L23/64
Abstract: 一种电感结构及其形成方法，包括：基底，所述基底表面具有接地端；位于基底上的屏蔽结构，所述屏蔽结构包括：若干层重叠的屏蔽层，位于最底层的屏蔽层与所述接地端电连接，相邻两层所述屏蔽层相互电连接，每一层所述屏蔽层包括并联线圈组以及包围所述并联线圈组的串联线圈组，所述并联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第一导线，所述串联线圈组包括平行排列且呈同心分布的若干第二导线，且每一层所述屏蔽层包括若干线圈区，相邻线圈区内的第一导线相互分立，相邻线圈区内的第二导线相互分立，且每一个线圈区内的若干第一导线并联，每一个线圈区内的若干第二导线串联；位于所述屏蔽结构上的电感层。所述电感结构的性能得到提高。
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公开(公告)号：CN110310941B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810229794.7
申请日：2018-03-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的接地环，所述接地环包括对称且绝缘设置的第一部分和第二部分；位于所述半导体衬底表面被所述接地环包围的线形排布的导电部件，所述导电部件包括对称且绝缘设置的第一导电部件和第二导电部件，所述第一导电部件的第一端与所述接地环的第一部分连接，所述第二导电部件的第一端与所述接地环的第二部分连接，所述第一导电部件的第二端与所述第二导电部件的第二端连接至接地线。根据本发明的接地屏蔽结构和半导体器件，显著提高半了导体器件在60GHz以上频率范围内使用时的高频性能。
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公开(公告)号：CN110310941A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201810229794.7
申请日：2018-03-20
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 本发明提供一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的接地环，所述接地环包括对称且绝缘设置的第一部分和第二部分；位于所述半导体衬底表面被所述接地环包围的线形排布的导电部件，所述导电部件包括对称且绝缘设置的第一导电部件和第二导电部件，所述第一导电部件的第一端与所述接地环的第一部分连接，所述第二导电部件的第一端与所述接地环的第二部分连接，所述第一导电部件的第二端与所述第二导电部件的第二端连接至接地线。根据本发明的接地屏蔽结构和半导体器件，显著提高半了导体器件在60GHz以上频率范围内使用时的高频性能。
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公开(公告)号：CN106856121B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201510906559.5
申请日：2015-12-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Abstract: 一种电感结构及其形成方法，其中所述电感结构包括：基底，所述基底表面具有接地端；位于基底上方的若干层堆叠的金属屏蔽层，上下层金属屏蔽层相互电连接，最底层的金属屏蔽层与接地端电连接，每一层金属屏蔽层包括相互断开的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分均包括若干平行的半圆金属线，若干平行的半圆金属线电连接在一起；位于最上层金属屏蔽层上方的电感层。本发明的电感结构抑制了电感层与基底之间交互噪音的产生，并增加了单位面积内的金属层的密度，满足设计的标准和工艺的要求。
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公开(公告)号：CN104241242B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310232109.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L28/10 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L2924/0002 , H01L2924/19042 , H01L2924/19051 , H01L2924/19104 , H01L2924/00
Abstract: 一种接地屏蔽结构及半导体器件，其中接地屏蔽结构包括：衬底；位于所述衬底上的介质层；位于所述衬底或介质层中的多环导电环，每个导电环具有多个开口，所述开口数大于等于3，每个导电环的多个开口将导电环隔开为多个间隔排列的子导电环；接地环，与所有所述子导电环电连接。使用本发明的接地屏蔽结构，减小了接地屏蔽结构的寄生电容和寄生电阻，降低了位于接地屏蔽结构上的电感在接地屏蔽结构中的能量损耗，提高了电感的品质因数Q值。而且，还减少了多环导电环的材料损耗，降低生产成本。
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