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公开(公告)号：CN105676529A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610105244.5
申请日：2016-02-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/13357
CPC分类号： G02F1/133606 , G02F1/133608 , G02F1/133603
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开一种扩散板、背光模组及显示装置，其中，扩散板包括主体结构，所述主体结构内形成用于容纳光源组件的容纳槽，所述容纳槽的底壁朝向槽外一侧的表面形成用于支撑显示面板的支撑面，所述容纳槽内设有用于固定光源组件的固定部。上述扩散板既具有均匀扩散光源组件发射的光线的作用，又可以安装和支撑光源组件与显示面板，因此，利用该扩散板的背光模组可以省略支架背板和胶框等结构，进而实现结构简化，因此，利用该扩散板的背光模组，其结构稳定性较好。
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公开(公告)号：CN115606011B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202080002177.9
申请日：2020-09-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
摘要： 一种发光二极管芯片、显示基板及其制作方法。该发光二极管芯片包括：第一导电类型半导体层、发光层、至少两个第二导电类型半导体层以及至少两个第一电极；发光层位于第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第二导电类型半导体层，位于发光层远离第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第一电极分别与至少两个第二导电类型半导体层电性相连。至少两个第二导电类型半导体层在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置，至少两个第一电极在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置。该发光二极管芯片可降低单个LED发光结构的尺寸，可实现较高的像素密度，并且在小电流的驱动下效率也较高。
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公开(公告)号：CN114447173B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210109375.6
申请日：2022-01-28
申请人： 京东方晶芯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/00 , H01L23/544
摘要： 发光器件及其制备方法、发光装置。发光器件包括：外延层，设置在外延层同一侧的至少一个器件电极，以及设置在器件电极背离外延层一侧的至少一个可剥离的测试电极；其中，测试电极与器件电极对应连接，测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于对应连接的器件电极在外延层所在平面上的正投影面积。由于测试电极与器件电极对应连接，并且测试电极在外延层所在平面上的正投影面积大于器件电极在外延层所在平面上的正投影面积，因此可以根据测试设备的需求设计较大面积的测试电极，从而可以对单个发光器件的波长、亮度和电压等参数进行电性测试，提高测试的准确性，降低电性不良的发光器件发生漏检的概率。
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公开(公告)号：CN116391265A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202180002744.5
申请日：2021-09-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： H01L33/02
摘要： 提供了一种发光器件、发光基板和显示装置。发光器件包括：衬底(1)；第一半导体层(21)，第一半导体层(21)位于衬底(1)的一侧；发光层(3)，发光层(3)位于第一半导体层(21)背离衬底(1)的一侧；第二半导体层(22)，第二半导体层(22)位于发光层(3)背离第一半导体层(21)的一侧，第一半导体层(21)为N型半导体层、P型半导体层中的一者，第二半导体层(22)为N型半导体层、P型半导体层中的另一者；第二半导体层(22)在衬底(1)的正投影面积小于发光层(3)在衬底(1)的正投影面积，且第二半导体层(22)在衬底(1)的正投影位于发光层(3)在衬底(1)的正投影内。
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公开(公告)号：CN115606011A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202080002177.9
申请日：2020-09-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司(CN) , 京东方晶芯科技有限公司(CN)
摘要： 一种发光二极管芯片、显示基板及其制作方法。该发光二极管芯片包括：第一导电类型半导体层、发光层、至少两个第二导电类型半导体层以及至少两个第一电极；发光层位于第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第二导电类型半导体层，位于发光层远离第一导电类型半导体层的一侧；至少两个第一电极分别与至少两个第二导电类型半导体层电性相连。至少两个第二导电类型半导体层在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置，至少两个第一电极在第一导电类型半导体层上的正投影相互间隔设置。该发光二极管芯片可降低单个LED发光结构的尺寸，可实现较高的像素密度，并且在小电流的驱动下效率也较高。
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公开(公告)号：CN110456558B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201810431300.3
申请日：2018-05-08
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 本发明提供一种光学膜材、背光源及显示装置，属于显示技术领域。本发明的光学膜材，包括：透明基材，位于所述透明基材第一面的第一扩散膜；所述光学膜材还包括：位于所述透明基材与所述第一面相对的第二面的光学功能层；所述光学功能层包括：透射区和反射区；其中，在所述反射区具有反射结构。
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公开(公告)号：CN109979959B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910333086.2
申请日：2019-04-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种微发光二极管芯片和显示装置，涉及芯片设计技术领域，主要目的是在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中，使得微发光二极管芯片波长稳定，能够实现灰阶的正常显示和切换。本发明的主要技术方案为：微发光二极管芯片，包括：多个子芯片，多个所述子芯片并联设置，每个所述子芯片具有一个启亮电压，至少两个所述子芯片的所述启亮电压不同。本申请提供的微发光二极管芯片，在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中，使得在不同的驱动电压驱动的情况下，逐步改变芯片的亮度，且能够保证微发光二极管芯片的电流密度不变，从而在逐步改变芯片亮度的同时，保证了波长的稳定性，达到较好地切换和显示灰阶的目的。
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公开(公告)号：CN110420776A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910720599.9
申请日：2019-08-06
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： B05B12/28
摘要： 本发明公开了一种掩膜组件及Mini LED背光模组的制作方法，在固晶完发光芯片后，将该掩膜组件贴覆在发光芯片上方且使各掩膜区域与发光芯片一一对应，这样掩膜区域的第二遮挡部覆盖住发光芯片，喷涂部与发光芯片四周的间隙处相对应，然后将用于制作反射结构的材料通过喷涂部的镂空区域喷涂至发光芯片的间隙处形成反射结构，由于可以在发光芯片的四周同时喷涂制作反射结构的材料，因此工序较简单，耗时较少，喷涂效率较高，具备量产性；并且在喷涂过程中，第二遮挡部遮挡发光芯片避免喷涂材料喷涂至发光芯片上，从而不会给后续Mini LED背光模组造成较大的焊接误差。
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公开(公告)号：CN109979959A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201910333086.2
申请日：2019-04-24
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： H01L27/15
摘要： 本发明公开了一种微发光二极管芯片和显示装置，涉及芯片设计技术领域，主要目的是在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中，使得微发光二极管芯片波长稳定，能够实现灰阶的正常显示和切换。本发明的主要技术方案为：微发光二极管芯片，包括：多个子芯片，多个所述子芯片并联设置，每个所述子芯片具有一个启亮电压，至少两个所述子芯片的所述启亮电压不同。本申请提供的微发光二极管芯片，在通过电流控制微发光二极管芯片的灰阶的过程中，使得在不同的驱动电压驱动的情况下，逐步改变芯片的亮度，且能够保证微发光二极管芯片的电流密度不变，从而在逐步改变芯片亮度的同时，保证了波长的稳定性，达到较好地切换和显示灰阶的目的。
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公开(公告)号：CN105676529B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610105244.5
申请日：2016-02-25
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC分类号： G02F1/13357
摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开一种扩散板、背光模组及显示装置，其中，扩散板包括主体结构，所述主体结构内形成用于容纳光源组件的容纳槽，所述容纳槽的底壁朝向槽外一侧的表面形成用于支撑显示面板的支撑面，所述容纳槽内设有用于固定光源组件的固定部。上述扩散板既具有均匀扩散光源组件发射的光线的作用，又可以安装和支撑光源组件与显示面板，因此，利用该扩散板的背光模组可以省略支架背板和胶框等结构，进而实现结构简化，因此，利用该扩散板的背光模组，其结构稳定性较好。
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