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公开(公告)号:CN214474322U
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN202120336198.6
申请日:2021-02-05
申请人: 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/1362 , G02F1/1343
摘要: 本公开提供一种显示面板及显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的隔垫物容易划伤显示区的配向层,造成亮点不良的问题。本公开的显示面板,具有阵列排布的多个显示区和设置于相邻的显示区之间的非显示区,包括:相对设置的第一基板和第二基板、及位于第一基板和第二基板之间的第一隔垫物;第一隔垫物的两端分别与第一基板和第二基板相接触;第一基板包括:第一基底、位于第一基底上设置于非显示区的信号线;至少部分非显示区内设置有多条信号线;第一基板靠近第二基板的表面形成有凹陷部;凹陷部在第一基底上的正投影位于两相邻的信号线之间;第一隔垫物靠近第一基底的一端嵌入凹陷部中。
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公开(公告)号:CN214751214U
公开(公告)日:2021-11-16
申请号:CN202120546832.9
申请日:2021-03-17
申请人: 合肥京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/1335 , G02F1/1362 , G09G3/36
摘要: 本实用新型涉及显示技术领域,公开了一种显示面板及显示装置,该显示面板包括阵列排布的多个子像素,相邻两行子像素之间的非显示区域上,设有沿行方向延伸的栅线遮光部;沿行方向,每相邻两个子像素之间均具有竖向非显示区域,至少一个竖向非显示区域上设有竖向遮光部,竖向遮光部用于防止沿行方向位于其两侧的两个子像素在交界处漏光;竖向遮光部和与其相邻的两个栅线遮光部之间均有间隙。该显示装置包括上述显示面板。该显示面板及显示装置改善了沿行方向,相邻两个子像素间的非显示区发亮的问题。
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公开(公告)号:CN118778319A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202410883552.5
申请日:2024-07-02
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC分类号: G02F1/1675 , G02F1/1685 , G02F1/1676 , H05B3/02 , H05B3/06 , H05B1/02
摘要: 本公开提供了一种电子纸基板及其制作方法、电子设备,涉及电子纸技术领域。该电子纸基板包括:衬底基板;驱动层,位于衬底基板的一侧,且包括加热层和第一跳线层,加热层包括间隔排布的多个加热丝,第一跳线层包括多个连接线,多个连接线被配置实现多个加热丝的串并联;第一电极层、电子纸膜和第二电极层,依次位于驱动层背离衬底基板的一侧。本公开实施方式中,通过加热层的多个加热丝实现对电子纸基板的加热,保证电子纸膜包括的微结构内带电粒子所处的温度,从而便于保证带电粒子的活性,以保证电子纸基板在显示画面时的画面刷新响应速率和画面显示效果,从而提高电子纸基板的应用场景。
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公开(公告)号:CN113394299B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN202110665949.3
申请日:2021-06-16
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/12 , H01L21/77 , H10K59/121
摘要: 本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示面板。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中,有源结构包括具有第一设计尺寸的硅纳米线,在薄膜晶体管的制备过程中,硅纳米线可由具有设计直径的引导颗粒的引导下形成,通过改变引导颗粒的设计直径,可以制备得到具有相应设计尺寸的硅纳米线。因此,能够避免使用掩模工艺制备硅纳米线,从而能够降低薄膜晶体管的生产成本。而且,相较于现有的有源结构,硅纳米线具有载流子迁移率高、均匀性高的特点,从而能够提高薄膜晶体管的性能,能够降低薄膜晶体管的功耗。
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公开(公告)号:CN112736087B
公开(公告)日:2024-03-05
申请号:CN201910960432.X
申请日:2019-10-10
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板,该阵列基板的制作方法通过对在制作氧化物薄膜晶体管的半导体层形成的铟的氧化物薄膜进行还原,获得微晶硅薄膜晶体管的半导体层的诱导金属铟,通过金属铟诱导多晶硅的方式形成微晶硅半导体层,并且在形成微晶硅半导体层之后,两类晶体管相同的功能的膜层可以通过同一道掩膜版进行制作,极大的降低了掩膜版使用数量。
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公开(公告)号:CN115914513A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202110988792.8
申请日:2021-08-26
申请人: 合肥京东方视讯科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本申请实施例提供了一种后壳组件及显示装置。该后壳组件包括后壳主体和安装框架,所述后壳主体为板状结构,所述后壳主体包括相对设置的外观面和安装面;所述安装框架上形成与所述后壳主体的安装面配合的镂空面,所述后壳主体的安装面通过磁性吸力结构和/或粘结结构配合于所述安装框架的镂空面。本申请实施例的后壳组件中磁性吸力结构和/或粘结结构设置在后壳主体的安装面和安装框架的镂空面之间,后壳主体的外观面简洁完整,从而使得后壳主体的外观简洁精致,通过克服磁性吸力结构的磁吸力和/或粘结结构的粘结力即可将后壳主体拆卸下来,从而可方便后壳主体的拆装维修。
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公开(公告)号:CN110178226B
公开(公告)日:2022-07-26
申请号:CN201980000188.0
申请日:2019-02-22
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L27/32 , H01L21/336
摘要: 本公开提供了一种薄膜晶体管、像素结构、显示装置和制造方法,涉及显示技术领域。该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、第一支撑部、第二支撑部、半导体层、源极和漏极。该栅极在衬底上。该栅极绝缘层覆盖在栅极和衬底上。第一支撑部和第二支撑部设置在覆盖衬底且位于栅极两侧的栅极绝缘层上。第一支撑部和第二支撑部非连接。半导体层在第一支撑部、第二支撑部和覆盖在栅极上的栅极绝缘层上。源极和漏极与该半导体层分别连接。该第一支撑部和该第二支撑部分别用于支撑半导体层。本公开可以提高半导体层的结晶效果。
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公开(公告)号:CN108735168B
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN201810516605.4
申请日:2018-05-25
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
摘要: 本发明公开了一种背光模组、3D显示装置及其驱动方法,由于采用的背光模组包括背光源和控制部,其中,背光源具有与液晶显示屏的各子像素一一对应的多个发光区域;控制部可以控制背光源的各发光区域的光出射方向。即背光模组可以提供针对每一子像素的指向性光源,从而通过时间分割方式使左右眼分别看到两幅立体对相应的图像,经过大脑对这些图像进行综合处理,实现不损失分辨率的多视点裸眼3D图像显示。
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公开(公告)号:CN110265509B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN201910591338.1
申请日:2019-07-02
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: H01L31/101 , H01L27/142 , H01L31/0352
摘要: 本发明涉及显示技术领域,公开了一种光电探测器件、及其制备方法、显示面板及显示装置,该光电探测器件包括:衬底,位于衬底上的薄膜晶体管TFT和光敏PIN器件;PIN器件包括:与TFT在衬底上的I型区;覆盖I型区的顶表面的第一刻蚀阻挡层;与I型区靠近TFT一侧的侧表面接触的第一重掺杂区;与I型区远离TFT一侧的侧表面接触的第二重掺杂区,第一重掺杂区与第二重掺杂区的掺杂类型互不相同。该光电探测器件中,PIN器件为水平结构,有效减少了PIN器件接收光线一侧的膜层数量及膜层厚度,从而减少了各膜层对光信号的反射、吸收,增加光信号的透过率,有利于提高器件光响应度。
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公开(公告)号:CN113725390A
公开(公告)日:2021-11-30
申请号:CN202111005700.6
申请日:2021-08-30
申请人: 京东方科技集团股份有限公司
摘要: 本发明实施例公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,用于提高显示基板的分辨率和良率。制备方法包括:提供背板;利用光刻工艺,得到像素界定层;形成层叠的牺牲层和光刻胶层,其中,光刻胶层具有多个第二开口,第一开口在背板上的正投影位于第二开口在背板上的正投影范围内;在光刻胶层远离背板的一侧依次形成发光薄膜、第一功能薄膜以及封装薄膜;对牺牲层进行剥离,去除牺牲层、光刻胶层以及发光薄膜、第一功能薄膜及封装薄膜中位于光刻胶层远离背板一侧表面的部分,保留发光薄膜、第一功能薄膜及封装薄膜中位于第二开口内的部分。本发明实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置用于图像显示。
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