公开(公告)号：CN110088909B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201980000327.X

申请日：2019-03-18

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 李超 ,  杜建华 ,  关峰 ,  强朝辉 ,  王治 ,  高宇鹏 ,  吕杨

IPC分类号： H01L27/146

摘要： 光电传感器包括：基底基板；绝缘层，在基底基板上；以及光电二极管，包括在绝缘层的远离基底基板的一侧的半导体结。半导体结包括堆叠在绝缘层上的第一极性半导体层、本征半导体层和第二极性半导体层。第二极性半导体层包覆本征半导体层的侧表面。

公开(公告)号：CN111370496B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202010191972.9

申请日：2020-03-18

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 王利忠 ,  周天民 ,  高宇鹏 ,  党宁

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

摘要： 公开一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置，薄膜晶体管包括设置在基底上的：第一电极、第二电极、有源层和柔性导电层，其中，所述第一电极和所述第二电极中的一者为源极，另一者为漏极；所述有源层与所述第一电极电连接，所述有源层在所述基底上的正投影位于所述第一电极在所述基底上的正投影范围内；所述柔性导电层位于所述有源层背离所述第一电极的一侧，并将所述有源层和所述第二电极电连接。

公开(公告)号：CN109003941B

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201810837809.8

申请日：2018-07-26

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 杜建华 ,  王鑫 ,  强朝辉 ,  高宇鹏

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

摘要： 本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，利用导电层焦耳热诱导非晶硅转化为多晶硅，不需要ELA设备，可降低成本、简化工艺。该制备方法包括：提供衬底基板；衬底基板的表面包括至少一个预设区域；在表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层，在表面上的正投影均覆盖预设区域；对非晶硅层进行构图工艺处理，形成位于预设区域内的多个非晶硅图案；在导电层上施加电压，通过使导电层发热诱导多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案；或者，在导电层上施加电压，通过使导电层发热诱导非晶硅层位于预设区域内的部分转化为多晶硅层；对多晶硅层进行构图工艺处理，形成位于预设区域内的多个多晶硅图案。

公开(公告)号：CN110265509A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910591338.1

申请日：2019-07-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 李超 ,  杜建华 ,  关峰 ,  高宇鹏 ,  强朝辉 ,  王治 ,  吕杨 ,  罗超

IPC分类号： H01L31/101 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明涉及显示技术领域，公开了一种光电探测器件、及其制备方法、显示面板及显示装置，该光电探测器件包括：衬底，位于衬底上的薄膜晶体管TFT和光敏PIN器件；PIN器件包括：与TFT在衬底上的I型区；覆盖I型区的顶表面的第一刻蚀阻挡层；与I型区靠近TFT一侧的侧表面接触的第一重掺杂区；与I型区远离TFT一侧的侧表面接触的第二重掺杂区，第一重掺杂区与第二重掺杂区的掺杂类型互不相同。该光电探测器件中，PIN器件为水平结构，有效减少了PIN器件接收光线一侧的膜层数量及膜层厚度，从而减少了各膜层对光信号的反射、吸收，增加光信号的透过率，有利于提高器件光响应度。

公开(公告)号：CN109817731A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201910108010.X

申请日：2019-02-02

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 杜建华 ,  李超 ,  强朝辉 ,  高宇鹏 ,  关峰 ,  黄睿 ,  王治 ,  吕杨 ,  罗超

IPC分类号： H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

摘要： 本发明公开一种光电二极管及其制作方法、电子设备，涉及光电转换技术领域，为解决现有的光电二极管的光电转换效率较低的问题。所述光电二极管包括：层叠设置的第一电极层和半导体结构，所述半导体结构背向所述第一电极层的表面具有第一凹凸结构；设置在所述半导体结构背向所述第一电极层的表面的透明电极层，所述透明电极层背向所述第一电极层的表面具有第二凹凸结构。本发明提供的光电二极管用于将光信号转换为电信号。

公开(公告)号：CN109243972A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201811116608.5

申请日：2018-09-25

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 高宇鹏 ,  关峰 ,  王治

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明提供一种多晶硅层的制备方法、晶化处理系统、晶体管及显示装置，涉及显示技术领域，简化了需要离子掺杂的多晶硅层的制备工序。该多晶硅层的制备方法，包括：在衬底基板上方形成非晶硅层；所述非晶硅层具有远离所述衬底基板一侧的上表面，所述上表面包括：待掺杂区域；至少使所述待掺杂区域与离子注入化合物相接触；对所述待掺杂区域进行激光照射，以使所述离子注入化合物中的预设离子注入进所述待掺杂区域中，并使所述非晶硅层对应于所述待掺杂区域的部分转化为多晶硅。

公开(公告)号：CN111312855B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202010113650.2

申请日：2020-02-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  中国科学院深圳先进技术研究院

发明人： 杜建华 ,  关峰 ,  高宇鹏 ,  袁广才 ,  曲峰 ,  王政焱 ,  王恒 ,  何可 ,  陈明 ,  杨春雷

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/032

摘要： 本申请提供一种光电探测器的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一电极层；在所述第一电极上形成覆盖所述第一电极层的光吸收层，所述光吸收层的材料为铜铟镓硒；对所述光吸收层进行刻蚀，得到多个阵列排布的光吸收块；采用溴水与液态有机物的混合溶液作为刻蚀液对所述光吸收块的侧壁进行刻蚀，以去除所述光吸收块侧壁上的杂质；所述杂质与溴反应生成的化合物溶于所述液态有机物。

公开(公告)号：CN109411531B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN201811213582.6

申请日：2018-10-18

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 强朝辉 ,  李超 ,  王治 ,  高宇鹏 ,  杜建华 ,  关峰 ,  吕杨

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：源漏极层，源漏极层包括源极和漏极；有源层，位于源漏极层之上，有源层与源极、漏极相邻的侧面，以及源极、漏极的上表面接触。由于有源层与源极、漏极相邻的侧面，以及源极、漏极的上表面均接触，使得相对于现有技术中源极、漏极通过过孔与有源层接触的技术方案，极大地增加了源极、漏极与有源层的接触面积，降低了接触电阻，从而提高了薄膜晶体管的响应速度。

公开(公告)号：CN109727974B

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN201910003865.6

申请日：2019-01-03

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 李超 ,  杜建华 ,  关峰 ,  强朝辉 ,  王治 ,  高宇鹏 ,  吕杨

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L29/417 ,  H01L21/82

摘要： 本发明提供一种感光组件、其制备方法以及感光基板，属于感光技术领域，其可解决现有的感光组件制备工艺复杂，本征层的入射光信号被其他功能层阻挡的问题。本发明的感光组件，包括设置于衬底上的薄膜晶体管以及光电二极管。所述薄膜晶体管包括栅极、第一电极、第二电极；所述光电二极管包括PIN结，以及与所述PIN结连接的第三电极和第四电极。所述PIN结的本征层比其P型层和N型层更靠近所述感光组件的光入射侧，所述第一电极和所述第三电极相互连接且同层设置。

公开(公告)号：CN112736087A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201910960432.X

申请日：2019-10-10

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 高宇鹏 ,  袁广才 ,  关峰 ,  王治 ,  杜建华 ,  强朝辉 ,  李超

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/82

摘要： 本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板，该阵列基板的制作方法通过对在制作氧化物薄膜晶体管的半导体层形成的铟的氧化物薄膜进行还原，获得微晶硅薄膜晶体管的半导体层的诱导金属铟，通过金属铟诱导多晶硅的方式形成微晶硅半导体层，并且在形成微晶硅半导体层之后，两类晶体管相同的功能的膜层可以通过同一道掩膜版进行制作，极大的降低了掩膜版使用数量。