抗蚀剂材料和图案形成方法

    公开(公告)号:CN107703716B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201710668353.2

    申请日:2017-08-08

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料和图案形成方法。本发明提供在正型抗蚀剂材料和负型抗蚀剂材料中都为高灵敏度且LWR、CDU小的抗蚀剂材料以及使用其的图案形成方法。抗蚀剂材料,其包含基础聚合物和产酸剂,该产酸剂包含由下述式(1‑1)表示的锍盐或者由下述式(1‑2)表示的碘鎓盐。

    伸缩性膜及其形成方法
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111378271A

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201911356778.5

    申请日:2019-12-25

    Inventor: 畠山润

    Abstract: 本发明的目的是提供具有优良的伸缩性且膜表面的拨水性优良,而且表面不发粘的伸缩性膜及其形成方法。一种伸缩性膜,至少表面由含有有机硅聚氨酯树脂的伸缩性膜材料的固化物构成,其特征为:该伸缩性膜的表面形成有深度0.1μm~2mm、节距0.1μm~5mm的范围的凹凸的重复图案。

    导电性高分子组合物、包覆物、及图案形成方法

    公开(公告)号:CN106336603A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201610537136.5

    申请日:2016-07-08

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种导电性高分子组合物,所述导电性高分子组合物在对电子束抗蚀剂进行刻写时的抗静电性能优异,并且抗蚀剂 量为1000~500000的范围。上的涂布性、以及利用H2O和碱性水溶液而产生的剥离性优异,能够适用于电子束光刻。为了解决上述问题,本发明提供一种导电性高分子组合物,其含有:(A)π-共轭系导电性高分子,其具有由下述通式(1-1)、通式(1-2)及通式(1-3)所示的重复单元中的至少1种;及,(B)掺杂聚合物,其包含由下述通式(2)所示的重复单元a,重均分子

    抗蚀剂材料及图案形成方法
    27.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120010184A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202411614790.2

    申请日:2024-11-13

    Inventor: 畠山润

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供无论正型或负型皆为高感度,且LWR及CDU经改善的抗蚀剂材料以及使用其的图案形成方法。该课题的解决手段为一种抗蚀剂材料,含有:双鎓盐,含有具有直接键结于被碘原子取代的芳香族基团的磺酸阴离子结构及直接键结于该芳香族基团或间隔含有1个以上的原子的连接基团而键结的羧酸阴离子结构的2价阴离子、以及鎓阳离子。

    光学光刻用涂布材料、抗蚀剂材料及图案形成方法

    公开(公告)号:CN119335814A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202410957522.4

    申请日:2024-07-17

    Abstract: 本发明涉及光学光刻用涂布材料、抗蚀剂材料及图案形成方法。本发明的课题是提供包含不具有全氟烷基结构的表面活性剂的光学光刻用涂布材料、涂布后膜的平坦性优良,不仅涂布后连显影后的缺陷产生亦少的抗蚀剂材料、及使用其的图案形成方法。本发明的解决手段是一种光学光刻用涂布材料,包含0.0001~3质量%由具有经氟原子取代的芳香族基、三氟甲氧基、二氟甲氧基、三氟甲硫基或二氟甲硫基的树脂构成的表面活性剂。

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