公开(公告)号：CN102347193A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010243066.5

申请日：2010-08-02

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 王迪平 ,  唐景庭 ,  伍三忠 ,  孙勇

IPC: H01J37/317 ,  G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种大角度离子注入机快速调束的优化算法，束流优化算法使用部分：黄金搜索算法和扫描检测算法。本发明最大特点是大角度离子注入机在运行自动调束功能时，在极短的时间内能够调节出束流并能进行优化调束，工艺数据能实时处理，最终获取高品质束流。

公开(公告)号：CN102005362A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910090665.5

申请日：2009-09-03

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 邱小莎 ,  伍三忠 ,  龙会跃 ,  邓颖辉 ,  李涛

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  C23C14/48 ,  H01J37/317

Abstract: 本发明公开了一种离子束注入机上对双法拉第杯测量比例值进行校正的系统和方法。该校正系统包括移动法拉第杯、剂量采样法拉第杯，闭环控制法拉第杯、剂量检测器、数控扫描发生器、电机运动控制器、控制计算机，各个组件之间的连接关系如摘要附图所示。校正步骤包括：1、启动离子束沿水平方向均匀地扫描，将移动法拉第杯移到硅晶片的中心位置，对扫描离子束进行剂量采样，求算出中心位置处的注入剂量值，公式为：2、再用闭环控制法拉第杯采样扫描离子束的注入剂量，计算出该处的注入剂量值，公式为：3、计算出两法拉第杯剂量探测的比例值，公式为：本发明将两个法拉第杯对注入剂量的探测统一到同一标准，保证离子注入剂量检测的准确性。

公开(公告)号：CN102004194A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910090668.9

申请日：2009-09-03

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 唐景庭 ,  伍三忠 ,  孙雪平 ,  王迪平 ,  谢均宇

IPC: G01R29/24

Abstract: 本发明公开了一种电荷检测装置，其包括：由天线和N沟道增强型MOS场效应管，P沟道增强型MOS场效应管，运放及三极管等元件构成的电荷检测电路，将所有元件集成在一块电路板上(天线除外)，并将电路板用屏蔽盒屏蔽。本发明涉及到晶片电荷检测技术，属于半导体器件制造领域。

公开(公告)号：CN101764030A

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810238899.5

申请日：2008-12-04

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 钟新华 ,  伍三忠 ,  邱小莎

IPC: H01J37/317

Abstract: 本发明公开了一种离子注入剂量控制系统及控制方法，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该系统包括剂量积分器、扫描发生器、NI运动控制器和NI实时测量与控制器。本发明的优点是能够显著地提高离子注入剂量值和均匀性的精度以及自恢复功能。

公开(公告)号：CN101241952A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710063643.0

申请日：2007-02-07

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 伍三忠 ,  郭健辉 ,  蔡先武 ,  张欣曙

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明是一种晶体硅太阳电池片制造工艺，特别是一种高效、低成本、薄片太阳能电池片的制造工艺，属于太阳能应用领域。该工艺针对厚度低于200μm薄片晶体硅片，通过采用创新工艺、与原有工艺改新，结合自主开发的国产电池整线装备，开发设计了一套和自身设备的规格和要求相适应的各工序生产工艺，解决了薄片和碎片率、成品率、电性能之间的矛盾，满足了电池片生产线对电池片高效率、低成本要求。本发明制造晶体硅太阳电池片按工艺流程细分为七步：去损伤及表面绒面化、扩散制结、等离子刻蚀去边、PSG去除、PECVD沉积Si3N4膜、丝网印刷正背面电极浆料和背场浆料、共烧形成欧姆接触。采用此工艺，125×125mm2，单晶硅太阳电池片的效率达16.5％，多晶硅太阳电池的效率达15.0％。

公开(公告)号：CN1851044A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200510066336.9

申请日：2005-04-22

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 邱小莎 ,  唐景庭 ,  孙勇 ,  伍三忠 ,  郭建辉 ,  王迪平

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/48

Abstract: 本实用新型公开了一种主从式集中控制体系结构，涉及离子注入机，属于半导体制造领域。该结构包括：一个主控制器、一个以上子控制器及主控计算机，所述的主控制器通过双向光纤一端与主控计算机连接，另一端与子控制器串行连接；所述的主控制器为双端口控制器；所述的子控制器可以包括高电位子控制器和地电位子控制器，各个高电位子控制器之间用光纤串连，各个地电位子控制器之间用光纤串连。本实用新型抗干扰性能强、稳定性和可靠性高。

公开(公告)号：CN102867768B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110186452.X

申请日：2011-07-05

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 杨亚兵 ,  伍三忠 ,  谢均宇

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种提高靶室晶片传输效率的方法，包括：主机械手(1)，副机械手(2)，定向台(3)和靶台(4)四大功能模块，主机械手(1)下又有送回到片库(5)、送到定向台(6)、从片库取片(7)、从靶台取片(8)、状态出错(17)和任务结束(19)几个子模块，副机械手(2)下又有送片到靶台(9)和定向台取片(10)2个子模块，定向台下又有等待副机械手取片(11)、等待主机械手送片(12)和定向(13)3个子模块，靶台下又有注入(14)、等待副机械手送片(15)和等待主机械手取片(16)3个子模块，而每个大模块中都有运动出错(18)这个模块。其特征在于：其中所述主机械手(1)、副机械手(2)、定向台(3)和靶台(4)之间执行自己内部的事件，统一由上层模块来协调调配，避免程序内部和流程上的混乱现象，使程序和流程更简洁、更明朗。本发明可以使靶室内同时传送3片，最大化的提高机械手的利用率，缩短空闲时间，提高传输效率。

公开(公告)号：CN102347195B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201010243452.4

申请日：2010-08-02

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 唐景庭 ,  伍三忠 ,  孙勇 ,  罗宏洋

IPC: H01J37/32

Abstract: 本发明型公开了一种提高离子注入机引出束流稳定性和重复性的方法，该方法包括起弧、优化、闭环调节等三个部分。本发明型最大特点是能够在离子源灯丝、弧室及其它离子源部件状态发生缓慢变化的同时保持起弧状态稳定、保证多次起弧状态重复，从而有效提高引出束流的稳定性和重复性。

公开(公告)号：CN102867387A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110186491.X

申请日：2011-07-05

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 胡东京 ,  伍三忠 ,  彭立波

IPC: G08B17/10

Abstract: 一种烟雾探测联锁方法，包括：1烟雾探测器，2联锁控制电路。其特征在于，当检测到烟雾颗粒时，1烟雾探测器发出信号，2联锁控制电路能自动预警和火警，并可立即切断设备电源和有毒工艺气体，提升设备的安全保护功能。本发明可确保离子注入机本身以及设备周围环境安全，用于提高离子注入机的安全运行。

公开(公告)号：CN102446688A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201010514120.5

申请日：2010-10-13

Applicant: 北京中科信电子装备有限公司

Inventor： 伍三忠 ,  李慧 ,  唐景庭 ,  孙勇

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种控制离子均匀注入的二维扫描方法，属于半导体制造领域。离子均匀性注入的二维扫描系统包括：剂量控制器、运动控制器、移动法拉第、扫描板、计算机(实时系统)、直线电机，离子均匀注入的二维扫描方法方法包括水平方向的静电扫描和垂直方向的机械扫描，通过计算机(实时系统)对运动控制器和剂量控制器的协调控制以及移动法拉第对束流的检测，实现运动控制器控制直线电机进行的垂直方向的均匀机械扫描和剂量控制器控制扫描板进行的水平方向的均匀电扫描能够同步运行，从而达到离子均匀注入的二维扫描控制，使得均匀性达到误差范围。本发明能够实现离子注入剂量的精确检测和剂量的均匀性控制。