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公开(公告)号：CN115603588B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202211327230.X
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述桥变换电路包括：第一输入侧全桥电路，第二输入侧全桥电路、负载侧全桥电路以及高频变压器，本公开的技术方案，可以在确保电路整体工作效率较高的前提下，减少桥变换电路中开关单元切换导通状态时所产生的共模电流，从而降低共模电流流过印刷电路板时所产生的磁偶极子辐射，确保电路能够正常工作。
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公开(公告)号：CN117614293A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311308658.4
申请日：2023-10-10
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及集成电路领域，提供一种高低边死区时间控制电路及方法、开关电路、芯片。所述高低边死区时间控制电路包括：低边驱动电路，用于根据低边PWM控制信号控制下臂功率管的开关动作；高边驱动电路，用于将低边PWM控制信号转换为高边PWM控制信号，根据高边PWM控制信号控制上臂功率管的开关动作；死区时间控制电路，用于控制下臂功率管由导通变为关断到上臂功率管由关断变为导通以及上臂功率管由导通变为关断到下臂功率管由关断变为导通的死区时间。本发明的死区时间控制电路的开关管采用电阻负载，降低了高低边开关互锁信号的切换时间。
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公开(公告)号：CN117033280A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310760957.5
申请日：2023-06-26
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于I2C总线的热插拔保护电路、接口芯片及热插拔系统，属于热插拔技术领域。该电路热插拔保护电路包括控制电路、上拉电路和切断电路，控制电路的两个输入端分别接入I2C总线和次板电源VDD，输出端连接上拉电路的第一输入端，切断电路的输入端连接VDD，输出端连接上拉电路的第二输入端，上拉电路的输出端接入I2C总线。所述控制电路被配置为在VDD先插入的情况下，在设定时间导通上拉电路，以通过上拉电路来拉高悬空的I2C总线。所述切断电路被配置为在I2C总线先插入的情况下，切断VDD与I2C总线之间的电流流入通路。本发明实施例解决了由于插入顺序和上电顺序导致的不良热插拔的缺陷，减少了软硬件负担。
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公开(公告)号：CN116779605A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310777035.5
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/8222
Abstract: 本发明提供一种可控硅器件、可控硅器件制作方法、芯片及电路，属于半导体器件领域，该器件包括：衬底；第一阱区；第二阱区、第一注入区和第三阱区，沿衬底长度方向形成在第一阱区内；第二注入区和第三注入区，分别形成于第二阱区和第三阱区内；第四注入区和第五注入区，分别形成于第二注入区和第三注入区内；第一多晶硅层和第二多晶硅层，分别形成于第一注入区两侧的衬底表面；第一隔离槽和第二隔离槽，分别形成于第一注入区两侧；第四注入区和第一多晶硅层通过金属连线接入电学阳极，第五注入区和第二多晶硅层通过金属连线接入电学阴极。通过本发明提供的器件，能够提供更高的ESD保护能力，电流走向更为均匀，提高器件响应速度。
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公开(公告)号：CN116501127A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310484302.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种电流偏置电路、芯片及相应的电子装置，所述电路包括：P型MOSFET电流镜模块，所述P型MOSFET电流镜模块的第三端连接于P型快速启动模块，P型快速启动模块包括多个电容和多个开关；N型MOSFET电流镜模块，N型MOSFET电流镜模块的第三端连接于N型快速启动模块，N型快速启动模块包括多个电容和多个开关。该电路通过在包括共源共栅电流镜的电流偏置电路中加入多个电容，从而可以基于该多个电容之间的电荷分享的作用，将关键节点迅速建立到目标值附近，在加快了启动速度的同时也减小了电流过冲，并可以减小电路中的电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116111849A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211326706.8
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种双有源桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述双有源桥变换电路包括：输入侧全桥电路，所述输入侧全桥电路包括第一开关管Q1、第二开关管Q2、第三开关管Q3和第四开关管Q4；负载侧全桥电路，所述负载侧全桥电路包括第五开关管Q5、第六开关管Q6、第七开关管Q7和第八开关管Q8；高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧全桥电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧全桥电路的输入端；其中，Q1和Q3采用交叉耦合的方式连接，Q5和Q7采用交叉耦合的方式连接。本公开的技术方案，大幅减少了提供控制信号的驱动电路的损耗，降低了实现成本。
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公开(公告)号：CN115617115A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211344115.3
申请日：2022-10-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G05F3/26
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基准电压产生电路、芯片及电子设备，所述基准电压产生电路包括：参考电压产生电路，所述参考电压产生电路用于生成第一参考电压；稳压电路，所述稳压电路包括电压转换电路、拉电流稳压支路和灌电流稳压支路，其中：所述电压转换电路用于将所述第一参考电压转换成所述基准电压，并在所述基准电压产生电路接收到外部拉电流时，将所述基准电压转换为第一控制电压，在所述基准电压产生电路接收到外部灌电流时，将所述基准电压转换为第二控制电压；所述拉电流稳压支路接收所述第一控制电压，所述灌电流稳压支路接收所述第二控制电压，以对所述基准电压进行稳压，从而提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN115603588A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327230.X
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN) , 国网江苏省电力有限公司泰州供电分公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种桥变换电路、电路工作方法及电子装置，所述桥变换电路包括：第一输入侧全桥电路，第二输入侧全桥电路、负载侧全桥电路以及高频变压器，本公开的技术方案，可以在确保电路整体工作效率较高的前提下，减少桥变换电路中开关单元切换导通状态时所产生的共模电流，从而降低共模电流流过印刷电路板时所产生的磁偶极子辐射，确保电路能够正常工作。
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公开(公告)号：CN115603587A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211327228.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司(CN)
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低EMI的变换器电路、电子装置、芯片及电力传输系统，所述低EMI的变换器电路包括：输入侧电路、负载侧电路和高频变压器，所述高频变压器的初级绕组连接于所述输入侧电路的输出端，所述高频变压器的次级绕组连接于所述负载侧电路的输入端；其中，所述输入侧电路包括隔离电源输入电路；所述高频变压器包括平板变压器，所述平板变压器中间包括两层由金属构成的屏蔽板，提高了电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN115051694A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210634567.9
申请日：2022-06-06
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明实施例提供了一种动态比较器及芯片，该动态比较器包括：预放大级，用于放大输入的差分信号得到放大信号；锁存级，所述锁存级与所述预放大级的输出端相连，用于锁存所述放大信号得到判决结果；牵引电路，所述牵引电路与所述预放大级的输出端连接，所述牵引电路中至少包括第一电容、第二电容及反向时钟，所述反向时钟设于所述第一电容及第二电容之间；当所述反向时钟处于上升沿时，所述第一电容和第二电容的电荷均保持不变，所述预放大级的输出端产生压差，使所述锁存级开启。该动态比较器引入牵引电路，加快了预放大级的速度，提高了比较器的判决速度。
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