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公开(公告)号：CN104393169A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410531733.8
申请日：2014-10-10
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器，该存储器SOT-MTJ基于垂直磁各向异性，除了包含有传统MTJ结构中的自由层、隧穿势垒层、参考层和反铁磁金属层，还额外添加了一层非铁磁金属层，并且优化了反铁磁金属层的材料，以及改进了隧穿势垒层的形状；该SOT-MTJ结构从下到上依次为底电极，非铁磁金属层，铁磁金属层一即自由层，楔形隧穿势垒层，铁磁金属层二即参考层，反铁磁金属层及顶电极共七层。本发明无需外部磁场即可进行写入操作，因而较之前的SOT-MRAM能耗更低，随工艺节点降低的等比微缩性也更优秀。
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公开(公告)号：CN113846304B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111419111.2
申请日：2021-11-26
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种靶头、磁控溅射靶枪及磁控溅射系统，靶头包括：烟囱，与供气管路相连通，烟囱设置有用于监测磁控溅射靶枪工作状态的监测结构；磁体结构，安装于烟囱内，磁体结构用于产生各种磁场，磁体结构的上方安装有靶材；烟囱包括：烟囱中段，为导电材料制成，靶材位于烟囱中段内；烟囱下段和烟囱上段，均为绝缘材料制成，烟囱下段和烟囱上段分别与烟囱中段的两端相连接。本发明的靶头，溅射出的靶材原子不会沉积到烟囱上段和烟囱下段的内壁面上，从而减小了由于靶材原子沉积到烟囱的内壁面上形成的薄膜与靶材接触而造成短路的风险，并且等离子体会集中在烟囱中段即靶材的周围，从而避免等离子体撞击靶头的其他部件，而造成其他部件被污染。
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公开(公告)号：CN113178220A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110435404.3
申请日：2021-04-22
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种超快电脉冲发生与探测装置及其使用方法，该超快电脉冲发生与探测装置包括：激光器和电脉冲发生器。该电脉冲发生器包括：光电材料层，包括一光控开关区，所述光控开关区用于响应所述激光器产生的激发光；绝缘层，形成于所述光电材料层上，其中，所述绝缘层与所述光控开关区对应的位置存在一开关结构，使所述光控开关区部分暴露或完全暴露；传输线，形成于所述绝缘层上。本发明的超快电脉冲发生与探测装置通过飞秒激发光对光电材料的激励，可以产生低至3.7ps的电脉冲，实现hGHz的信号产生。
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公开(公告)号：CN106711324A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611024304.7
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京航空航天大学
IPC: H01L43/12
CPC classification number: H01L43/12
Abstract: 本发明涉及一种磁性多层膜结构研制方法，在真空环境中集成了磁性多层膜结构的沉积，实时、原位磁性表征及界面调控。它有五大步骤：步骤一：磁性多层膜定制化制备参数标定。步骤二：薄膜沉积并根据需要进行界面调控。步骤三：界面调控作用研究。步骤四：特定功能层作用研究。步骤五：磁性多层膜磁特性定制化研制。本发明方法可以实现磁性多层膜沉积、表征和调控的连续、交互、快速操作，并且全程工作于高真空环境，避免了样品的粘污、吸水及氧化，可实现磁性多层膜磁特性的精确定制。
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公开(公告)号：CN103794715A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201410072318.0
申请日：2014-02-28
Applicant: 北京航空航天大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: 一种基于电压控制的磁存储器，该磁存储器的MTJ结构基于垂直磁各向异性即PMA，在经典MTJ结构即自由层、参考层和隧道势垒层的三层结构基础上，添加了一层隧穿势垒层；该磁存储器的MTJ结构从下到上由底电极，反铁磁金属混合层，铁磁金属一，氧化物一，铁磁金属二，氧化物二及顶电极共七层构成。本发明具有稳定的非易失性、高读写速度和无限读写次数等特点，由于其基于电压控制改变储存单元的磁化状态，改变存储单元的状态所需的电流较低，在保持高读写速度的同时，实现了低功耗以及高的功耗利用率。
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