公开(公告)号：CN216902809U

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202122967390.8

申请日：2021-11-29

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  单书珊 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  钟明琛 ,  宋彦斌 ,  吴峰霞 ,  刘春颖 ,  鹿祥宾 ,  刘波

IPC分类号： H01L21/67 ,  G02B21/26 ,  G02B21/24 ,  G02B21/06

摘要： 本实用新型实施例提供一种芯片局部涂覆装置，属于芯片分析处理设备技术领域，所述装置包括：机箱、涂覆装置、载物台和显微镜，所述机箱的一侧开设有涂覆作业口，所述涂覆装置包括涂覆探针，所述涂覆装置安装在所述机箱内部，且所述涂覆探针从所述涂覆作业口伸出至所述机箱外部，所述显微镜和所述载物台固定安装在所述涂覆作业口上下两侧的机箱上，且所述载物台位于所述涂覆作业口的下方，所述显微镜位于所述涂覆作业口的上方。通过涂覆装置在芯片坑洼或层数较少的部位涂覆覆盖材料，利用覆盖材料的遮挡性和粘附性对芯片坑洼或层数较少的部位形成保护膜，以实现在干法刻蚀和湿法刻蚀去层过程中仅将层数多的部位进行去层，使芯片处于同一层次。

公开(公告)号：CN216487316U

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202122885172.X

申请日：2021-11-23

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司 ,  国网信息通信产业集团有限公司

发明人： 宋彦斌 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  钟明琛 ,  单书珊

IPC分类号： G11B33/14 ,  G08C17/02 ,  G11B33/08

摘要： 本实用新型实施例提供一种电力数据记录装置，属于电力电子仪表技术领域。所述电力数据记录装置包括：采集模块，设置在被监测电力设备和/或电网端，用于采集对应被监测电力设备和/或电网的电力信息；通讯模块，与所述采集模块通讯连接，用于获取所述电力信息；存储模块，用于存储所述电力信息；所述通讯模块和所述存储模块设置在同一个黑匣子外壳中。本实用新型方案在保证数据传输链路稳定性的同时，保证存储模块在重大事故中不会被损坏。

公开(公告)号：CN115241183B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211122807.3

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L23/64

摘要： 本申请涉及半导体领域，提供一种电压钳位的超结器件及制造方法。所述超结器件包括有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构和电阻结构，所述平板电容结构与所述电阻结构串联连接构成RC吸收电路；所述RC吸收电路与源极和截止环区相连，用于对超结器件的漏源电压进行电压钳位。本申请在超结器件的终端区集成RC吸收电路，将器件漏源电压钳位在安全电压值范围内，可以减缓器件电压电流振铃，防止器件因过压击穿而损坏；充分利用超结器件终端区芯片面积，不需要额外占用超结器件有源区面积，不会引起超结器件其它参数的退化，提高系统的集成度和可靠性。

公开(公告)号：CN114937695A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210875537.7

申请日：2022-07-25

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 陈燕宁 ,  赵东艳 ,  王于波 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  余山 ,  郁文 ,  邓永峰 ,  王凯

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

摘要： 本发明提供一种双沟道LDMOS器件及其制备方法以及芯片，属于半导体集成电路技术领域。该LDMOS器件包括半导体衬底以及设置在半导体衬底上的漂移区、体区、源极区、漏极区和栅极结构；栅极结构设置在半导体衬底上方，且栅极结构的下表面一端与第一体区相接，另一端与第一漂移区相接；栅极结构的上表面一端与第二体区相接，另一端与第二漂移区相接；第二体区位于第一体区上方；第二漂移区位于第一漂移区上方；第一漏极区形成在第一漂移区内，第二漏极区形成在第二漂移区内；第一源极区形成在第一体区内，第二源极区形成在第二体区内；第一漏极区与第二漏极区通过第一金属连接结构连通，第一源极区与第二源极区通过第二金属连接结构连通。

公开(公告)号：CN114242696B

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202210171602.8

申请日：2022-02-24

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  陈燕宁 ,  郁文 ,  刘芳 ,  吴波 ,  余山 ,  王凯 ,  刘倩倩 ,  董广智

IPC分类号： H01L23/64

摘要： 本发明提供一种MIM电容及其制备方法。该方法包括：在半导体衬底上制作电极；形成第一介质层；在第一介质层制作第一通孔和第一段第二通孔，在第一通孔中形成与下极板电极连接的下极板金属连接结构，在第一段第二通孔中形成与上极板电极连接的第一段上极板金属连接结构；在第一介质层上制作下极板；形成第二介质层；在第二介质层制作第二段第二通孔，在第二段第二通孔中淀积金属，形成第二段上极板金属连接结构；在第二介质层上制作上极板。上述制备过程中，干法刻蚀形成通孔的过程中不会刻蚀到上极板和下极板，不会在上极板和下极板的任一个表面沉积等离子体电荷，不会影响金属在通孔内的粘附性，从而提升MIM电容的可靠性。

公开(公告)号：CN114222142A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202210165456.8

申请日：2022-02-23

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  复旦大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  潘成 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  薛晓勇 ,  董广智 ,  赵法强 ,  李秀伟 ,  姜静雯 ,  郭之望

IPC分类号： H04N19/70 ,  G06N3/04

摘要： 本申请实施例提供一种基于脉冲神经网络的图像编码方法及装置，属于神经计算及图像处理技术领域。方法包括：获取待处理图像；对于待处理图像中的每一像素点，获取像素点的特征属性，依据像素点的特征属性确定像素点的信息强度值；将像素点编码为表征像素点在预设时间窗口内对应的脉冲发放时刻的时域编码数据，并以时域编码数据作为待处理数据输入输入神经元，像素点对应的脉冲发放时刻与像素点的信息强度值负相关。本申请通过将像素点的信息强度值近似线性地映射到预设时间窗口内的脉冲发放时刻，使得输入输入神经元的像素点的信息强度值越高，输入神经元的脉冲发放时间越早，从而有助于提高有效数据的区分度，降低数据处理的延时和计算复杂度。

公开(公告)号：CN112574529B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202011349297.4

申请日：2020-11-26

申请人： 北京智芯微电子科技有限公司 ,  北京芯可鉴科技有限公司 ,  天津大学

发明人： 赵东艳 ,  王于波 ,  邵瑾 ,  李秀伟 ,  甄岩 ,  于秋生 ,  彭业凌 ,  黄海潮 ,  赵扬 ,  董广智 ,  王文赫 ,  朱艳吉 ,  申小松 ,  汪怀远

IPC分类号： C08L63/00 ,  C08K3/38 ,  C08K7/26 ,  C08K3/28 ,  C08K7/24 ,  C08G59/50 ,  C09K5/14

摘要： 本发明涉及高分子材料技术领域，公开了一种导热绝缘复合材料，所述复合材料包括10‑25重量份的多孔填料、30‑65重量份的聚合物、10‑25重量份的固化剂以及0‑55重量份的导热填料；其中，所述多孔填料选自泡沫陶瓷和/或泡沫镍。本发明提供的导热绝缘复合材料，引入了多孔填料，构建了网状结构，尤其是当多孔填料为泡沫陶瓷时，能够很好地利用骨架材料的增强作用，使得所述复合材料导热绝缘性能优异，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115062730B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210944464.2

申请日：2022-08-08

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 王于波 ,  赵东艳 ,  翟振 ,  陈燕宁 ,  董广智 ,  张东

IPC分类号： G06F18/24 ,  G06F18/214 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0442 ,  G06V10/764 ,  G01R31/58 ,  G01R31/54

摘要： 本公开涉及电力设备技术领域，具体涉及一种输电线检测方法、模型训练方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取输电线状态采集器采集的至少一组采集器状态数据，并根据至少一组采集器状态数据获取至少一组输电线状态数据；对至少一组输电线状态数据进行检测，以生成输电线状态检测结果；响应于至少两组连续的输电线状态数据的检测结果均满足状态数据超标条件，生成输电线断落故障信息。该方案可以在耗费较少资源的前提下，准确的确定两个输电线塔之间的目标输电线是否出现了断落故障，从而改善了检测效率，并提高了检测的准确率。

公开(公告)号：CN115224113B

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211124222.5

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊 ,  杨毓龙

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

摘要： 本发明提供一种横向超结器件、横向绝缘栅双极晶体管及制造方法，属于芯片领域。该横向超结器件包括：P型衬底、P柱、N柱、栅极结构、源极结构和漏极结构；栅极结构包括多晶硅栅，多晶硅栅与漏极结构之间设置有场氧化层；场氧化层上方还设置有多晶硅场板，多晶硅场板上方设置有金属场板；多晶硅场板包括多段多晶硅微场板，金属场板包括多段金属微场板，多段金属微场板对应设置在多段多晶硅微场板上方，首级金属微场板通过接触孔与多晶硅栅相连，后一级金属微场板通过接触孔与前一级多晶硅微场板相连，末级金属微场板通过接触孔与漏极结构相连。横向超结器件中的电容耦合结构能减弱表面电荷对横向超结器件电场的影响。

公开(公告)号：CN115224024B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN202211124223.X

申请日：2022-09-15

申请人： 北京芯可鉴科技有限公司 ,  北京智芯微电子科技有限公司

发明人： 赵东艳 ,  肖超 ,  陈燕宁 ,  邵瑾 ,  董广智 ,  付振 ,  刘芳 ,  张泉 ,  尹强 ,  田俊

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L23/64

摘要： 本申请涉及半导体领域，提供一种集成栅漏电容的超结器件及制造方法。所述超结器件包括：有源区和终端区，所述有源区包括源极、栅极和体区，所述终端区包括截止环区，所述终端区集成有平板电容结构；所述平板电容结构与所述栅极以及所述截止环区相连，所述平板电容结构作为超结器件的栅漏电容。本申请在终端区集成与栅极和截止环区相连的平板电容结构，该平板电容结构作为栅漏电容，可以减小超结器件电容的非线性特性，从而增加栅极驱动对超结器件栅极的可控性，减缓超结器件的电压、电流振铃，防止电压击穿损坏器件，改善了器件的EMI品质。