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公开(公告)号：CN103741116B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410040025.4
申请日：2014-01-27
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/56 , B01D17/022
Abstract: 本发明的金刚石网及其分离油水混合物和转移液滴的应用，属于材料表面浸润性质应用的技术领域。金刚石网由金属网衬底与金刚石涂层构成；金刚石涂层是连续的CVD金刚石膜，并经过氢终止或氧终止表面处理；金属网衬底是微米孔径尺寸的铜网、钛网或不锈钢网。本发明金刚石涂层具有优良的耐强酸强碱的化学稳定性，并且当涂层表面为氢终止时体现为超疏水性，同时具有超亲油性，当涂层表面为氧终止时体现为亲水性，氢终止或氧终止表面能够相互转换，因此可以在任何酸碱度条件下实现高效油水分离和液滴转移；油水分离或液滴转移后的金刚石网经清水清洗后，可重复多次使用，性能没有任何变化，具备了自清洁性。
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公开(公告)号：CN102560687A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110455720.3
申请日：2011-12-31
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B33/12
Abstract: 本发明的一种金刚石纳米坑阵列及其制备方法属于金刚石纳米结构的技术领域。金刚石纳米坑阵列，是在(100)面金刚石单晶表面刻蚀成平均密度为0.5×109～1.5×109cm-2的纳米坑，纳米坑的纵截面形状为倒梯形，坑口宽度80～150纳米；纳米坑内可以置有金纳米颗粒。制备方法是清洁金刚石单晶表面，利用离子溅射法溅镀金膜，用微波激发氧等离子体对覆有金膜的金刚石单晶进行刻蚀。本发明具有操作简单，成本低，可大面积生产，刻蚀气体安全无污染等优点；将纳米金的广泛应用与金刚石的优异特性相结合，为金纳米颗粒提供稳定的基底，能改善金纳米颗粒在应用中所存在的易聚合及加入稳定剂造成表面污染的问题。
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公开(公告)号：CN118748306A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410753147.1
申请日：2024-06-12
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/454 , H01M50/431 , H01M50/437 , H01M10/36 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种锌离子电池隔膜修饰改性的方法，属于锌离子电池隔膜改性技术领域。本发明将纳米金刚石经超声分散，得到纳米金刚石水基分散液，用于修饰改性隔膜。纳米金刚石修饰改性的隔膜具有良好的力学性能、合适的孔隙结构，可以调节锌离子的传输性质，对锌负极表面起到保护作用。将纳米金刚石修饰改性的隔膜用到锌离子电池，所组装的对称电池、不对称电池、全电池具有高循环稳定性、高库伦效率、良好可逆比容量与保持率。本发明的纳米金刚石修饰隔膜材料，提升了锌离子电池的容量和循环稳定性，具有良好的成本效益和工业前景。
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公开(公告)号：CN117551981A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311351614.X
申请日：2023-10-18
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明提供了一种采用电沉积制备ZnO@BDD薄膜的方法，属于金刚石薄膜技术领域。本发明通过电化学沉积的方法，在掺硼金刚石衬底上制备氧化锌薄膜，形成ZnO@BDD复合结构。在制备氧化锌和掺硼金刚石复合结构薄膜时，沉积电压的调节非常重要，沉积电压在其形成微米级别的锥形结构和取向分布中，起到较大作用。在‑0.7V到‑1.1V恒电位沉积条件下，所形成的结构取向分布，提供了更多活性位点，通过测试表明，具有更好的电化学性能电极。组成的对称性超级电容器具有较好稳定性和可重复使用性，并且制备方法工艺简单，便于大规模制备。
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公开(公告)号：CN114156482B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111456005.1
申请日：2021-12-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/66 , H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石电解液和纳米金刚石固体电解质界面的制备方法。本方法具体是通过紫外UV处理纳米金刚石得到氧终端纳米金刚石颗粒，并均匀分散至商用LiPF6电解液制备纳米金刚石电解液。以石墨为负极，锂片为正极，使用纳米金刚石电解液在无水无氧的环境中制得锂离子电池，并在蓝电测试系统上进行充放电循环。在充放电循环过程中，纳米金刚石电解液中的纳米金刚石颗粒在电场力作用下与锂离子一起移动至石墨负极，最终在石墨阳极表面构建纳米金刚石界面。本发明可抑制锂枝晶和负极材料体积膨胀，而且具有较低的界面电阻，利于锂离子的固相扩散，展示出了比容量高、循环性能好、充放电库伦效率高等优良的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113125536A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110345262.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种用于检测苯胺的电化学传感器电极材料的制备方法属于电化学传感器的技术领域，具体步骤为：以P型掺杂单晶硅片为衬底，通过手动研磨法或超声震荡法，利用微米金刚石粉对硅片表面进行处理，并利用酒精清洗，然后利用微波等离子体化学气相沉积方法沉积硼、氮共掺杂金刚石薄膜，得到用于检测苯胺的电化学传感器电极材料。本申请制备的电极材料具有良好的电化学性能，以其为工作电极对苯胺进行电化学检测，实现了极高的检测灵敏度，同时检测范围大，重复性好。
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公开(公告)号：CN110867565B
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN201910686969.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一种碳包覆硅和氧化锌复合电极材料的制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，主要步骤包括将CTAB、NaOH和EDA的乙醇溶液在搅拌下依次滴入Zn(AC)2·2H2O的乙醇溶液中形成淡黄色沉淀、加入SiO和多孔碳继续搅拌30min并加热8h、将沉淀物用氨水蚀刻洗涤至中性并干燥得到固体粉末、将粉末退火研磨。本发明制备的新型复合材料具有良好的电化学性能，用其制作的锂离子电池负极，具有良好的循环稳定性和较高的容量。
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公开(公告)号：CN111118471A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN202010040561.X
申请日：2020-01-15
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/511 , C23C16/56 , C30B28/14 , C30B29/04 , C30B29/64
Abstract: 本发明的一种高质量多晶金刚石膜制备方法，属于多晶金刚石膜生长的技术领域。主要步骤包括低质量自支撑化学气相沉积金刚石膜的生长、高温退火、超声清洗、MPCVD设备中二次生长等。本发明首先通过高速生长过程获得自支撑金刚石膜，然后在高温退火后，继续生长得到高质量膜。该方法可以大幅提高自支撑金刚石膜制备效率，有利于促进金刚石应用的拓展。
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公开(公告)号：CN110867565A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910686969.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/48 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的一种碳包覆硅和氧化锌复合电极材料的制备方法属于锂离子电池负极材料的技术领域，主要步骤包括将CTAB、NaOH和EDA的乙醇溶液在搅拌下依次滴入Zn(AC)2·2H2O的乙醇溶液中形成淡黄色沉淀、加入SiO和多孔碳继续搅拌30min并加热8h、将沉淀物用氨水蚀刻洗涤至中性并干燥得到固体粉末、将粉末退火研磨。本发明制备的新型复合材料具有良好的电化学性能，用其制作的锂离子电池负极，具有良好的循环稳定性和较高的容量。
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公开(公告)号：CN109881248A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910182374.2
申请日：2019-03-12
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B25/20 , C30B29/04 , C23C16/27 , H01L29/16 , H01L29/167
Abstract: 本发明的氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料及其制备方法，属于半导体材料的技术领域。氮硫共掺杂n型半导体金刚石材料是以HTHP或CVD方法生长的金刚石单晶为籽晶，在籽晶上生长有N-S共掺杂的金刚石单晶外延层；氮、硫掺杂浓度为1015～1017/cm3。制备中使用H2S或SO2作为S源，N2或NH3为氮源，通过CVD生长样品，制得N-S共掺杂金刚石单晶材料，该材料具有n型导电特征。本发明提出了一种新的掺杂方式，得到稳定的浅能级n型金刚石单晶材料，解决了目前n型金刚石材料施主能级深，载流子浓度低、迁移率小、电阻率高等难题，满足电子器件制作要求，实现高性能金刚石基电子器件的制备和应用。
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