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公开(公告)号：CN103603048A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310279780.3
申请日：2013-07-04
摘要： 本发明提供一种改进碳化硅外延片均匀性的方法，可用来生长厚度均匀的碳化硅外延片。通过在反应腔体的气流下方安装气流阻挡环，然后将碳化硅衬底置于支撑台上，再将反应腔体内加热到外延所需温度，通入反应气体和载气，最终在碳化硅衬底上形成碳化硅外延层。本发明获得的碳化硅外延片厚度更均匀，且装置简单，为改善传统设备最可行和最为廉价的方法，不需要过多的成本投入，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN103556219A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310529179.5
申请日：2013-10-31
摘要： 本发明提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其中由外至内依次设置加热线圈、石英壁、石墨软毡、石墨支撑层和由其围成的反应腔，反应腔两端分别设有进气装置和出气装置，石墨支撑层内壁镀有镀层，并排设置的补气管为与圆柱形轴向平行通过石墨软毡并垂直通过石墨支撑层的L型补气管，补气管内壁镀有镀层。该装置中的补气管提供的气体对气流下方起到了补偿作用，使得气流上方和下方的浓度分布趋于一致，使得碳化硅外延层的厚度均匀性得以改进；抑制了气体中的气相成核，可提高生长速率，可快速制备超厚高度均匀碳化硅外延片。且该生长装置结构简单，制作简单，实施简单，制造成本低，外延生长速率快，质量优良，容易安装和操作，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN106611700A
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510685847.2
申请日：2015-10-21
IPC分类号： H01L21/04
CPC分类号： H01L21/045
摘要： 本发明公开了一种碳化硅表面氧化膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：1)清洗包括衬底(11)和外延薄膜(12)的碳化硅材料(10)；2)对所述外延薄膜(12)的上表面进行氧等离子体处理；3)高温下氢气预处理步骤2)所得样品(13)；4)氧化步骤3)所得样品(14)，得氧化膜(15)。本发明方法通过于碳化硅氧化膜形成前进行碳化硅表面钝化，提高碳化硅氧化膜质量，降低碳化硅/二氧化硅界面态密度，该方法简单易行，适用于大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN103556219B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310529179.5
申请日：2013-10-31
摘要： 本发明提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其中由外至内依次设置加热线圈、石英壁、石墨软毡、石墨支撑层和由其围成的反应腔，反应腔两端分别设有进气装置和出气装置，石墨支撑层内壁镀有镀层，并排设置的补气管为与圆柱形轴向平行通过石墨软毡并垂直通过石墨支撑层的L型补气管，补气管内壁镀有镀层。该装置中的补气管提供的气体对气流下方起到了补偿作用，使得气流上方和下方的浓度分布趋于一致，使得碳化硅外延层的厚度均匀性得以改进；抑制了气体中的气相成核，可提高生长速率，可快速制备超厚高度均匀碳化硅外延片。且该生长装置结构简单，制作简单，实施简单，制造成本低，外延生长速率快，质量优良，容易安装和操作，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN105869996A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610262594.2
申请日：2016-04-25
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
CPC分类号： H01L21/02661 , C30B25/02 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02634
摘要： 本发明提供一种碳化硅外延生长系统及其生长方法。本发明提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本发明提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN203474963U
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201320397113.0
申请日：2013-07-04
摘要： 本实用新型提供一种改进碳化硅外延片均匀性的设备，可用来生长厚度均匀的碳化硅外延片。通过在反应腔体的气流下方安装一个弧形气流阻挡环，然后将碳化硅衬底置于支撑台上，再将反应腔体内加热到外延所需温度，通入反应气体和载气，最终在碳化硅衬底上形成碳化硅外延层。通过本实用新型提供的设备制得的碳化硅外延片厚度更均匀，且装置简单，为改善传统设备最可行和最为廉价的方法，不需要过多的成本投入，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN205595335U
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201521074860.6
申请日：2015-12-21
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28
摘要： 本实用新型公开了一种新型栅结构，所述栅结构包括同平面设置的具有电极引线的栅pad区域(11)，以栅pad区域(11)为中心的发射状汇流条(12)和环状汇流条(13)，所述发射状汇流条(12)和所述环状汇流条(13)与周围元胞栅相连。本实用新型栅结构的网状汇流条有助于栅电压的扩展，缓解了由于栅电压扩展延迟造成的距栅pad较远的元胞开启延迟的问题，有助于提高器件性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN203559154U
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201320684806.8
申请日：2013-10-31
摘要： 本实用新型提出了一种碳化硅外延生长装置，该装置为圆柱形，其反应腔由内至外依次设置石墨支撑层、石墨软毡、石英壁和加热线圈，并排设置的L型补气管平行于圆柱形的轴向通过石墨软毡并垂直通过石墨支撑层且正对石墨支撑层中部，补气管进气端装有气体流量计。该装置中的补气管提供的气体对气流下方起到了补偿作用，使得气流上方和下方的浓度分布趋于一致，使得碳化硅外延层的厚度均匀性得以改进；抑制了气体中的气相成核，可提高生长速率，可快速制备超厚高度均匀碳化硅外延片。且该生长装置结构简单，制作简单，实施简单，制造成本低，容易安装和操作，外延生长速率快，质量优良，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN205845906U
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201620356478.2
申请日：2016-04-25
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本实用新型提供一种碳化硅外延生长系统。本实用新型提供的外延系统可进行慢速生长、快速生长、N型掺杂、P型掺杂、单层外延生长、多层外延生长、薄膜外延层生长、厚膜外延层生长、选择性刻蚀等多种功能性的碳化硅外延生长；该系统可依据外延结构要求选择生长模式，生长适合的外延材料。本实用新型提供的技术方案生长的外延材料质量更优，缺陷更少，更适合应用于高电压电力电子器件中；其适合范围广、生长方法简单、加工成本低，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN108257861A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611238003.4
申请日：2016-12-28
申请人： 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网江苏省电力公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L29/06
摘要： 本发明提供了一种栅氧化层的制备方法及MOS功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理，形成光滑的钝化表面；对碳化硅外延片依次进行高温干氧氧化和磷气氛下的氧化后退火，在光滑的钝化表面上形成栅氧化层。与现有技术相比，本发明提供的一种栅氧化层的制备方法及MOS功率器件，能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷。
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