公开(公告)号：CN105074933B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201480008899.X

申请日：2014-02-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 内田光亮 ,  增田健良 ,  斋藤雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/049 ,  H01L21/045 ,  H01L29/045 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 沟槽(TR)具有分别由第一至第三半导体层(121至123)构成的第一至第三侧表面(SW1至SW3)。在第一绝缘膜(210)中包括的第一侧壁部(201S)具有分别位于第一至第三侧表面(SW1至SW3)上的第一至第三区域(201a至201c)。第二绝缘膜(202)具有位于第一侧壁部(201S)上的第二侧壁部(202S)。第二侧壁部(202S)具有一端(E1)和另一端(E2)，一端(E1)连接到第二绝缘膜的第二底部(202S)，另一端(E2)位于第一区域(201a)或第二区域(201b)中的一个上，且距第三区域(201c)一定距离。因此，可以使得栅电极电容小。

公开(公告)号：CN104465730B

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201410412444.6

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/78684

Abstract: 实施方式的半导体装置具备SiC层、设置在上述SiC层的表面上的栅绝缘膜和设置在栅绝缘膜上的栅电极，所述栅绝缘膜含有与上述SiC层的表面接触的氧化膜或氧氮化膜，所述氧化膜或氧氮化膜含有选自B(硼)、Al(铝)、Ga(镓)、In(铟)、Sc(钪)、Y(钇)、La(镧)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)中的至少1种元素，栅绝缘膜中的上述元素的峰位于栅绝缘膜的SiC侧，上述元素的峰位于氧化膜或氧氮化膜中，并且在峰的与所述SiC层相反的一侧具有元素的浓度为1×1016cm‑3以下的区域。

公开(公告)号：CN106030757A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580009268.4

申请日：2015-01-27

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J.J.麦克马洪 ,  L.D.斯特瓦诺维奇 ,  S.D.阿瑟 ,  T.B.戈尔奇卡 ,  R.A.博普雷 ,  Z.M.斯坦 ,  A.V.波罗特尼科夫

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068

Abstract: 提出了半导体装置。该装置包括半导体层，该半导体层包括碳化硅，并且具有第一表面和第二表面。栅极绝缘层设置于半导体层的第一表面的一部分上，并且栅极电极设置于栅极绝缘层上。该装置进一步包括氧化物，该氧化物设置于栅极绝缘层与栅极电极之间在与栅极电极的边缘相邻的拐角处，以便栅极绝缘层具有在拐角处比在层的中心处的厚度大的厚度。还提供用于制作装置的方法。

公开(公告)号：CN102227812A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201080003346.7

申请日：2010-07-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 和田圭司 ,  玉祖秀人

IPC: H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/0445 ,  H01L21/045 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7802

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件具有的构造能够实现抑制绝缘构件中的电特性劣化。提供了n-SiC层(12)、形成在n-SiC层(12)的主表面上的源极接触电极(16)、被布置成与n-SiC层(12)的主表面上的源极接触电极(16)隔开一段距离的栅电极(17)以及位于源极接触电极(16)和栅电极(17)之间的层间绝缘膜(210)。在源极接触电极(16)和层间绝缘膜(210)彼此相邻的同时执行加热至不高于1200℃的温度时，层间绝缘膜(210)中的电阻降低率不高于5％。

公开(公告)号：CN101356649B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200680050811.6

申请日：2006-12-21

Applicant: 克里公司

Inventor： A·沃德三世 ,  J·P·亨宁

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/314 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/045 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/24 ,  H01L29/405 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/732 ,  H01L29/74 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 一种用于碳化硅中高电场半导体器件的改进的终止结构。该终止结构包括用于高电场工作的基于碳化硅的器件，器件中的有源区，有源区的边缘终止钝化，其中边缘终止钝化包括，位于器件的至少一些碳化硅部分上的用于满足表面状态和降低界面密度的氧化物层，位于氧化物层上用于避免氢的结合且用于减小寄生电容和最小化捕获的氮化硅的非化学计量层，以及，位于非化学计量层上用于密封非化学计量层和氧化物层的氮化硅的化学计量层。

公开(公告)号：CN104078514B

公开(公告)日：2017-10-31

申请号：CN201410113715.8

申请日：2014-03-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·拉普 ,  C·黑希特 ,  J·康拉斯 ,  W·伯格纳 ,  H-J·舒尔策 ,  R·埃尔佩尔特

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/772 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/045 ,  H01L21/046 ,  H01L21/047 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/565 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提出了一种碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包含碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分第横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。

公开(公告)号：CN104465730A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410412444.6

申请日：2014-08-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水达雄

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/518 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02161 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/32105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/511 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28008

Abstract: 实施方式的半导体装置具备SiC层、设置在上述SiC层的表面上的栅绝缘膜和设置在栅绝缘膜上的栅电极，所述栅绝缘膜含有与上述SiC层的表面接触的氧化膜或氧氮化膜，所述氧化膜或氧氮化膜含有选自B(硼)、Al(铝)、Ga(镓)、In(铟)、Sc(钪)、Y(钇)、La(镧)、Mg(镁)、Ca(钙)、Sr(锶)、Ba(钡)中的至少1种元素，栅绝缘膜中的上述元素的峰位于栅绝缘膜的SiC侧，上述元素的峰位于氧化膜或氧氮化膜中，并且在峰的与所述SiC层相反的一侧具有元素的浓度为1×1016cm-3以下的区域。

公开(公告)号：CN103930973A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280041907.1

申请日：2012-06-26

Applicant: 科锐

Inventor： S.达 ,  L.程 ,  S-H.刘 ,  A.K.阿加瓦尔 ,  J.W.帕尔穆尔 ,  E.马基 ,  J.古尔加努斯 ,  D.J.利希滕瓦尔纳

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/314 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 本文公开了沟道迁移率增强的半导体器件及其制造方法的实施方案。在一个实施方案中，半导体器件包括这样的基底，其包括沟道区和沟道区上方的基底上的栅堆栈。栅堆栈包含碱土金属。在一个实施方案中，碱土金属为钡(Ba)。在另一个实施方案中，碱土金属为锶(Sr)。碱土金属导致半导体器件的沟道迁移率显著改进。

公开(公告)号：CN1541404A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN02811637.2

申请日：2002-03-26

Applicant: 克里公司

Inventor： M·K·达斯 ,  L·A·利普金 ,  J·W·帕尔穆尔 ,  S·舍帕 ,  H·哈格莱特纳

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/316 ,  H01L29/51 ,  H01L21/768 ,  H01G4/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/20 ,  H01G4/33 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94

Abstract: 提出一种具有氧化层、介电材料层和在所述介电材料层上的第二氧化层的碳化硅的电容和互连结构。氧化层的厚度是所述各氧化层和介电材料层的厚度的总和的大约百分之0.5到百分之33。还提出具有氮氧化硅层作为介电材料层的碳化硅电容和互连结构。这种介电结构可以设置在金属层之间，以便形成金属－绝缘体－金属电容或可用作互连结构的金属间电介质、以便形成具有改善的平均无故障时间的器件和结构。还提出制造这种电容和结构的方法。

公开(公告)号：CN1336010A

公开(公告)日：2002-02-13

申请号：CN99811468.5

申请日：1999-08-27

Applicant: 克里公司

Inventor： 劳里·A·里浦金 ,  约翰·W·帕尔莫

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L28/40 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/408 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/94 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种用于碳化硅基半导体器件的电介质结构。在栅极器件中,该结构包括碳化硅层,位于碳化硅层上的二氧化硅层,位于二氧化硅层上的另一绝缘材料层,该绝缘材料具有的介电常数大于二氧化硅的介电常数,和与绝缘材料接触的栅极接触。在另一器件中,电介质结构形成增强的钝化层或者场绝缘体。