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公开(公告)号：CN104995742B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480008328.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 木本贤治
IPC: H01L31/0376 , H01L31/075
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/03762 , H01L31/075 , Y02E10/548
Abstract: 本申请是一种光电转换元件，包括半导体本征层(4)、第一导电型层(6)、第二导电型层(8)、覆盖所述本征层(4)的一部分的第一绝缘层(5)、第一电极(9)以及第二电极(10)，其特征在于，所述第一导电型层(6)的一部分以及所述第二导电型层(8)的一部分位于所述本征层(4)和所述第一绝缘层(5)相接的区域的上方。(1)、在该半导体(1)上设置且含有氢化非晶硅的
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公开(公告)号：CN104995747B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201480008279.6
申请日：2014-03-27
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 木本贤治
IPC: H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/075 , Y02E10/50
Abstract: 一种光电转换元件，包括在第一导电型的半导体上设置且含有氢化非晶硅的本征层、覆盖本征层的一部分且含有第一导电型的氢化非晶硅的第一导电型层、含有第二导电型的氢化非晶硅的第二导电型层以及绝缘层，第一电极经由第二导电型层设置在第一导电型层上，并且，第一电极的至少一部分位于第一导电型层和本征层相接的区域的上方，第二电极的至少一部分位于第二导电型层和本征层相接的区域的上方。
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公开(公告)号：CN105684159A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058657.1
申请日：2014-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L21/28 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/036 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态硅层上的电极的接触电阻变大，从而提高元件特性的光电转换装置。光电转换元件(10)具备硅基板(12)、第1非晶态半导体层(20n)、第2非晶态半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。一方的电极(22n)包括第1导电层(26n、26p)和第2导电层(28n、28p)。第1导电层(26n、26p)将第1金属作为主要成分。第2导电层(28n、28p)包含比第1金属更容易被氧化的第2金属，与第1导电层(26n、26p)相接地形成，并且与第1导电层(26n、26p)相比更配置于硅基板(12)的附近。
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公开(公告)号：CN105659388A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201480058321.5
申请日：2014-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
CPC classification number: H01L31/036 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/0747 , H02S10/00 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种能够抑制包含杂质的非晶态半导体层与形成于该非晶态半导体层上的电极的接触电阻变高，从而提高元件特性的光电转换元件。光电转换元件(10)具备半导体基板(12)、第1半导体层(20n)、第2半导体层(20p)、第1电极(22n)和第2电极(22p)。第1半导体层具有第1导电类型。第2半导体层具有第2导电类型。第1电极形成于第1半导体层上。第2电极形成于第2半导体层上。第1电极包括形成于第1半导体层上的第1透明导电层(26n)和形成于第1透明导电层上的第1金属层(28n)。第1金属层包括第1金属层的面内方向上的平均晶体粒径大于第1金属层的厚度的多个金属晶粒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104662673B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201380049902.8
申请日：2013-09-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种光电转换元件及其制造方法，该光电转换元件包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在该半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在该第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在该第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在该第三非晶膜上，该第一导电性氧化物层的导电率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的导电率低，该第一导电性氧化物层的透过率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的透过率高。
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公开(公告)号：CN103023339B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210353489.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B60L8/003 , B60L15/007 , B60L50/51 , B60L53/22 , B60L58/20 , B60L2210/10 , H02J7/35 , H02M3/33592 , H02M3/3372 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7072 , Y02T10/7083 , Y02T10/7216 , Y02T10/92 , Y02T90/127 , Y02T90/14
Abstract: 一种推挽电路，包括：推挽式的第一开关元件和第二开关元件；第一整流器元件；第三开关元件，用于将路径导通和切断，该路径从所述第一开关元件与电感负载之间的连接点开始，经过所述第一整流器元件，到达DC电源和所述电感负载的中心抽头之间的连接点；第二整流器元件；以及第四开关元件，用于将路径导通和切断，该路径从所述第二开关元件和所述电感负载之间的连接点开始，经过所述第二整流器元件，到达所述DC电源与所述电感负载的中心抽头之间的连接点。
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公开(公告)号：CN104662673A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380049902.8
申请日：2013-09-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0376 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种光电转换元件及其制造方法，该光电转换元件包括：第一导电型的半导体基板；第一导电型的第一非晶膜，设置在该半导体基板的一个表面的整个面；第一导电性氧化物层，设置在该第一非晶膜上；第一导电型的第二非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的一部分；第二导电性氧化物层，设置在该第二非晶膜上；第二导电型的第三非晶膜，设置在该半导体基板的另一个表面的其他的一部分；以及第三导电性氧化物层，设置在该第三非晶膜上，该第一导电性氧化物层的导电率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的导电率低，该第一导电性氧化物层的透过率比该第二导电性氧化物层以及该第三导电性氧化物层的透过率高。
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公开(公告)号：CN103023339A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210353489.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B60L8/003 , B60L15/007 , B60L50/51 , B60L53/22 , B60L58/20 , B60L2210/10 , H02J7/35 , H02M3/33592 , H02M3/3372 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , Y02T10/7066 , Y02T10/7072 , Y02T10/7083 , Y02T10/7216 , Y02T10/92 , Y02T90/127 , Y02T90/14
Abstract: 一种推挽电路，包括：推挽式的第一开关元件和第二开关元件；第一整流器元件；第三开关元件，用于将路径导通和切断，该路径从所述第一开关元件与电感负载之间的连接点开始，经过所述第一整流器元件，到达DC电源和所述电感负载的中心抽头之间的连接点；第二整流器元件；以及第四开关元件，用于将路径导通和切断，该路径从所述第二开关元件和所述电感负载之间的连接点开始，经过所述第二整流器元件，到达所述DC电源与所述电感负载的中心抽头之间的连接点。
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公开(公告)号：CN101425541A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810184257.1
申请日：2008-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , G02F1/133 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种半导体元件及采用该半导体元件的装置，通过以较低的电压进行高速的写入及擦除动作，且抑制重写劣化，以低成本提供存储窗大且可靠性高的存储器元件。存储器元件具有：设于绝缘衬底上的半导体层；为P型导电类型的第一扩散层区域及第二扩散层区域；将第一扩散层区域和第二扩散层区域之间的沟道区域覆盖并可从沟道区域注入电荷的电荷蓄积膜；隔着电荷蓄积膜位于沟道区域的相反侧的栅极电极。
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