辐射敏感组合物、非晶膜和抗蚀图案形成方法

    公开(公告)号:CN107407874A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201680020207.2

    申请日:2016-03-17

    Abstract: 一种辐射敏感组合物,其含有抗蚀基材(A)、重氮萘醌光活性化合物(B)以及溶剂(C),该组合物中的前述溶剂(C)的含量为20~99质量%,前述溶剂(C)之外的成分的含量为1~80质量%,前述抗蚀基材(A)为下述式(1)所示的化合物。(式(1)中,R1为碳数1~30的2n价基团,R2~R5各自独立地表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、碳数2~10的烯基、碳数1~30的烷氧基、卤素原子、巯基、或羟基,其中,至少一个R4和/或至少一个R5为选自羟基和巯基中的1种以上,m2和m3各自独立地为0~8的整数,m4和m5各自独立地为0~9的整数,其中,m4和m5不同时为0,n为1~4的整数,p2~p5各自独立地为0~2的整数。)

    光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法

    公开(公告)号:CN107949808B

    公开(公告)日:2021-10-22

    申请号:CN201680050394.9

    申请日:2016-08-25

    Abstract: 本实施方式提供一种光刻用下层膜形成材料,其含有下述式(1)所示的化合物或包含源自下述式(1)所示的化合物的结构单元的树脂中的至少任一种。式(1)中,R1为碳数1~60的2n价基团或单键,R2各自独立地为卤素原子、碳数1~10的直链状、支链状或者环状的烷基、碳数6~10的芳基、碳数2~10的烯基、碳数1~30的烷氧基、硫醇基、羟基或羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团,在同一萘环或苯环中可以相同也可以不同,此处,至少1个R2为羟基的氢原子被酸解离性基团取代而成的基团,n为1~4的整数,n为2以上的整数时,n个[]内的结构单元的结构式可以相同也可以不同,X表示氧原子、硫原子或未桥接,m2各自独立地为0~7的整数,其中,至少1个m2为1~7的整数,q各自独立地为0或1。

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