氧化镁烧成物粉末
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101362946B

    公开(公告)日:2013-02-06

    申请号:CN200810129839.X

    申请日:2008-08-07

    Abstract: 本发明涉及氧化镁烧成物粉末。本发明提供一种氧化镁粉末,其当被由Xe气体的气体放电而产生的紫外光激发时,高效率地放出波长250nm附近的紫外光。氧化镁烧成物粉末是烧成粉末混合物而获得的氧化镁烧成物粉末,所述粉末混合物含有氧化镁源粉末、以及选自碱金属、镁以外的碱土类金属、稀土类金属、铝、锌和锡的至少1种辅助金属的氟化物的粉末,其相对于氧化镁源粉末中的镁100摩尔以0.05~30摩尔量含有氟化物。

    等离子体显示面板用的前面板

    公开(公告)号:CN102655069A

    公开(公告)日:2012-09-05

    申请号:CN201210052848.X

    申请日:2012-03-02

    Abstract: 本发明提供对于降低PDP的放电起始电压有用的PDP用的前面板。本发明提供一种等离子体显示面板用的前面板,其为下述层叠体以该层叠体的放电电极与透明基板的表面相接的方式配置在该透明基板上而成,所述层叠体为含有被覆放电电极的电介质层和形成于该电介质层上的电介质保护层的层叠体,其特征在于,在电介质保护层表面散布有以摩尔比99.5∶0.5~40∶60范围的量含有Mg和选自Ca及Sr中的碱土类金属元素的碱土类金属氧化物粉末。

    含氟氧化镁烧成物粉末的制造方法

    公开(公告)号:CN101372345B

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN200810161161.3

    申请日:2008-08-21

    Abstract: 本发明提供一种氧化镁烧成物粉末的制造方法,制得的氧化镁烧成物粉末,当利用由Xe气放电生成的紫外光激发时,能以高效率释放出在250nm波长附近具有峰值波长的紫外光。通过烧成生成氧化镁,除了氧化镁和氟化镁之外,将镁化合物的粉末在氟源的存在下,以850~1500℃的温度进行烧成。

    含铝氧化镁烧结物粉末
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101544474A

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200810096338.6

    申请日:2008-03-28

    Abstract: 本发明的目的在于提供被由Xe气的气体放电产生的紫外光激发则高效率地发出在波长250nm左右具有峰值波长的紫外光的氧化镁粉末。该目的通过将γ型氧化铝粉末和氧化镁源粉末的粉末混合物烧结得到的、铝含量为2~38质量%的含铝氧化镁粉末达成。

    含氟氧化镁烧成物粉末的制造方法

    公开(公告)号:CN101372345A

    公开(公告)日:2009-02-25

    申请号:CN200810161161.3

    申请日:2008-08-21

    Abstract: 本发明提供一种氧化镁烧成物粉末的制造方法,制得的氧化镁烧成物粉末,当利用由Xe气放电生成的紫外光激发时,能以高效率释放出在250nm波长附近具有峰值波长的紫外光。通过烧成生成氧化镁,除了氧化镁和氟化镁之外,将镁化合物的粉末在氟源的存在下,以850~1500℃的温度进行烧成。

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