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公开(公告)号：CN104380433B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380032053.5
申请日：2013-05-30
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7025 , G03F7/70858
摘要： 本文描述一种用于处理基板的装置。装置可包括辐射源及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自辐射源的辐射能。孔洞可包括一或更多构件及一或更多干涉区域，其中干涉区域环绕透射区域。一或更多结构可影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。安置于孔洞上的结构可减少或重定向透射，以提供穿过孔洞的辐射能的更均匀的整体透射。
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公开(公告)号：CN105453290A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201480044804.X
申请日：2014-08-19
申请人： 应用材料公司
发明人： 克里斯多弗·丹尼斯·本彻 , 谢鹏 , 斯蒂芬·莫法特 , 布鲁斯·E·亚当斯 , 马耶德·A·福阿德
IPC分类号： H01L43/08
摘要： 一种磁场导引式晶体方向系统以及一种操作磁场导引式晶体方向系统的方法包括：工作平台；加热元件，所述加热元件在所述工作平台之上，所述加热元件用于选择性地加热在晶片基板上的基底层，所述基底层具有晶粒，其中所述晶片基板是所述工作平台上的晶片的一部分；以及磁组件，所述磁组件相对于所述加热元件而固定，所述磁组件用于使用10特斯拉或更大的磁场来对准所述基底层的晶粒，以形成互连，所述互连具有所述互连中的晶粒的晶体方向匹配于所述基底层的晶粒的晶体方向。
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公开(公告)号：CN102498552B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201080041583.2
申请日：2010-05-14
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02521
摘要： 本发明实施例提供使用多个电磁能量脉冲将薄膜固相再结晶的方法。在一个实施例中，可使用本发明方法通过将多个能量脉冲传递至结晶晶种区域或层来退火整个基板表面或基板表面的选择区域以再结晶非晶层，其中在结晶晶种区域或层上沉积有所述非晶层，使得所述非晶层具有如下方结晶晶种区域或层的相同晶粒结构及晶体定向。
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公开(公告)号：CN103890913A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201280052799.8
申请日：2012-12-13
申请人： 应用材料公司
发明人： 斯蒂芬·莫法特 , 道格拉斯·E·霍姆格伦 , 塞缪尔·C·豪厄尔斯 , 埃德里克·唐 , 布鲁斯·E·亚当斯 , 季平·李 , 阿伦·缪尔·亨特
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/26
CPC分类号： G02B27/106 , G02B17/0888 , G02B27/0025 , G02B27/10 , G02B27/1006 , G02B27/12 , G02B27/123 , G02B27/126 , G02B27/14 , G02B27/143 , G02B27/30
摘要： 公开用于组合放大的辐射光束的设备和方法。光束组合器具有准直光学元件，该准直光学元件被定位成相对于准直光学元件的光轴以恒定的入射角接收多个相干辐射光束。各自的入射角度在某些实施方式中亦可为不同的。准直光学元件具有使光束准直的光学特性。该光学特性可为折射或反射，或折射与反射的结合。亦可提供聚集光学元件以将多个光束引导至准直光学元件。光束组合器可用于热处理设备中，以将诸如激光的两个以上的相干放大辐射光束组合至单一光束中。
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公开(公告)号：CN102257627B
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN200980150839.0
申请日：2009-12-02
申请人： 应用材料公司
发明人： 布鲁斯·E·亚当斯
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/022425 , H01L31/035281 , H01L31/046 , H01L31/0465 , Y02E10/50
摘要： 本发明描述光伏电池及光伏电池的制造方法。所述光伏电池的操作层沉积在具有多个间隔斜坡的覆板上以让个别电池可串联，且因为这些电池之间的无效空间而有最小的效率损失。
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公开(公告)号：CN104737363B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201380054563.2
申请日：2013-10-25
申请人： 应用材料公司
摘要： 一种制造电化学装置的方法，包括以下步骤：在基板上沉积装置层，所述装置层包括电极和相应集电器以及电解质层；和通过激光束入射在衍射光学元件上所产生的激光图案直接图案化所述装置层中的至少一个装置层，所述激光图案在单激光照射中直接图案化至少一整个装置。所述激光直接图案化除其他之外可包括：在已经沉积所有的有源层之后芯片图案化薄膜电化学装置；从相应的集电器选择性剥蚀阴极/阳极材料；和从集电器选择性剥蚀电解质材料。此外，可以通过入射在衍射光学元件上的激光束产生的成形光束直接图案化电化学装置，并且可以将成形光束移动跨越装置的工作面。
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公开(公告)号：CN105027270B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201480011564.3
申请日：2014-02-11
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67115
摘要： 本文中所述的实施方式大体涉及在半导体基板的热处理期间的高温测量。更具体地，实施方式是关于用于热处理腔室的高温测量过滤器。在某些实施方式中，高温测量过滤器选择性地过滤选定的能量波长以改良高温计测量。高温测量过滤器可具有多种几何形状，这些几何形状可影响高温测量过滤器的功能。
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