传感器元件
    22.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108693234B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN201810222721.5

    申请日:2018-03-19

    Abstract: 本发明抑制Pt的扩散以及由固体电解质层与绝缘层之间的热膨胀系数差所引起的开裂,从而使传感器元件长寿命化。平板状传感器元件的加热器部具有:加热器部件,其包含有Pt;绝缘层,其覆盖加热器部件;以及加热器电极,其暴露在传感器元件主面,且加热器部除了加热器电极以外的部分埋设于包含固体电解质的基体部,绝缘层以合计97~100wt%的重量比至少包含MgO、MgAl2O4以及Mg4Nb2O9,MgO、MgAl2O4以及Mg4Nb2O9的重量比分别为30~60wt%、30~60wt%、0.5~15wt%,绝缘层的气孔率为4%以下。

    蜂窝结构体及蜂窝结构体的制造方法

    公开(公告)号:CN111744288B

    公开(公告)日:2022-02-15

    申请号:CN202010199337.5

    申请日:2020-03-20

    Abstract: 本发明提供蜂窝结构体及蜂窝结构体的制造方法,在蜂窝结构体中,通过多个隔壁(23)而形成从轴向观察时呈二维地排列的多个隔室。多个隔壁(23)由以堇青石为主成分的多孔质材料形成。在隔壁(23)中,作为从两表面分别起算至深度达到隔壁厚度的25%为止的部位的表层部(32)的气孔率及作为其他部位的内部(33)的气孔率为50%以上。表层部(32)包括轴向气孔宽度小于30μm的气孔和轴向气孔宽度为30μm以上的气孔,内部(33)也包括轴向气孔宽度小于30μm的气孔和轴向气孔宽度为30μm以上的气孔。表层部(32)的轴向平均气孔宽度小于内部(33)的轴向平均气孔宽度。

    半导体制造装置用部件
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102738044B

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201210071328.3

    申请日:2012-03-16

    CPC classification number: H01L21/6833

    Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件,其能降低接合时的残留应力,防止陶瓷基体发生裂纹,即使使用温度为200℃也可获得充分的接合强度,静电吸盘包括:埋设有电极(14)的陶瓷基体(12)、在设于陶瓷基体(12)的背面的凹部(16)的底面露出的电极端子(14a)、用于向电极(14)供电的供电部件(20)、连接供电部件(20)和陶瓷基体(12)的接合层(22)。接合层由AuGe系合金、AuSn系合金、或AuSi系合金形成。对于所述陶瓷基体(12)和所述供电部件(20),从所述供电部件(20)的热膨胀系数减去所述陶瓷基体(12)的热膨胀系数后的热膨胀系数差D选择满足-2.2≤D≤6(单位:ppm/K)的。

    半导体制造装置用部件
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102738044A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210071328.3

    申请日:2012-03-16

    CPC classification number: H01L21/6833

    Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用部件,其能降低接合时的残留应力,防止陶瓷基体发生裂纹,即使使用温度为200℃也可获得充分的接合强度,静电吸盘包括:埋设有电极(14)的陶瓷基体(12)、在设于陶瓷基体(12)的背面的凹部(16)的底面露出的电极端子(14a)、用于向电极(14)供电的供电部件(20)、连接供电部件(20)和陶瓷基体(12)的接合层(22)。接合层由AuGe系合金、AuSn系合金、或AuSi系合金形成。对于所述陶瓷基体(12)和所述供电部件(20),从所述供电部件(20)的热膨胀系数减去所述陶瓷基体(12)的热膨胀系数后的热膨胀系数差D选择满足-2.2≤D≤6(单位:ppm/K)的。

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