公开(公告)号：CN101569068A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001018.6

申请日：2008-11-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  长谷川义晃 ,  杉浦胜己

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2022 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置包括半导体层叠层体(12)，该半导体层叠层体(12)具有沿与谐振器端面交叉的方向延伸且呈脊形条状的脊形波导部(12a)。在半导体层叠层体(12)上形成有覆盖脊形波导部(12a)的两侧面中的至少一部分的介电体层(16)。在半导体层叠层体(12)上的脊形波导部(12a)的两侧，与脊形波导部(12a)及谐振器端面互相留有间隔地形成有吸光层(17)。

公开(公告)号：CN100411265C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200510075140.6

申请日：2005-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉 ,  石桥明彦

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，它包括：由氮化物半导体构成的基板；与上述基板的上表面相接连地形成、由含p型杂质的氮化物半导体构成的半导体层；在上述半导体层之上形成、由含第1导电型杂质的氮化物半导体构成的第1包层；在上述第1包层之上形成的活性层；在上述活性层之上形成、由含第2导电型杂质的氮化物半导体构成的第2导电型包层。

公开(公告)号：CN101188344A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710152406.1

申请日：2003-03-06

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3072 ,  H01S5/321 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 一种半导体激光器，在基板(11)上顺序层叠n型半导体层(13)、活性层(101)和p型半导体层(24)，所述活性层(101)包含由InGaN所构成的阱层，在活性层(101)和p型半导体层(24)之间，形成实质上不掺杂杂质的由氮化镓系列化合物半导体所构成的中间层(21)。利用该半导体激光器，可实现高的光输出动作下的长寿命。

公开(公告)号：CN1957510A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200680000267.4

申请日：2006-05-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  石桥明彦 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/323 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01S5/32341 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/382 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该氮化物半导体装置(100)具备：n－GaN基板(1)；形成于n－GaN基板(1)的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)；设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b)，n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。

公开(公告)号：CN1579040A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN02821679.2

申请日：2002-10-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 长谷川义晃 ,  嵨本敏孝 ,  菅原岳

IPC: H01S5/16 ,  H01S5/323

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/164 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法包括：在基板(21)的主表面上生长第一氮化物系III－V族化合物半导体层(22)的工序；在第一氮化物系III－V族化合物半导体层上以在宽度方向上规定的周期重复的方式形成具有不同宽度的第一幅度部和第二幅度部的条纹状的掩膜(23)的工序；为覆盖在掩膜和第一氮化物系III－V族化合物半导体层的表面的掩膜之间露出的部分而从该露出部分选择性生长第二氮化物系III－V族化合物半导体层(25)的工序；以及在第二氮化物系III－V族化合物半导体层上实质上叠层包括在掩膜的延长方向上延长的有源层的半导体激光器结构(26～33)，由此，在掩膜的第一幅度部(条纹1)和第二幅度部(条纹2)的边界上的部位中获得具有对应于第一幅度部和第二幅度部的宽度差的叠层段差(301)的半导体激光器结构的工序。

公开(公告)号：CN1233824A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99105732.5

申请日：1999-04-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 粂雅步博 ,  伴雄三郎 ,  木户口勋 ,  上山智 ,  辻村步 ,  石桥明彦 ,  长谷川义晃 ,  宫永良子

IPC: G11B7/125 ,  G02B26/02 ,  G02F1/13

CPC classification number: G11B7/126 ,  G11B7/005 ,  G11B7/128 ,  G11B7/135 ,  G11B7/1369 ,  G11B11/10515 ,  G11B11/10543

Abstract: 本发明为一种光盘的记录再生方法及光盘记录再生装置。在半导体激光元件12和光盘11之间设置有把来自半导体激光元件12的激光转变成平行光的准直透镜13、把通过了准直透镜13的平行光衰减的液晶遮光体14以及把来自光盘11的反射光分路的光束分离器15,还设置有把通过准直透镜13得到的平行光聚集到光盘11的数据保持面上的聚光透镜16。这样,即便使用短波长(短于400nm)的半导体激光元件进行光盘的记录及再生时,也可防止散焦现象。