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公开(公告)号：CN100477425C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200680000267.4
申请日：2006-05-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/40 , H01S5/0425
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体装置，该氮化物半导体装置(100)具备：n-GaN基板(1)；形成于n-GaN基板(1)的主面上，包括p型区域及n型区域的半导体叠层构造；与半导体叠层构造中所含的p型区域的一部分接触的p侧电极(32)；设于基板(1)的背面的n侧电极(34)。基板(1)的背面包括粗糙区域(40a)和平坦区域(40b)，n侧电极(34)将粗糙区域(40a)的至少一部分覆盖。
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公开(公告)号：CN1961432A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580013357.2
申请日：2005-04-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/0265 , H01L33/0075 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3216 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体的制造方法，包括：准备n－GaN基板(101)的工序(A)；在基板(101)上形成具有与基板(101)的主面平行的上面的多个条纹状脊的工序(B)；在多个条纹状脊的上面选择性地生长以第一浓度含有n型杂质的AlxGayInzN晶体(0≤x、y、z≤1；x+y+z＝1)(104)的工序(C)；在AlxGayInzN晶体(104)上生长以低于所述第一浓度的第二浓度含有n型杂质的Alx’Gay’Inz’N晶体(0≤x’、y’、z’≤1；x’+y’+z’＝1)(106)，将相邻的2个AlxGayInzN晶体(104)用Alx’Gay’Inz’N晶体(106)连结而形成1个氮化物半导体层(120)的工序(D)。
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公开(公告)号：CN1922772A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005185.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01S5/22 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
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公开(公告)号：CN1618154A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03802320.2
申请日：2003-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0213 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN102484354B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201080021734.8
申请日：2010-01-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0281 , H01S5/0283
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光装置，具备：半导体层叠体(50)，其由III族氮化物半导体构成，且具有发光端面；和第一涂膜(23)，其形成为覆盖该半导体层叠体(50)中的发光端面。第一涂膜(23)是由含有铝的氮化物构成的结晶性膜。该结晶性膜是由结晶取向面处的倾斜角度和旋转角度彼此相同的多个晶畴的集合体构成的，每单位面积的各晶畴的边界长度为7μm-1以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100454699C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580005185.4
申请日：2005-11-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01S5/22 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/22 , H01L21/02389 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的氮化合物系半导体装置具备支承于具有导电性的基板构造物101的半导体叠层构造物。基板构造物101的主面具有：作为氮化合物系半导体的纵向生长的晶种而起作用的至少1个纵向生长区域；及使在所述纵向生长区域上生长的氮化合物半导体的横向生长成为可能的多个横向生长区域。在设定由箭头A表示的纵向生长区域的尺寸的总和为∑X，该方向的多个横向生长区域的尺寸的总和为∑Y时，∑X/∑Y＞1.0的关系成立。
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公开(公告)号：CN100364192C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200480002108.9
申请日：2004-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2216 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III-V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III-V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III-V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III-V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III-V族化合物半导体成长的工序(D)。
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公开(公告)号：CN1305187C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN03802320.2
申请日：2003-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/32341 , H01S5/0213 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件的制造方法，包括：第一步骤，在基底(101)上形成半导体叠层体，该半导体叠层体至少有n型氮化物半导体层(102)、活性层(105)及p型氮化物半导体层(108)；第二步骤，通过选择性蚀刻上述半导体叠层体，使n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的表面分别在不同高度的位置露出；第三步骤，通过绝缘膜(109)来覆盖包含n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)的露出面的上述半导体叠层体的表面，该绝缘膜具有比n型氮化物半导体层(102)的露出面和p型氮化物半导体层(108)的露出面之间产生的台阶大的膜厚；第四步骤，将绝缘膜(109)表面平坦化；以及第五步骤，贯通绝缘膜(109)并分别形成与n型氮化物半导体层(102)和p型氮化物半导体层(108)电连接的n型电极(111)及p型电极(110)。根据该制造方法，可以获得可靠性高、并且具有良好散热特性的氮化物半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN1736009A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200480002108.9
申请日：2004-04-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0213 , H01S5/2201 , H01S5/2206 , H01S5/2216 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明的半导体发光元件的制造方法，包括：在第1III－V族化合物半导体上形成条状的掩膜层的工序(A)；在第1III－V族化合物半导体的表面中没有被所述掩膜层覆盖的区域上，有选择地使第2III－V族化合物半导体成长，从而形成具有被所述掩膜层规定的条状开口部的电流狭窄层的工序(B)；有选择地除去掩膜层的工序(C)；使覆盖通过所述条状开口部而露出的第1III－V族化合物半导体的表面及电流狭窄层的表面的第3III－V族化合物半导体成长的工序(D)。
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公开(公告)号：CN101540475A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910126852.4
申请日：2009-03-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/028
CPC classification number: H01S5/0281 , H01S5/0282 , H01S5/0287 , H01S5/32341
Abstract: 本发明实现氮化物半导体发光元件在高功率运行时的长期稳定运行。氮化物半导体发光元件具备氮化物半导体的多层膜。氮化物半导体的多层膜设置在基板上，由氮化物半导体结晶构成，含有发光层。在该氮化物半导体的多层膜上形成共振器的端面，在该端面的至少一个上设有由氮化铝结晶构成的保护膜。保护膜具有结晶轴与构成设有保护膜的共振面的端面的氮化物半导体结晶的结晶面相互成90度的结晶面。
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