公开(公告)号：CN107706109B

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201711017441.2

申请日：2017-10-26

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  江苏中科君芯科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 金锐 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  姜梅 ,  董少华 ,  崔磊

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/739

摘要： 本发明涉及一种RC‑IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC‑IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC‑IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC‑IGBT晶圆背面注入N型杂质离子；步骤5、将激活基片键合在上述RC‑IGBT晶圆的背面；步骤6、在RC‑IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC‑IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC‑IGBT晶圆的背面金属化。本发明工艺步骤简单，能够省去RC‑IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC‑IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。

公开(公告)号：CN107994073A

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201711442489.8

申请日：2017-12-27

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 杨珏林 ,  姜梅 ,  许生根 ,  杨晓鸾

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种提升抗闩锁能力的低通态IGBT，属于IGBT器件的技术领域。在所述第一导电类型漂移区内还设有第一导电类型的载流子引导体，所述载流子引导体包括位于元胞沟槽正下方的第一导电类型第一载流子引导层以及位于第二导电类型基区下方的第一导电类型第二载流子引导层；第一导电类型第二载流子引导层在第二导电类型基区下方呈对称分布，第一导电类型第二载流子引导层的上部与第二导电类型基区以及相邻元胞沟槽的外壁接触，第一导电类型第二载流子引导层的下端与第一导电类型第一载流子引导层接触。本发明结构紧凑，能在不影响IGBT正常工作特性的情况下，提高IGBT的抗闩锁能力，实现低通态压降，安全可靠。

公开(公告)号：CN107644903A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201710827906.4

申请日：2017-09-14

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  江苏中科君芯科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院

发明人： 金锐 ,  杨晓鸾 ,  许生根 ,  姜梅 ,  董少华 ,  崔磊

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/10

摘要： 本发明涉及一种具有高抗短路能力的沟槽栅IGBT器件及其制备方法，其元胞区内的元胞包括两个相邻的元胞沟槽，所述两相邻元胞沟槽相邻外侧壁上方设置第二导电类型第一体区，所述第二导电类型第一体区与相应元胞沟槽的侧壁接触，所述两相邻元胞沟槽间相互远离的外侧壁上方设置第一导电类型源区，第一导电类型源区与相应的元胞沟槽侧壁接触，在制作第二导电类型第一体区时，只需要对第一导电类型源区注入的光刻版进行调整即可，在不影响IGBT器件的耐压和寄生电容情况下，降低沟槽栅IGBT的沟道密度，降低饱和电流，有效提高沟槽栅IGBT器件的抗短路能力，结构紧凑，与现有工艺兼容，安全可靠。

公开(公告)号：CN107579057A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201710827886.0

申请日：2017-09-14

申请人： 全球能源互联网研究院 ,  江苏中科君芯科技有限公司 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司

发明人： 董少华 ,  杨晓鸾 ,  许生根 ,  姜梅 ,  金锐 ,  崔磊

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L29/739

摘要： 本发明涉及一种IGBT版图，尤其是一种能进行终端横向耐压测试的IGBT版图，属于IGBT器件的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述能进行终端横向耐压测试的IGBT版图，包括半导体基板，在半导体基板的中心区设置元胞区域以及位于所述元胞区域外圈的终端区域，元胞区域上方设置源极金属以及与所述源极金属电连接的源极压焊点；还包括用于将终端区域基区引出的辅助测试压焊点，所述辅助测试压焊点位于终端区域上方。本发明结构紧凑，能有效进行终端横向耐压测试，有利于确定IGBT耐压不足的状况。

公开(公告)号：CN117594471A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311700406.6

申请日：2023-12-12

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 孔凡标 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  李哲锋 ,  李磊

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/50

摘要： 本发明涉及一种快速且低成本的可靠性测试器件制作方法，包括：将芯片焊接在DBC基板上；使用键合线将芯片的电极连接到DBC基板上的指定端子；在DBC基板一侧的端子上焊接管脚；在芯片和端子的四周制作一圈围挡，只余管脚伸出围挡外；在围挡内注入绝缘隔离材料，使得绝缘隔离材料高度小于或等于围挡，并且充分覆盖芯片和键合线；固化缘隔离材料；拆除围挡；对所得器件进行电参数测试并上机进行可靠性考核。本发明可以有效地提高产品验证速度，缩短产品开发周期，该方法简单，成本低，可操作性强，结果可靠。

公开(公告)号：CN106783663B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201611240234.9

申请日：2016-12-29

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 程炜涛 ,  许生根 ,  王海军 ,  叶甜春

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明涉及一种用于快速评估快恢复二极管性能的基座，其特征是：包括耐高温硬质绝缘固定框架，在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入阳极金属引线框架和阴极金属引线框架，阳极金属引线框架和阴极金属引线框架之间保持一定的距离；所述阳极金属引线框架的部分表面、阴极金属引线框架的部分表面以及耐高温硬质绝缘固定框架的部分表面在同一平面上，该平面为二极管芯片的贴片平面；所述阳极金属引线框架和阴极金属引线框架各有部分露出与耐高温硬质绝缘固定框架之外，分别形成相互平行的阳极管脚和阴极管脚，阳极管脚和阴极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。本发明所述基座可以对快恢复二极管芯片直接贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。

公开(公告)号：CN116190418A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211564953.1

申请日：2022-12-07

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 杨晓鸾 ,  许生根 ,  李哲锋 ,  李磊 ,  孔凡标

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/739

摘要： 本发明涉及一种具备多重调控的沟槽型IGBT器件。其包括半导体基板以及元胞区；对任一元胞，包括元胞第一沟槽以及元胞第二沟槽，其中，在所述元胞第一沟槽与元胞第二沟槽之间设置多重调控区，多重调控区与元胞第一沟槽、元胞第二沟槽相应的外壁接触，且多重调控区与用于形成IGBT器件发射极的发射极金属适配连接；所述沟槽型IGBT器件处于正向导通状态时，利用多重调控区对空穴载流子存储，以调控空穴载流子的分布，并利用所调控空穴载流子的分布降低导通压降；所述沟槽型IGBT器件处于反向关断状态时，利用多重调控区抽取空穴载流子。本发明可以实现对空穴载流子积累和抽取的多重调控，进一步实现优化导通压降和开通损耗之间的折中。

公开(公告)号：CN110491936B

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN201910773365.0

申请日：2019-08-21

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 史志扬 ,  许生根 ,  姜梅

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

摘要： 本发明涉及一种IGBT器件，尤其是一种双多晶硅栅的载流子存储型IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。在元胞沟槽内填充沟槽内栅极多晶硅，在元胞沟槽的槽口外设置沟槽外栅极多晶硅，沟槽内栅极多晶硅通过沟槽内绝缘氧化层与元胞沟槽的侧壁以及底壁绝缘隔离，通过槽口绝缘氧化层能实现沟槽内栅极多晶硅与沟槽外栅极多晶硅的绝缘隔离，沟槽外栅极多晶硅的横向宽度大于沟槽内栅极多晶硅的横向宽度，能降低对载流子存储层的浓度影响，降低载流子存储层高能注入时对绝缘栅氧化层的影响，降低元胞沟槽的电场峰值，提高了IGBT器件的击穿电压，提高了IGBT器件漏电的控制能力。

公开(公告)号：CN115985937A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202211661729.4

申请日：2022-12-23

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李哲锋 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  孔凡标 ,  李磊

IPC分类号： H01L29/06

摘要： 本发明涉及一种功率器件用终端结构及制备方法。其在终端区域内，沿主结指向第二导电类型VLD区域的方向上，包括耗尽截止环，其中，耗尽截止环在终端区域内至少分布于第二导电类型VLD区域；对任一耗尽截止环，包括若干间隔分布的耗尽截止槽，耗尽截止槽的槽底位于第二导电类型VLD区域的下方；对任一耗尽截止槽，包括填充于所述耗尽截止槽内的槽内导电多晶硅以及覆盖耗尽截止槽内壁的槽内低介电绝缘体，槽内导电多晶硅通过槽内低介电绝缘体与所在耗尽截止槽的内壁绝缘隔离。本发明能有效避免VLD区域的表面击穿，消除主结外围以及由于受产线机台注入剂量的偏差对击穿电压的影响，提高终端的可靠性。

公开(公告)号：CN115101598A

公开(公告)日：2022-09-23

申请号：CN202210778209.5

申请日：2022-06-30

申请人： 江苏中科君芯科技有限公司

发明人： 李磊 ,  许生根 ,  杨晓鸾 ,  孔凡标 ,  李哲锋

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/40

摘要： 本发明涉及一种沟槽型发射极载流子注入控制快恢复二极管。其包括N型衬底以及阴极电极；在所述N型衬底的正面制备沟槽型发射极，沟槽型发射极包括N型埋层、位于所述N型埋层上的P型层、位于所述P型层上的发射极金属层以及若干发射极沟槽，其中，对任一发射极沟槽，所述发射极沟槽贯穿P型层以及N型埋层，发射极沟槽的槽底位于N型埋层的下方，所述发射极沟槽的内壁覆盖沟槽绝缘氧化层，在覆盖有沟槽绝缘氧化层的发射极沟槽内填充有发射极导电多晶硅；所述发射极金属层与P型层以及发射极沟槽内的发射极导电多晶硅欧姆接触。本发明具有较快的反向恢复时间，动态损耗小，软度好，高温漏电小，可靠性高，温度系数小，提升反向阻断能力。