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公开(公告)号：CN108569903A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810618048.7
申请日：2018-06-15
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638
CPC分类号： C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/62645 , C04B35/63492 , C04B35/638 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/661
摘要： 本发明公开了一种满足LTCC应用需求的微波介质陶瓷及制备方法，该陶瓷材料组成表达式为：La2Zr3-3xTi3xMo9O36。其中0.02≤x≤0.1。本发明先将La2O3，ZrO2，TiO2和MoO3等原材料按照表达式进行配料，经球磨、干燥和过筛后于600℃的温度下进行预烧处理；再经二次球磨、干燥后添加10%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒，压制成型为直径为10mm的圆柱坯体，于700~750℃烧结温度下对陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明微波介质陶瓷材料具有以下特点：较低的烧结温度（700~750℃），制备工艺较为简单，制备过程环保，成本较低，是一种很有发展前途的低介电微波介质材料。
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公开(公告)号：CN105777119A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610093468.9
申请日：2016-02-22
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/64
CPC分类号： C04B35/495 , C04B35/64 , C04B2235/3206 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/65
摘要： 本发明公开了一种利用反应烧结工艺制备低损耗钨锰铁矿结构微波介质陶瓷的方法。该类陶瓷化学组成表达式为AZrNb2O8，其中A=Mg，Co，Ni，Mn。陶瓷制备时，先将ZrO2、MgO、CoO、NiO、MnO和Nb2O5等原料按照化学式进行配料，经过混料、烘干、过筛，造粒、压制成型等工艺后，利用反应烧结工艺于1250~1300℃烧结，制得AZrNb2O8陶瓷。本发明节省了预烧及二次混料工艺流程，大大降低制备时间，减少制备成本，反应烧结流程工艺简单，制成陶瓷微波介电性能优异，过程环保，在工业上有着极大的应用价值。
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公开(公告)号：CN104045335A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410309940.9
申请日：2014-07-02
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种择优取向生长的Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的制备方法，包括以下步骤：以(111)Pt/Ti/SiO2/Si为衬底，在衬底上先采用溶胶凝胶法沉积CoFe2O4薄膜作为种子层，然后在种子层上再采用溶胶凝胶法沉积Bi5Ti3FeO15薄膜，所得Bi5Ti3FeO15薄膜在c轴择优取向生长。本发明采用溶胶-凝胶法，在(111)Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上实现层状钙钛矿型Bi5Ti3FeO15多铁性薄膜的择优取向生长。该方法所制备的薄膜性能优异，用X射线定量估算c轴择优取向薄膜的择优取向度高达90%，适合研制高密度的非挥发性存储器件以及其他磁电耦合器件。
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公开(公告)号：CN103708835A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310195331.0
申请日：2013-05-24
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/495 , C04B35/624
摘要： 本发明属于电子陶瓷制备与应用技术领域，尤其涉及一种利用溶胶凝胶法精细合成三元ZnO-Ta2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法。本发明技术方案为：利用溶胶凝胶法精细合成三元ZnO-Ta2O5-TiO2体系微波介质陶瓷方法，包括以下步骤：1）配制Zn离子的柠檬酸水溶液；2）配制Ti与Ta离子的柠檬酸水溶液；3）三元ZnO-Ta2O5-TiO2体系微波介质陶瓷纳米前驱体的合成及陶瓷制备。具有合成温度低、陶瓷颗粒均匀、分散性好、物相纯、粉体具有纳米粒度（
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公开(公告)号：CN102244192B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110123826.3
申请日：2011-05-13
申请人： 济南大学
摘要： 本发明公开了一种基于钛酸铋钠基和铁酸铋基的复合固溶体薄膜及其制备方法，该薄膜以通式(1-x)Na0.5(Bi0.95Ce0.05)0.5TiO3-xBiFe0.97Mn0.03O3表示，所述钛酸铋钠基为Na0.5(Bi0.95Ce0.05)0.5TiO3，所述铁酸铋基为BiFe0.97Mn0.03O3；其中，x为BiFe0.97Mn0.03O3的摩尔含量，0
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公开(公告)号：CN102222672A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110123820.6
申请日：2011-05-13
申请人： 济南大学
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种铁酸铋基薄膜层叠结构电容器及其制备方法，该电容器从下到上依次包括底电极、衬底、缓冲层、铁电薄膜层和金属点电极，所述缓冲层为掺锰钛酸锶钡薄膜，化学式为Ba0.6Sr0.4Ti(1-x)MnxO3，x为元素锰的摩尔当量，x=0.005-0.05；所述铁电薄膜层为铁酸铋基薄膜，化学式为Bi(1-y)LnyFeO3，其中，Ln为镧系元素中的一种，y为镧系元素的摩尔当量，y=0.01-0.2。本发明制备方法简单，所得的电容器是铁电场效应晶体管的存储单元，该电容器克服了一般硅衬底上铁酸铋基薄膜电容器界面性能差、工作电压高的缺点，具有良好的存储性能。
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公开(公告)号：CN101367671B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200810140200.1
申请日：2008-09-12
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B41/52
摘要： 本发明属于铁电复合薄膜材料技术领域，具体涉及一种用于高温压电器件的无铅双层铁电复合薄膜材料及其制备方法。本发明采用化学溶液法结合层层快速退火工艺，制备在衬底材料上生长作为底层的高(110)-或(111)-取向的BiFeO3薄膜和作为表层的高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，其中高(110)-或(111)-取向的BiFeO3薄膜，厚度为0.1μm～1μm，高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，厚度为10nm～60nm。本发明在500℃～600℃的退火温度下得到了具有大剩余极化、低漏电流、抗疲劳性能好和高压电常数的无铅双层铁电复合薄膜，在未来的高温压电器件中具有良好的实用前景。
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公开(公告)号：CN100559595C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200810158354.3
申请日：2008-10-31
申请人： 济南大学
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/8247
摘要： 本发明涉及一种用于铁电存储器的BiFeO3-基三明治结构薄膜及其制备方法，属于微电子新材料技术领域。所述的BiFeO3-基三明治结构薄膜的上、下表层组分均为BiFe1-xHxO3，H为掺杂的四价及四价以上的高价离子，中间层组分为BiFe1-xLxO3，L为掺杂的三价及三价以下的离子；其制备方法为采用化学溶液法结合层层退火工艺，用旋转涂膜法将前驱体溶液沉积在不同材料的表层制得。本发明通过采用特殊的三明治结构，极大的降低了薄膜的漏电流，同时有效的降低矫顽场，明显的提高电荷保持力，在500℃～600℃的退火温度下得到了具有低漏电流、大剩余极化、低矫顽场，很好的电荷保持力的铁电薄膜，在未来的铁电存储器中具有良好的实用前景。
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公开(公告)号：CN101388395A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810158354.3
申请日：2008-10-31
申请人： 济南大学
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/02 , H01L21/8247
摘要： 本发明涉及一种用于铁电存储器的BiFeO3－基三明治结构薄膜及其制备方法，属于微电子新材料技术领域。所述的BiFeO3－基三明治结构薄膜的上、下表层组分均为BiFe1－xHxO3，H为掺杂的四价及四价以上的高价离子，中间层组分为BiFe1－xLxO3，L为掺杂的三价及三价以下的离子；其制备方法为采用化学溶液法结合层层退火工艺，用旋转涂膜法将前驱体溶液沉积在不同材料的表层制得。本发明通过采用特殊的三明治结构，极大的降低了薄膜的漏电流，同时有效的降低矫顽场，明显的提高电荷保持力，在500℃～600℃的退火温度下得到了具有低漏电流、大剩余极化、低矫顽场，很好的电荷保持力的铁电薄膜，在未来的铁电存储器中具有良好的实用前景。
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公开(公告)号：CN101367671A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810140200.1
申请日：2008-09-12
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B41/52
摘要： 本发明属于铁电复合薄膜材料技术领域，具体涉及一种用于高温压电器件的无铅双层铁电复合薄膜材料及其制备方法。本发明采用化学溶液法结合层层快速退火工艺，制备在衬底材料上生长作为底层的高(110)－或(111)－取向的BiFeO3薄膜和作为表层的高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，其中高(110)－或(111)－取向的BiFeO3薄膜，厚度为0.1μm～1μm，高居里点铋系层状钙钛矿薄膜，厚度为10nm～60nm。本发明在500℃～600℃的退火温度下得到了具有大剩余极化、低漏电流、抗疲劳性能好和高压电常数的无铅双层铁电复合薄膜，在未来的高温压电器件中具有良好的实用前景。
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