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公开(公告)号：CN101071077A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710102287.9
申请日：2007-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J3/00
CPC classification number: H01L31/02162
Abstract: 当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出近场光。从各贯通孔(13)输出的近场光通过受光面(4a、4b、4c)到达光吸收层(4)。光吸收层(4)产生与受光量相对应的电荷。由于天线层(11a、11b、11c)的凸部12的周期间隔(Λa、Λb、Λc)互不相同，在每个天线层(11a、11b、11c)与表面等离子体振子结合的光的波长成分都不同。因此，可以检测出多个波长成分的光。
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公开(公告)号：CN1959895A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610142778.1
申请日：2006-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。
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公开(公告)号：CN104520696B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201380042452.X
申请日：2013-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/658 , B82Y40/00 , G01N21/03 , G01N2021/651
Abstract: 表面增强拉曼散射元件(SERS)2具备：基板21，其具有表面21a；细微结构部24，其形成于表面21a上并具有多个柱脚27；导电体层23，其形成于细微结构部24上并构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部20。导电体层23具有以沿着表面21a的形式形成的基底部28、在对应于各个柱脚27的位置上从基底部28突出的多个突出部29。基底部28的厚度大于柱脚27的高度。
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公开(公告)号：CN107255630A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710277079.6
申请日：2013-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/658 , B82Y40/00 , G01N2021/651
Abstract: SERS元件(2)具备：基板(21)，其具有表面(21a)；微细构造部(24)，其形成在主面(21a)上，具有多个支柱(27)；第1导电体层(31)，其以连续覆盖表面(21a)和微细构造部(24)的方式形成在表面(21a)和微细构造部(24)上；以及第2导电体层(32)，其以形成用于表面增强拉曼散射的多个间隙(G1,G2)的方式形成在第1导电体(31)上，第1导电体层(31)和第2导电体层(32)由相互相同的材料构成。
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公开(公告)号：CN104285135B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380025424.7
申请日：2013-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/02164 , B82Y20/00 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/101 , H01L31/1035
Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过由光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域(4b)和输送在活性区域(4b)被激发的电子的喷射区域(4c)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104303030A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380025442.5
申请日：2013-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/02327 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/1035
Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含电子被激发的活性区域(4b)和输送电子的喷射区域(4c)，活性区域(4b)在量子级联结构中相对于喷射区域(4c)被形成于一侧的最表面。
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公开(公告)号：CN104285135A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380025424.7
申请日：2013-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/02164 , B82Y20/00 , H01L31/02327 , H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/101 , H01L31/1035
Abstract: 本发明所涉及的光检测器(1A)具备：光学元件(10)，具有包含第1区域以及沿着垂直于规定的方向的面相对于第1区域被周期性地排列的第2区域的结构体并且在光沿着规定的方向进行入射的时候使规定的方向的电场成分产生；半导体层叠体(4)，相对于光学元件(10)被配置于与规定的方向上的一侧相反侧的另一侧并且具有由通过由光学元件(10)产生的规定的方向的电场成分而产生电流的量子级联结构；量子级联结构包含具有第1量子高能级以及低于该第1量子高能级的第2量子高能级的活性区域(4b)和输送在活性区域(4b)被激发的电子的喷射区域(4c)。
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公开(公告)号：CN1959895B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610142778.1
申请日：2006-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。
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公开(公告)号：CN101101840A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710128217.0
申请日：2007-07-05
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/246
Abstract: 本发明涉及光电阴极、电子管、电场辅助型光电阴极、电场辅助型光电阴极阵列、以及电场辅助型电子管。当光入射到光电阴极(AA1)的天线层(AA6)上时，入射光中所含的特定波长的光与天线层(AA6)的表面等离子体进行结合，从天线层(AA6)的贯通孔(AA14)输出近场光。输出的近场光的强度，与特定波长的光的强度成比例，且大于该光的强度。另外，输出的近场光具有可被光电转换层(AA4)吸收的波长。光电转换层(AA4)接受从贯通孔(AA14)输出的近场光。光电转换层(AA4)上的贯通孔(AA14)的周边部分吸收近场光，产生相应于近场光的强度(受光量)的量的光电子(e-)。在光电转换层(AA4)上产生的光电子(e-)向光电阴极(AA1)的外部输出。
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公开(公告)号：CN1481569A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN01820827.4
申请日：2001-12-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 在光吸收层2厚时，将发生时间分辨率降低的现象，如果限制光吸收层2的厚度，则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断，所以，相邻的电子浓度分布重叠的区域减少，由于缩短了电子通过所需要的移动时间，可以抑制通过扩散而相互重叠的区域，此外，由于还提高了电场强度，所以，通过它们的相互协同的作用，可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级，厚度为1.3μm时，时间分辨率为40ps，厚度为0.19μm时，时间分辨率为7.5ps。
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