-
公开(公告)号：CN104303097A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380023106.7
申请日：2013-04-24
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/02327 , G02B1/005
Abstract: 该光学元件是用于使光沿着规定方向透过并调制该光的光学元件(10)，具备具有第1区域(R1)、以及沿着垂直于规定方向的面相对于第1区域(R1)周期排列的第2区域的结构体(11)，第1区域(R1)和第2区域(R2)彼此折射率不同，且均相对于光具有透过性。
-
公开(公告)号：CN101105552A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136065.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G02B6/1226 , B82Y20/00
Abstract: 本发明提供易于制造且使表面等离子体振子波的传播距离更长的波导结构和光学元件。波导结构具有在半导体基板(10)上层叠的量子阱结构(20)。量子阱结构内的量子阱层(22)具有，与相对于半导体基板(10)的量子阱结构的排列方向大致垂直相交的假想平面相交的交叉区域(22a)，量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负。此时，交叉区域(22a)内发生电子振荡时，通常存在上述排列方向上的分量，且量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负，因此可以利用交叉区域(22a)传播表面等离子体振子波。在量子阱结构中提高载流子的浓度的同时提高载流子迁移率，因此更长距离地传播表面等离子体振子波。
-
公开(公告)号：CN1959895A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610142778.1
申请日：2006-10-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括：透明基板(11)；第一电极(13)，形成在透明基板(11)上，并可以使透过透明基板(11)的光通过；窗层(14)，形成在第一电极(13)上，由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成；光吸收层(15)，形成在窗层(14)上，由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成，并且能带间隙比窗层(14)窄，响应光的入射，并激发光电子；电子发射层(16)，形成在光吸收层(15)上，由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成，并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射；第二电极(18)，形成在电子发射层上。
-
公开(公告)号：CN100433341C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200410048995.5
申请日：2004-06-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/1035 , Y02E10/544
Abstract: 一种半导体光接收器件具有在其前侧面包括上、中和下区域的衬底。在下区域的p型层具有一个顶表面，该顶表面包括和中区域邻接并基本在同一高度水平的第一部分，以及与第一部分在同一水平或高于第一部分的第二部分。一个电极覆盖p型层的一部分和中区域之间的边界的至少一部分。在p型层上有i型层。在i型层上的n型层具有一个顶表面和一个底表面，该n型层的顶表面包括和上区域邻接并基本在同一高度水平的第三部分。另一个电极覆盖n型层的一部分和上区域之间的边界的至少一部分。插入p型层的第二部分和n型层的底表面之间的第三半导体层具有比p型层和n型层低的载流子浓度。插入n型层和第三半导体层之间的一个第四半导体层有比第三半导体层更大的能量带隙。
-
公开(公告)号：CN101192491A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196170.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J1/34
CPC classification number: H01L31/1035 , H01L31/0735 , Y02E10/544
Abstract: 一种半导体光电阴极，包括：掺杂有p型杂质且互相异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层作为光吸收层而起作用，第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度，使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层压在第一III－V族化合物半导体层上。另外，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1608323A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN02826096.1
申请日：2002-12-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 中嶋和利
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/022416 , H01L31/035281 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的半导体感光元件(1)，在半绝缘性GaAs衬底(2)的上表面部形成有高度不同的3个台阶的平整面。而且，半绝缘性GaAs衬底(2)的中央部所形成的下台阶面的上面依次层积有n型GaAs层(3)、i型GaAs层(4)和p型GaAs层(5)。此外，还在p型GaAs层(5)和半绝缘性GaAs衬底(2)的上台阶面所形成的平整面上跨设有p侧电阻性电极(6)，而n型GaAs层(3)和半绝缘性GaAs衬底(2)的中台阶面所形成的平整面上则跨设有n侧电阻性电极(7)。
-
公开(公告)号：CN1574376A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410048995.5
申请日：2004-06-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/1035 , Y02E10/544
Abstract: 一种半导体光接收器件具有在其前侧面包括上、中和下区域的衬底。在下区域的p型层具有一个顶表面，该顶表面包括和中区域同一高度水平的一部分。一个电极覆盖p型层的一部分和中区域之间的边界的至少一部分。在p型层上的n型层具有一个包括和上区域同一高度水平的一部分的顶表面。另一个电极覆盖n型层的一部分和上区域之间的边界的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN1503380A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310119906.7
申请日：2003-11-25
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/09 , H01L31/102 , H01L27/14 , G01J1/02
CPC classification number: G01J1/429 , H01L2224/48465
Abstract: 一种紫外传感器1包含一个容器5，在该容器中一个金属管壳2的上端开口被一个由科瓦铁镍钴合金玻璃制成的、用作一个入射光窗口的顶板3封闭，它的下端开口被底板4封闭。用作入射光窗口的顶板3通过封闭金属管壳2的上端开口构成容器5的部分壁。一个针型光电二极管6被放置在容器5内。该针型光电二极管6包括了在一n型接触层8与一p型接触层10之间形成的材料为InxGa(1－x)N(0＜x＜1)的一光吸收层9。
-
公开(公告)号：CN101105552B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200710136065.9
申请日：2007-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G02B6/1226 , B82Y20/00
Abstract: 本发明提供易于制造且使表面等离子体振子波的传播距离更长的波导结构和光学元件。波导结构具有在半导体基板(10)上层叠的量子阱结构(20)。量子阱结构内的量子阱层(22)具有，与相对于半导体基板(10)的量子阱结构的排列方向大致垂直相交的假想平面相交的交叉区域(22a)，量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负。此时，交叉区域(22a)内发生电子振荡时，通常存在上述排列方向上的分量，且量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负，因此可以利用交叉区域(22a)传播表面等离子体振子波。在量子阱结构中提高载流子的浓度的同时提高载流子迁移率，因此更长距离地传播表面等离子体振子波。
-
公开(公告)号：CN100413096C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN02826096.1
申请日：2002-12-26
Applicant: 浜松光子学株式会社
Inventor： 中嶋和利
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/022416 , H01L31/035281 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的半导体感光元件(1)，在半绝缘性GaAs衬底(2)的上表面部形成有高度不同的3个台阶的平整面。而且，半绝缘性GaAs衬底(2)的中央部所形成的下台阶面的上面依次层积有n型GaAs层(3)、i型GaAs层(4)和p型GaAs层(5)。此外，还在p型GaAs层(5)和半绝缘性GaAs衬底(2)的上台阶面所形成的平整面上跨设有p侧电阻性电极(6)，而n型GaAs层(3)和半绝缘性GaAs衬底(2)的中台阶面所形成的平整面上则跨设有n侧电阻性电极(7)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.019 seconds)
