光电阴极
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1959895A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200610142778.1

    申请日:2006-10-31

    CPC classification number: H01J1/34 H01J2201/3423

    Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括:透明基板(11);第一电极(13),形成在透明基板(11)上,并可以使透过透明基板(11)的光通过;窗层(14),形成在第一电极(13)上,由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成;光吸收层(15),形成在窗层(14)上,由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成,并且能带间隙比窗层(14)窄,响应光的入射,并激发光电子;电子发射层(16),形成在光吸收层(15)上,由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成,并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射;第二电极(18),形成在电子发射层上。

    半导体光电阴极
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1291435C

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:CN01820827.4

    申请日:2001-12-18

    CPC classification number: H01J1/34 H01J2201/3423

    Abstract: 在光吸收层2厚时,将发生时间分辨率降低的现象,如果限制光吸收层2的厚度,则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断,所以,相邻的电子浓度分布重叠的区域减少,由于缩短了电子通过所需要的移动时间,可以抑制通过扩散而相互重叠的区域,此外,由于还提高了电场强度,所以,通过它们的相互协同的作用,可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级,厚度为1.3μm时,时间分辨率为40ps,厚度为0.19μm时,时间分辨率为7.5ps。

    光电阴极
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1959895B

    公开(公告)日:2010-05-12

    申请号:CN200610142778.1

    申请日:2006-10-31

    CPC classification number: H01J1/34 H01J2201/3423

    Abstract: 本发明的半导体光电阴极(1)包括:透明基板(11);第一电极(13),形成在透明基板(11)上,并可以使透过透明基板(11)的光通过;窗层(14),形成在第一电极(13)上,由厚度10nm以上、200nm以下的半导体材料构成;光吸收层(15),形成在窗层(14)上,由与窗层(14)晶格匹配的半导体材料构成,并且能带间隙比窗层(14)窄,响应光的入射,并激发光电子;电子发射层(16),形成在光吸收层(15)上,由与光吸收层(15)晶格匹配的半导体材料构成,并且使由光吸收层(15)激发的光电子从表面向外部发射;第二电极(18),形成在电子发射层上。

    半导体光电阴极
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1481569A

    公开(公告)日:2004-03-10

    申请号:CN01820827.4

    申请日:2001-12-18

    CPC classification number: H01J1/34 H01J2201/3423

    Abstract: 在光吸收层2厚时,将发生时间分辨率降低的现象,如果限制光吸收层2的厚度,则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断,所以,相邻的电子浓度分布重叠的区域减少,由于缩短了电子通过所需要的移动时间,可以抑制通过扩散而相互重叠的区域,此外,由于还提高了电场强度,所以,通过它们的相互协同的作用,可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级,厚度为1.3μm时,时间分辨率为40ps,厚度为0.19μm时,时间分辨率为7.5ps。

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