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公开(公告)号：CN104508466B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201380040860.1
申请日：2013-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/658 , B82Y40/00 , G01N21/03 , G01N2201/068
Abstract: SERS元件(2)包括：基板(21)，其具有表面(21a)；细微结构部(24)，其形成于表面(21a)上，且具有多个柱(27)；导电体层(23)，其形成于细微结构部(24)上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部(20)。导电体层(23)具有以沿着表面(21a)的方式形成的基底部(28)、及在与柱(27)的各个对应的位置自基底部(28)突出的多个突出部(29)。在基底部(28)，在自柱(27)突出的方向观察的情况下以包围柱(27)的各个的方式形成有多个槽(28a)，突出部(29)的端部(29a)位于所对应的槽(28a)内。
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公开(公告)号：CN104508467A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380041032.X
申请日：2013-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/658 , B82Y40/00 , G01N2201/068
Abstract: SERS元件(3)包括：基板(4)；细微结构部(7)，其形成于基板(4)的表面(4a)，且具有多个柱(11)；及导电体层(6)，其形成于细微结构部(7)上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部(10)。导电体层(6)具有以沿着基板(4)的表面(4a)的方式形成的基底部、及在与各柱(11)对应的位置自基底部突出的多个突出部。在导电体层(6)，通过基底部与突出部，形成有柱(11)突出的方向上的间隔递减的多个间隙(G)。
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公开(公告)号：CN1291435C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN01820827.4
申请日：2001-12-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J1/34 , H01J2201/3423
Abstract: 在光吸收层2厚时，将发生时间分辨率降低的现象，如果限制光吸收层2的厚度，则1个电子群中电子浓度低的部分将被切断，所以，相邻的电子浓度分布重叠的区域减少，由于缩短了电子通过所需要的移动时间，可以抑制通过扩散而相互重叠的区域，此外，由于还提高了电场强度，所以，通过它们的相互协同的作用，可以显著地提高红外线的时间分辨率。光吸收层的厚度为红外线的波长量级，厚度为1.3μm时，时间分辨率为40ps，厚度为0.19μm时，时间分辨率为7.5ps。
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公开(公告)号：CN1119829C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN97118486.0
申请日：1997-09-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J40/16 , H01J1/34 , H01J43/08 , H01J2201/3421 , H01J2231/50
Abstract: 本发明涉及能用于反射型及透射型的、且能获得比单晶金刚石薄膜的量子效率高的光电阴极及装备有它的电子管。本发明的光电阴极至少备有由多晶金刚石或以多晶金刚石为主要成分的材料构成的第1层。在该光电阴极的应用例中，上述第1层的表面用氢或氧进行最终处理。在表面经过用氢或氧最终处理的多晶金刚石薄膜上还可备有由碱性金属或其化合物构成的第2层。
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公开(公告)号：CN104508466A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040860.1
申请日：2013-08-09
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: G01N21/658 , B82Y40/00 , G01N21/03 , G01N2201/068
Abstract: SERS元件(2)包括：基板(21)，其具有表面(21a)；细微结构部(24)，其形成于表面(21a)上，且具有多个柱(27)；导电体层(23)，其形成于细微结构部(24)上，且构成产生表面增强拉曼散射的光学功能部(20)。导电体层(23)具有以沿着表面(21a)的方式形成的基底部(28)、及在与柱(27)的各个对应的位置自基底部(28)突出的多个突出部(29)。在基底部(28)，在自柱(27)突出的方向观察的情况下以包围柱(27)的各个的方式形成有多个槽(28a)，突出部(29)的端部(29a)位于所对应的槽(28a)内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163628A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110008101.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/02162
Abstract: 当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出近场光。从各贯通孔(13)输出的近场光通过受光面(4a、4b、4c)到达光吸收层(4)。光吸收层(4)产生与受光量相对应的电荷。由于天线层(11a、11b、11c)的凸部12的周期间隔(Λa、Λb、Λc)互不相同，在每个天线层(11a、11b、11c)与表面等离子体振子结合的光的波长成分都不同。因此，可以检测出多个波长成分的光。
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公开(公告)号：CN101572201A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910135940.0
申请日：2009-04-30
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J1/34
CPC classification number: H01J31/50 , H01J1/34 , H01J40/06 , H01J2231/5001
Abstract: 本发明所涉及的光电阴极(1)具备：由单结晶的化合物半导体构成的支撑基板(11)、被设置于支撑基板(11)上并且具有比该支撑基板(11)的能带隙更小的能带隙、吸收透过支撑基板(11)的入射光而产生光电子的光吸收层(13)、被设置在光吸收层(13)上并且使光吸收层(13)的工作函数降低的表面层(15)；支撑基板(11)由Al(1－X)GaXN(0≤X＜1)形成，光吸收层(13)由选自Al、Ga以及In的至少一种成分与N构成的化合物半导体形成。
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公开(公告)号：CN101192642A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196173.5
申请日：2007-11-29
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01L33/30 , H01L31/03046 , H01L31/1035 , H01L33/02 , H01L33/025 , H01L33/305 , Y02E10/544
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其具有某一方作为光感应层或发光层而起作用，并以低浓度掺杂p型杂质且异质接合的第一以及第二III－V族化合物半导体层。第二III－V族化合物半导体层的能带宽度小于第一III－V族化合物半导体层的能带宽度。使用Be或C作为各半导体层中的p型掺杂物。这时，第二III－V族化合物半导体层可以层叠在第一III－V族化合物半导体层上。而且，第一III－V族化合物半导体层和第二III－V族化合物半导体层可以含有(In、Ga、Al)和(As、P、N)中的至少各一种以上。
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公开(公告)号：CN1482646A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03178790.8
申请日：1997-10-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/94 , H01J1/304 , H01J2201/30426 , H01J2201/30457 , H01J2329/00
Abstract: 本发明涉及电子管，其具有可长时间保持其工作稳定性的结构。该电子管至少包括：场致发射体，由金刚石或主要由金刚石组成的材料制成，并有其末端是氢的表面；和密封管壳，装有金刚石场致发射体。利用氢的末端，可把金刚石场致发射体的电子亲和势设置为负值。此外，把氢密封在密封管壳内。由于这种结构，金刚石场致发射体表面末端的氢状态稳定，并且场致发射体的电子亲和势在长时间内不会改变。
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公开(公告)号：CN1134044C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN97122417.X
申请日：1997-11-06
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J43/045 , H01J1/32 , H01J43/10
Abstract: 本发明涉及到传输式电子倍增器与其配套的电子管。该传输式电子倍增器具有高的二次电子产生率和一种容许被检测光入射检测位置的结构。电子管包括：封闭容器；放置在封闭容器中的电子源，向封闭容器中发射电子；面对电子源的阳极；安置在电子源和阳极之间的传输式电子倍增器。该传输式电子倍增器包含有用金刚石或用以金刚石为主要成分的材料作成的薄膜，和用来加固薄膜的加固部件，加固部件还有显露一部分薄膜的孔。
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