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公开(公告)号：CN109347516B
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201811539625.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种动态自适应多径查找方法，属于无线通信技术领域，解决了现有的多径搜索方法会受到信道的时变性的影响从而导致搜索正确率不高的问题。本发明在每一径信号中采用动态自适应门限进行多径估计及查找，相比于现有技术中采用固态门限的方法，最终得到的误码率有显著减小，查找得到的多径更加稳定，从而有效降低了信道的时变性对多径搜索的影响。
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公开(公告)号：CN110265477A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910572446.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L27/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有PNP穿通三极管的IGBT器件，P型第二集电区、N型第二基区与分立浮空Pbody区形成PNP三极管结构；器件正向导通时，PNP三极管结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过在金属电极上串联的二极管进一步减小泄露电流；关断时PNP三极管穿通提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，PNP三极管穿通，增加了器件耐压能力。
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公开(公告)号：CN110148628A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910573447.0
申请日：2019-06-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有SCR结构的IGBT器件，本发明通过在分立浮空Pbody区内使第一N型区、P型区、第二N型区与P+浮空Pbody区形成SCR结构，器件正向导通时，SCR结构不导通，并储存空穴增强电导调制，并通过金属电极串联二极管进一步降低泄露电流；关断时提供空穴泄放通道，降低关断时间，达到在不影响其他电学特性的情况下，降低了开关时间和开关损耗；器件处于阻断状态下，SCR结构穿通，增加了器件耐压能力。
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公开(公告)号：CN107328478B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201710455116.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/00
Abstract: 该发明公开了一种基于三波段辐射光测量涡轮叶片温度及发射率的方法，属于辐射测温技术领域，应用在航空发动机涡轮叶片表面温度测量。通过测量涡轮叶片辐射光线在短、中、长三个波段的辐射能量，然后设定调节变量，计算出涡轮叶片在各波段的真实辐射能量，在利用两个波段的真实辐射能量计算出涡轮叶片在多个计算温度，根据得到的多个涡轮叶片的温度的大小对调节变量进行适当的调整，直至满足结束计算的条件，得到了涡轮叶片的真实温度，再利用真实温度和黑体计算出涡轮叶片在当前工作条件下的发射率，该计算涡轮叶片表面温度和发射率的方法，能极大的提高涡轮叶片表现温度的测量精度，并且计算量小，能达到到实时测量的要求。
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公开(公告)号：CN109347516A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811539625.X
申请日：2018-12-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种动态自适应多径查找方法，属于无线通信技术领域，解决了现有的多径搜索方法会受到信道的时变性的影响从而导致搜索正确率不高的问题。本发明在每一径信号中采用动态自适应门限进行多径估计及查找，相比于现有技术中采用固态门限的方法，最终得到的误码率有显著减小，查找得到的多径更加稳定，从而有效降低了信道的时变性对多径搜索的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108400099A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201810061935.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明针设计了一种针对氮化物外延生长过程中薄膜纵向温度的测量方案，属于半导体测量技术领域。外延生长技术是现在制备氮化物材料最有效的方法之一，其在生长过程中的温度制约着器件的性能，且由于复杂严格的薄膜生长反应环境，直接用热电偶测量难度较大。一般采用非接触式测温法测量基底石墨盘温度，但是由于基底温度很高，导致薄膜梯度生长过程中纵向温度梯度较大，从而无法对外延薄膜生长情况进行精确控制。本发明分别采用紫外与红外辐射测温方法测量了外延层表面的温度和衬底底面石墨盘的温度，采用有限元仿真的方法对衬底底面到外延层表面进行了热场分析，得到了从衬底到外延层的纵向温度场，为氮化物生长过程中温度的调控提供了有利依据。
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公开(公告)号：CN108254912A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810061974.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种氮化物MOCVD外延生长过程中对外延薄膜的生长模式实时监测的微区显微成像系统。系统由观察窗口、成像镜组、CCD摄像机及图像采集卡、图像显示中心组成。其中观察窗口位于MOCVD反应腔中石墨载盘顶部，该观察窗口采用较厚的石英镜片，防止反应腔内温度传出损伤镜片。外延片的生长信息通过石英镜片构成的观察窗口，传递到折反射设计的成像镜组。成像镜组采用特殊的折反射设计方式控制了光线的纵向体积，减小了系统的像差，保证成像的清晰度并减小了成像系统的体积。该成像镜组的光学放大倍率为10×，将所测外延片的像被CCD摄像机接收时放大10倍，再通过图像采集卡传递到图像显示器中，最终在图像显示器中观察到优于1um的分辨率的图像。本发明设计的生长模式显微观察系统，分辨率大于1um,能够区分2D生长和3D生长模式，可观察外延片是否有螺型位错产生，实时观察MOCVD外延片在生长过程中的生长模式。
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公开(公告)号：CN108200665A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810094646.9
申请日：2018-01-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种远程无线电头和基带处理单元的资源调度优化方法，对现有的RRH与BBU资源分配算法进行改进，将混合化学反应优化算法应用于RRH与BBU之间的调度分配，不仅可以降低RRH与BBU的分配功耗，还可以降低运营商在C-RAN中对电力资源的投入，从而达到环保节能的效果。
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公开(公告)号：CN107516680A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201710694501.8
申请日：2017-08-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/42356
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种分裂栅功率MOS器件。本发明与传统的分裂栅功率MOS相比，引入高K介质作为屏蔽栅的栅介质层，且将屏蔽栅上方的控制栅一分为二。器件在正向阻断时，高K介质增强辅助耗尽漂移区，提高了漂移区浓度，有利于降低比导通电阻；正向导通时，靠近高K介质的漂移区产生电子积累层，高K介质增强了积累效应，进一步降低了比导通电阻。器件在开关过程中，控制栅与屏蔽栅通过高K介质进行强耦合，极大地降低了栅漏电容；同时分立的控制栅减小了交叠面积，进一步降低了栅源电容和总栅电荷。本发明相比于传统分裂栅功率MOS，具有更低的比导通电阻和栅漏电荷，显著改善了QGD×RDS(on)优值，降低了驱动损耗和开关损耗。
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公开(公告)号：CN107328478A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710455116.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01J5/00
CPC classification number: G01J5/00
Abstract: 该发明公开了一种基于三波段辐射光测量涡轮叶片温度及发射率的方法，属于辐射测温技术领域，应用在航空发动机涡轮叶片表面温度测量。通过测量涡轮叶片辐射光线在短、中、长三个波段的辐射能量，然后设定调节变量，计算出涡轮叶片在各波段的真实辐射能量，在利用两个波段的真实辐射能量计算出涡轮叶片在多个计算温度，根据得到的多个涡轮叶片的温度的大小对调节变量进行适当的调整，直至满足结束计算的条件，得到了涡轮叶片的真实温度，再利用真实温度和黑体计算出涡轮叶片在当前工作条件下的发射率，该计算涡轮叶片表面温度和发射率的方法，能极大的提高涡轮叶片表现温度的测量精度，并且计算量小，能达到到实时测量的要求。
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