-
公开(公告)号：CN102446934A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110300013.7
申请日：2011-09-30
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H01L2224/04042 , H01L2224/48463 , H01L2924/12043 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及固态摄像器件及其制造方法和采用该固态摄像器件的电子装置。所述固态摄像器件包括：基板，在所述基板中形成有多个像素，所述像素包括光电转换器；布线层，其包括多层的布线，所述布线经由层间绝缘膜形成在所述基板的前表面侧；基电极焊盘部，其包括形成在所述布线层中的所述布线的一部分；开口，其从所述基板的后表面侧起贯穿所述基板并到达所述基电极焊盘部；以及埋入电极焊盘层，其通过化学镀膜法形成为埋入所述开口中。根据本发明，能够获得包括可实现稳定接合的电极焊盘的固态摄像器件，并能够获得其片上透镜的形状得到优化的固态摄像器件。
-
公开(公告)号：CN102082156A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010553219.6
申请日：2010-11-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H04N9/07
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件制造方法以及电子装置。所述固体摄像器件包括：半导体层；绝缘材料，它处于穿透所述半导体层的开口中；以及保护膜，它具有耐蚀刻性，并覆盖着所述绝缘材料的位于所述半导体层内侧的一端部。所述固体摄像器件制造方法包括如下步骤：形成穿透半导体层的开口；用绝缘材料填充所述开口；并且在所述开口的位于所述半导体层内侧的一端部处，形成具有耐蚀刻性的保护膜。根据本发明，能够在不会增加工序数量的前提下获得具有高可靠性的固体摄像器件。另外，能够获得使用该固体摄像器件的电子装置。
-
公开(公告)号：CN102082153A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010524878.7
申请日：2010-10-29
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H04N5/361 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689 , H04N5/2176 , H04N5/374 , H04N5/37457 , H04N5/378
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、其制造方法、照相机和电子设备。该固体摄像器件包括：光电二极管，其具有第一导电型半导体区，为呈矩阵形式布置在半导体基板的感光表面上的每个像素分别形成；第一导电型传输栅极电极；信号读取单元；以及反型层感应电极，其在覆盖一部分或整个所述光电二极管的区域中隔着所述栅极绝缘层形成在所述半导体基板上，并且由功函大于所述传输栅极电极的功函的导体或半导体构成，其中，感应出反型层，这是通过所述反型层感应电极在所述半导体区的所述反型层感应电极侧的表面上累积第二导电型载流子来形成的。根据本发明，能够提供改善图像质量的固体摄像器件。
-
公开(公告)号：CN110289275B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910496754.3
申请日：2013-07-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光检测设备。所述光检测设备可包括：第一像素，其包括第一光电二极管；第一浮置扩散区域，其对应于所述第一光电二极管；第一转移栅极，其对应于所述第一光电二极管；其中，在平面图中，所述第一浮置扩散区域的接触部和所述第一转移栅极的接触部沿一条直线设置。
-
公开(公告)号：CN110289276B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910497259.4
申请日：2013-07-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种光检测设备。该光检测设备可包括：第一光电二极管；浮置扩散的第一浮置扩散区域，其对应于所述第一光电二极管；第一转移栅极，其对应于所述第一光电二极管；第一阱区域，其对应于所述第一光电二极管；其中，在平面图中，所述第一浮置扩散区域设置在所述第一光电二极管的第一拐角处，并且其中，所述第一阱区域设置在所述第一光电二极管的第二拐角处。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109599407B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201811220578.2
申请日：2014-03-27
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及成像装置。该成像装置可包括：基板；基板中的第一、第二和第三光电转换区域，第二光电转换区域邻近于第一光电转换区域，第三光电转换区域邻近于第二光电转换区域；第一沟槽，位于第一和第二光电转换区域之间；以及第二沟槽，位于第二和第三光电转换区域之间，其中，在横截面上，第一光电转换区域的面积大于第二光电转换区域的面积，第一沟槽沿第一光电转换区域的第一侧壁延伸第一距离，第一距离是沿第一侧壁从第一光电转换区域的第一光接收表面至第一沟槽的端部测定的，第二沟槽沿第二光电转换区域的第二侧壁延伸第二距离，第二距离是沿第二侧壁从第二光电转换区域的第二光接收表面至第二沟槽的端部测定的，第一距离大于第二距离。
-
公开(公告)号：CN108281451A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810095611.7
申请日：2013-07-08
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1469 , H01L27/14612 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 这里描述固态成像装置以及制造固态成像装置的方法。作为示例，该固态成像装置包括形成在传感器基板上的第一配线层和形成在电路基板上的第二配线层。传感器基板连接到电路基板，第一配线层和第二配线层设置在传感器基板和电路基板之间。第一电极形成在第一配线层的表面上，并且第二电极形成在第二配线层的表面上。第一电极与第二电极电接触。
-
公开(公告)号：CN102082156B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010553219.6
申请日：2010-11-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14603 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H04N9/07
Abstract: 本发明公开了固体摄像器件、固体摄像器件制造方法以及电子装置。所述固体摄像器件包括：半导体层；绝缘材料，它处于穿透所述半导体层的开口中；以及保护膜，它具有耐蚀刻性，并覆盖着所述绝缘材料的位于所述半导体层内侧的一端部。所述固体摄像器件制造方法包括如下步骤：形成穿透半导体层的开口；用绝缘材料填充所述开口；并且在所述开口的位于所述半导体层内侧的一端部处，形成具有耐蚀刻性的保护膜。根据本发明，能够在不会增加工序数量的前提下获得具有高可靠性的固体摄像器件。另外，能够获得使用该固体摄像器件的电子装置。
-
公开(公告)号：CN102082154A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010543913.X
申请日：2010-11-15
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及固体摄像器件、其制造方法以及将使用该固体摄像器件的电子装置。所述固体摄像器件包括：具有光电二极管和像素晶体管的像素；在相邻所述光电二极管之间形成的第一隔离区域，该第一隔离区域使用了包含杂质的半导体区域；在所述光电二极管与所述像素晶体管之间形成的第二隔离区域，该第二隔离区域使用了包含杂质的半导体区域；其中，所述第一隔离区域的杂质浓度不同于所述第二隔离区域的杂质浓度。根据本发明能够提供改善如饱和特性、灵敏度和混色等像素特性的固体摄像器件。
-
公开(公告)号：CN101835001A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010105821.3
申请日：2010-01-28
Applicant: 索尼公司
CPC classification number: H04N5/2353 , H01L27/14656 , H04N5/3591
Abstract: 本发明提供一种固态摄像装置、固态摄像装置的驱动方法以及摄像装置。同时复位像素阵列部的所有像素并开始曝光，在曝光期间内将溢流路径保持为开放的状态。之后，在从关闭机械快门而结束曝光开始到从像素读取信号为止的期间内，降低FD部的电位，转移晶体管(22)的栅极下的沟道的电势由于此时因寄生电容(C)产生的电容耦合而变低。即，通过降低FD部的电位时的电容耦合，将溢流路径向封闭的方向驱动。由此，在使用机械快门来执行所有像素同时曝光时，抑制了越是靠后读取的像素、关闭了机械快门后的像素内的电荷越是减少的现象。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.023 seconds)
