公开(公告)号：CN106252314B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201510844723.4

申请日：2015-11-26

申请人： 意法半导体(克洛尔2)公司 ,  意法半导体有限公司

发明人： N·奥特利耶 ,  R·富尔内尔 ,  F·加内塞罗 ,  F·居亚代 ,  V·菲奥里

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/762

CPC分类号： H05K1/0216 ,  H01L21/762 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/764 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2924/00014 ,  H05K1/111 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0011 ,  H01L2224/05599

摘要： 一种电子器件，具有后板，该后板包括衬底后层、衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。衬底后层包括实心的局部区域以及空心的局部区域。空心的局部区域在所有的衬底后层上延伸。衬底后层并不覆盖对应于空心的局部区域的电介质中间层的至少一个局部区带。

公开(公告)号：CN109638633A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811171987.8

申请日：2018-10-09

申请人： 肖特股份有限公司

发明人： A·奥尤都马萨克 ,  K·德勒格米勒 ,  R·琼沃思 ,  M·Y·方

IPC分类号： H01S5/022 ,  H01S5/042

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48249 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/30111 ,  H01S5/02212 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/189 ,  H05K3/3447 ,  H01L2924/00014 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/042

摘要： 本发明涉及一种TO‑壳体，其具有用于光电元件的支座。所述支座包括电穿通件，所述电穿通件被设计成嵌入填料中的连接销。所述支座包括凹槽，在所述凹槽中，所述连接销中的至少一个在所述穿通件中的一个中被从所述支座的底侧中引出。

公开(公告)号：CN109148420A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810654540.X

申请日：2018-06-22

申请人： 意法半导体公司

发明人： F·R·戈麦斯 ,  T·曼高昂 ,  J·塔利多

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/49 ,  H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/4952 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L22/12 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/60 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2223/544 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85013 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49503 ,  H01L2224/48249 ,  H01L2224/852

摘要： 本公开涉及在半导体芯片制造过程期间防止ESD。根据如本文所解释的本公开的原理，选定的引线通过金属带被电连接到引线框架，直到制造过程结束。引线框架通过制造过程接地，以防止任何ESD事件对受保护的引线造成损坏。在最后的分割步骤中，引线彼此电隔离并与引线框架电隔离，从而维持保护免受潜在的ESD事件直到最后封装分割步骤。

公开(公告)号：CN105895624B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201610037319.0

申请日：2016-01-20

申请人： 东琳精密股份有限公司

发明人： 林殿方

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48147 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247

摘要： 本发明是有关于一种多芯片堆叠封装结构及其制造方法，该多芯片封装结构包括：一基板，包括多个电性连接垫；一第一芯片，其一下表面黏贴于该基板上；一第二芯片，是以交叉错位方式黏贴于该第一芯片的一上表面上；一间隔件，是以与该第二芯片交叉错位方式设置于第二芯片的一上表面上；以及一第三芯片，是以与该间隔件交叉错位方式设置于该间隔件的一上表面上，使得该第三芯片的一端与该间隔件的一端形成一第一间距。由此，改变打线受力点的位置，以降低打线时芯片断裂的风险。

公开(公告)号：CN108807317A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710834344.6

申请日：2017-09-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 葛贝夫·辛格 ,  李智铭 ,  林其谚 ,  郭文昌 ,  刘洲宗

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/06 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/78 ,  H01L22/34 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/525 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53261 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L24/03 ,  H01L29/0649 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03827 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/061 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/1308

摘要： 一种半导体装置的制造方法，包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接触衬垫上，以及沉积第二缓冲层在第一缓冲层及第二接触衬垫上。第一接触衬垫是在电路区域内，且第二接触衬垫是在非电路区域内。第二接触衬垫的边缘是被暴露，而第一接触衬垫的周围及第二接触衬垫的边缘是被第一缓冲层覆盖。

公开(公告)号：CN108735699A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810342630.5

申请日：2018-04-17

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 武直矢

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05638 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/0483 ,  H01L2924/386

摘要： 本发明提供一种抑制接合焊盘间的短路的技术。半导体装置具有：半导体基板；第一接合焊盘，设在所述半导体基板的上表面，且由含有铝的金属构成；及第二接合焊盘，设在所述半导体基板的所述上表面。所述第一接合焊盘的上表面以越接近所述第二接合焊盘则越位于上方的方式倾斜。

公开(公告)号：CN108735698A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810261605.4

申请日：2018-03-27

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 大部功 ,  梅本康成 ,  柴田雅博 ,  那仓健一

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L27/06 ,  H01L21/60

CPC分类号： H03F1/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/28575 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0248 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0652 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/452 ,  H01L29/66204 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/861 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0362 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10337 ,  H01L2924/13051 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H03F3/195 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/426 ,  H03F2200/444

摘要： 本发明提供一种在使用了包含化合物半导体的基板的半导体装置中，能够抑制芯片面积的增大的半导体装置。在包含化合物半导体的基板上形成电路元件。在电路元件上，接合焊盘被配置为与电路元件至少局部重叠。接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。

公开(公告)号：CN108695284A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201710224640.4

申请日：2017-04-07

申请人： 晟碟信息科技(上海)有限公司

发明人： 刘扬名 ,  邱进添 ,  姬忠礼 ,  董少鹏 ,  周增钰

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/566 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/071 ,  H01L25/074 ,  H01L25/0756 ,  H01L25/105 ,  H01L25/117 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1435 ,  H01L2924/14361 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/488

摘要： 公开了一种半导体设备，所述半导体设备至少包括第一组和第二组纵向堆叠且互连的半导体封装体。所述第一组和第二组半导体封装体可以在封装体数量以及功能上彼此不同。

公开(公告)号：CN108630743A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710728631.9

申请日：2017-08-23

申请人： 东芝存储器株式会社

发明人： 藤田努 ,  大野天颂 ,  南中理

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L29/34 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3247 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/4502

摘要： 本发明的实施方式提供一种提升了密接性和强度的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备半导体元件。所述半导体元件在基板的侧面具有至少两个弯曲部，所述弯曲部沿着设于所述基板的改质带形成。所述两个弯曲部在和所述基板表面垂直的方向及平行的方向，相互错开地形成。所述侧面之中和所述两个弯曲部相接的面的任一部分为解理面。所述两个弯曲部之中，从所述基板背面侧的弯曲部到所述基板背面为止的所述基板的侧面，和所述基板表面大体垂直。

公开(公告)号：CN108461457A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810065539.3

申请日：2013-11-04

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 金田芳晴

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49503 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49505 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01046

摘要： 一种半导体器件及其制造方法，谋求半导体器件的低成本化。封装(7)的多条引线的针脚式接合部(3bc)包括最表面被实施了Ag镀层(8b)的第1区域(3bd)、和最表面被实施了Ni镀层(8a)的第2区域(3be)，第2区域配置在芯片焊盘(3a)侧，第1区域配置在封固体(4)的周缘部侧。因此，在各针脚式接合部中，能够通过第1区域和第2区域区分对最表面实施的电镀层种类，并能够使粗的Al导线(6b)与第2引线(3bb)的第2区域连接，使细的Au导线(6a)与第1引线(3ba)的第1区域连接。其结果为，能够避免仅使用Au镀层的情况，从而谋求封装(7)的低成本化。