公开(公告)号：CN101556964A

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200910117896.0

申请日：2009-04-09

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 田谷圭司 ,  松本拓治 ,  舘下八州志 ,  古闲史彦 ,  永野隆史 ,  豊岛隆宽 ,  山口哲司 ,  中泽圭一 ,  宫下直幸 ,  长滨嘉彦

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/82 ,  H01L21/762 ,  H04N5/335

Abstract: 本发明公开了一种固体摄像器件，其包括像素部、周边电路部、以浅沟槽隔离结构形成在所述周边电路部中的半导体基板上的第一隔离区域以及以浅沟槽隔离结构形成在所述像素部中的半导体基板上的第二隔离区域。所述第二隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分比所述第一隔离区域的埋入到所述半导体基板中的部分浅，且所述第二隔离区域的顶面的高度等于所述第一隔离区域的顶面的高度。本发明还公开了该固体摄像器件的制造方法以及设有该固体摄像器件的电子装置。本发明可以实现处理步骤的减少以及包括灵敏度的像素特性的改善。

公开(公告)号：CN101471368A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200810187316.0

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离。

公开(公告)号：CN102184932B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201110121438.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 池田晴美 ,  桧山晋 ,  安藤崇志 ,  田渕清隆 ,  山口哲司 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/361

Abstract: 本发明涉及固态成像装置、其制造方法及成像设备。一种具有光电转换入射光的光接收部的固态成像装置，包括：在光接收部的光接收面上形成的绝缘膜；及在绝缘膜上形成的具有负固定电荷的膜。在光接收部的光接收面侧形成空穴聚集层。在光接收部的一侧设置形成了外围电路的外围电路部。绝缘膜在外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间形成，使得外围电路部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离大于光接收部的表面与具有负固定电荷的膜之间的距离，其中，具有负固定电荷的膜形成在背面照射的成像装置的光电传感器的表面之上。

公开(公告)号：CN103700681A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310737987.0

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/148 ,  H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置（1）包括对入射光进行光电转换的光接收部分（12）。该固态成像装置（1）具有形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上以降低界面态的膜（21），以及形成在形成为降低界面态的膜（21）上且具有固定负电荷的膜（22）。空穴积聚层（23）形成在光接收部分（12）的光接收表面（12s）上。

公开(公告)号：CN103390627A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310232383.0

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN101079967B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200710128250.3

申请日：2007-02-25

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 丸山康 ,  山口哲司 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  大岸裕子

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0224

Abstract: 本发明提供一种固态成像装置，包括具有第一表面和第二表面的衬底，光入射在第二表面侧；设置在第一表面侧的布线层；形成在衬底中且包括第一导电类型的第一区的光电检测器；设置在衬底的第一表面上且邻近光电检测器的转移栅极，转移栅极传输积累在光电检测器中的信号电荷；设置在衬底的第一表面且叠置在光电检测器上的至少一个控制栅极，控制栅极控制第一表面附近该光电检测器的电势。

公开(公告)号：CN101409301B

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN200810161899.X

申请日：2008-10-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 押山到 ,  安藤崇志 ,  桧山晋 ,  山口哲司 ,  大岸裕子 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/822 ,  H04N5/225

Abstract: 本发明公开了一种具有执行入射光的光电转换的感光部的固态成像装置及其制造方法和成像装置，该固态成像装置包括：形成在所述感光部的光接收面上的绝缘层；形成在所述绝缘层上的具有负电荷的层；以及形成在所述感光部的所述光接收面上的空穴聚集层。利用本发明的固态成像装置，因为暗电流能够被抑制，所以成像图像中的噪声能够被减小。结果，具有能够获得高质量图像的优势。

公开(公告)号：CN101740590B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200910208383.0

申请日：2009-11-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 松本拓治 ,  田谷圭司 ,  山口哲司 ,  中田征志

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括：被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部；被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部；和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中，在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中，栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。

公开(公告)号：CN102280463A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110226438.8

申请日：2007-08-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司 ,  大岸裕子 ,  安藤崇志 ,  池田晴美

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14636 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14683 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/14868

Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21)，以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。

公开(公告)号：CN101740597A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910226486.X

申请日：2009-11-20

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 山口哲司

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14687

Abstract: 本发明涉及固态成像装置、固态成像装置的制造方法和成像设备。该固态成像装置在半导体基板上包括具有多个像素的像素部分，所述像素部分设置有：光电转换部分，对入射光进行光电转换以获得信号电荷；和像素晶体管部分，将从光电转换部分读取的信号电荷转换成电压，其中布置在像素部分中的元件隔离区域包括埋入布置在半导体基板中的沟槽中的绝缘膜，并且该绝缘膜包括具有负电荷的绝缘膜。