-
公开(公告)号：CN113162165B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110384071.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明一种基于互感可控的单向无线充电控制方法，包括：系统启动过程中，互感追踪控制算法根据各电量之间的关系使原边发射线圈发生相应水平方向位移，以控制互感达到系统设定值；系统启动完成后，利用充电电压控制环路及充电电流控制环路调节一次侧逆变器的移相角，以控制二次侧电池的充电电压及充电电流；系统运行过程中，互感滞环控制算法根据逆变器稳态移相占空比，确定当前系统运行工况，使原边发射线圈发生相应水平方向位移，以自动寻找高效充电工作点；最优工作频率算法根据当前负载电阻值计算出最优工作频率，以控制一次侧逆变器工作频率等于最优工作频率。本发明将互感值作为系统运行过程中的控制变量之一，增加了系统控制的灵活度。
-
公开(公告)号：CN115688509A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211192923.2
申请日：2022-09-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种多芯片SiC MOSFET并联功率半导体模块的电热联合仿真方法，包括以下步骤：1)基于所述多芯片SiC MOSFET并联功率半导体模块的三维模型初始化SPICE仿真文件及COMSOL有限元仿真文件；2)在仿真给定的工况条件下，多芯片SiC MOSFET并联功率半导体模块稳态工作时，计算多芯片SiC MOSFET并联功率半导体模块的母线电压及负载电流，并将其写入SPICE仿真文件中；3)给定联合仿真的迭代初始温度、收敛条件及最大迭代次数；4)修改SPICE仿真文件中SiC MOSFET芯片的结温为迭代初始温度，并通过操作SPICE软件进行仿真；5)求解多芯片SiC MOSFET并联功率半导体模块内各SiC MOSFET芯片的损耗功率；6)提取各SiC MOSFET芯片的结温，该方法具有收敛性好、仿真效率高、仿真准度高以及适应性较广的特点。
-
公开(公告)号：CN113176429A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110333860.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种电流传感器，包括罗氏线圈和磁阻传感器，罗氏线圈为多匝结构，罗氏线圈用于测量被测电路电流的交流分量，磁阻传感器用于测量被测电路电流的直流及低频分量；罗氏线圈和磁阻传感器分别经对应的信号处理电路将罗氏线圈和磁阻传感器的输出整合成波形。本发明通过合理布局，在保证小尺寸的前提下，将PCB罗氏线圈和磁阻传感器相结合，弥补了二者各自的不足，提高了传感器的测量带宽。使其可以应用于功率模块内部的电流测量。
-
公开(公告)号：CN113097154A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110304159.2
申请日：2021-03-22
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种双向开关功率模块及其制备方法，覆铜基板DBC的一侧表面依次设置有驱动端子、碳化硅MOSFET芯片和功率端子，碳化硅MOSFET芯片包括多个且间隔设置，多个碳化硅MOSFET芯片之间两两一组并联连接形成两个不同方向的电力电子开关，每个碳化硅MOSFET芯片的栅极和源极分别经驱动电阻与驱动端子连接，多个碳化硅MOSFET芯片设置在同一片铜基板上，源极分别与功率端子连接，形成共漏极连接。本发明具有更高的工作频率，更好的可靠性，更低的热阻及良好的电气性能。
-
公开(公告)号：CN109622078A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811511307.2
申请日：2018-12-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: B01L3/00
Abstract: 一种用于非牛顿流体中颗粒单一位置富集的微流控芯片，由盖片层和载片组成,在盖片层上开设有颗粒混合液加液区、颗粒富集微通道、流体扩张观测区、和液体排液区；颗粒混合液由颗粒混合液加液区进入颗粒富集微通道，经过颗粒富集微通道，颗粒富集至单一位置，经流体扩展区进行观测记录，最后颗粒液由液体排出区流出进行处理；本发明可实现非牛顿流体中颗粒的单一位置富集，本发明具有加工容易、结构简单、成本低、便于携带等优点，在生物医学及食品科学等领域有重要应用潜力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103313063B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310180282.3
申请日：2013-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H04N19/89
Abstract: 本发明公开了一种基于双解码模拟的H.264/AVC视频调度方法：（1）对每个待发送的H.264/AVC视频包计算其包质量贡献指数PQCI，PQCI由两类失真计算得到，每类失真包括两部分：视频包对当前帧的质量贡献和视频包对后续帧的质量贡献。（2）计算视频包对自身的质量贡献时，采用基于双解码模拟的方法，在发送端纳入两个解码器进行失真估计，并求得质量贡献。（3）计算视频包对后续帧的质量贡献时，采用扩散因子加权的方法进行求解。（4）按照PQCI的大小对待发送视频包进行排序调度后进行视频包的发送。本发明提高了接收端解码后的视频质量，提升了无线网络中视频传输的性能，并最终改善接收端的用户体验。
-
公开(公告)号：CN103269457A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310180283.8
申请日：2013-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H04N21/647 , H04N7/26
Abstract: 本发明提供一种基于失真估计的H.264/AVC视频包优先级调度方法：（1）对每个待发送的H.264/AVC视频包计算其包优先级指数PPI，其中，PPI由两类失真计算得到，每类失真包括两部分：视频包对当前帧造成的失真和视频包对后续帧的造成的失真；（2）计算视频包对当前帧造成的失真时，采用了一种基于失真估计模型的预测方法；（3）计算视频包对后续帧的造成的失真时，采用了利用扩散失真因子对失真估计模型所得失真进行加权的方法来求解；（4）在调度时，按照PPI的大小对待发送视频包进行排序调度后进行视频包的发送，本发明提高了接收端解码后的视频质量，提升了无线网络中视频传输的性能。
-
公开(公告)号：CN119727681A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411891487.7
申请日：2024-12-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H03K17/081 , H03K17/687
Abstract: 本发明公开了一种高压碳化硅MOSFET的保护电路、装置及方法，属于保护电路技术领域。本发明提供的保护电路，能够及时识别并处理短路故障，为高压碳化硅MOSFET提供全面的电路保护，通过完全开通检测电路和栅极电压检测电路的协同工作，实现了硬开关短路故障的识别，通过完全开通检测电路和漏源电压检测电路的设置，实现了负载短路故障的识别；当识别到待保护高压碳化硅MOSFET存在硬开关短路故障或者负载短路故障时，逻辑处理电路能够迅速接收相关信号并作出准确判断，对外部PWM控制信号进行闭锁，输出相应的电平信号，电平信号通过第一驱动电路和第二驱动电路，实现对MOSFET的快速关断，有效保护器件。
-
公开(公告)号：CN118971636A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411034065.8
申请日：2024-07-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于高压混合器件的中压功率模组PCB母排结构的布局结构，包括正桥臂电容组、负桥臂电容组以及设置于负桥臂电容组与正桥臂电容组之间的主要母排层及器件层，该布局结构能够在保证换流回路对称的前提下，减小各并联支路的杂散参数不对称性，并针对电场优化达到无局放设计的同时最优化寄生电感，有利于变换器的安全稳定高效运行。
-
公开(公告)号：CN118091201A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410230748.4
申请日：2024-02-29
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R1/04 , H01R13/02 , H01R13/53 , H01R13/40 , G01R31/327
Abstract: 本发明涉及中高压电子器件领域，尤其涉及一种于中高压领域的防止空气闪络的双脉冲测试用直流电容母排。该母排结构由若干层绝缘层及若干层母排组成，可实现电容的串并联，可并联电阻实现均压。第一层母排具有正接线端，最后一层母排具有负接线端，用以与待测器件连接。第一层及最后一层绝缘层表面通过采用激光飞秒工艺刻蚀微型结构，能够在极小的爬电距离下防止空气下的沿面闪络。母排正负接线连接处采用防闪络板，有效避免连接被测件后的沿面闪络。本发明可以降低直流母排的寄生参数，同时可以减小沿面闪络的风险，提升中高压情况下母排使用的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
35
records
(took 0.024 seconds)
