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公开(公告)号：CN116938240A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310671704.0
申请日：2023-06-07
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
摘要： 本发明公开了一种用于SAR ADC中split开关时序的电容失配自校准方法，包括：设定校准起始位；在校准采样阶段：将待校准电容CL(q+1)p的下极板由电源电压切换至接地端，待校准电容CL(q+1)ns的下极板由接地端切换至电源电压，并获取电容上极板的电压变化量；校准量化阶段：由最低位电容到第q位电容组成的校准子DAC进行量化得到数字码，并根据数字码得到当前待校准电容的校准值；依次校准第二电容阵列和第四电容阵列中的电容，当第二电容阵列和第四电容阵列中的电容均校准完后，计算实际级间增益并根据实际级间增益校准第一电容阵列和第三电容阵列中的电容；计算并存储级间增益误差和校准系数。
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公开(公告)号：CN114499525A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111566914.0
申请日：2021-12-20
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H03M1/12
摘要： 本发明公开了一种用于UWB系统的高速采样缓冲器电路，包括驱动模块、栅压自举开关模块和采样模块，其中，驱动模块用于输入待采样差分信号并降低待采样差分信号的输出阻抗，以提高后续对栅压自举开关模块和采样模块的驱动能力；栅压自举开关模块用于控制采样开关的打开和闭合，控制采样开关的栅压变化跟踪在驱动模块的输出差分信号的变化并使采样开关的栅源电压在输出差分信号变化的过程中保持恒定；采样模块用于在采样开关打开时对待采样差分信号进行采样，以获得采样信号。该缓冲器电路由驱动模块、栅压自举开关模块和采样模块，驱动模块由高线性度的共漏极放大器构成，提高了采样电路的线性度，采样模块与驱动模块采用电荷翻转型结构实现采样。
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公开(公告)号：CN114095014A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111194282.X
申请日：2021-10-13
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H03K19/0948 , H03K19/017 , H02H3/08
摘要： 本发明公开了一种4‑8通道高速CMOS驱动芯片，包括：单通道驱动电路、保护电路和输出电路，单通道驱动电路用于将输入的数字信号转换为第一预设电压，保护电路用于在过温或过流时关断CMOS驱动芯片，输出电路用于提高CMOS驱动芯片的输出电压范围；单通道驱动电路中，三态控制模块用于控制输出电路切换不同工作模式，电源电压检测模块用于在检测到第一预设电压VS‑从零开始减小至预设阈值时，控制电平转换器切换至高/低电平输入模式，电平转换器用于将输入的数字信号平移至第二预设电压，并转化为具有固定上升下降沿延迟的输出信号。该驱动芯片能够提高开关速度和驱动能力，使动态开关损耗降至最低，并保证芯片的正常工作。
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公开(公告)号：CN117254803A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311287247.1
申请日：2023-10-07
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
摘要： 本发明涉及一种应用于延迟锁相环的差分型电荷泵电路，包括：Cascode电流镜电路和开关电路，其中，Cascode电流镜电路包括：基本电流镜和改进Cascode电路，基本电流镜用于复制电流源的电流，并将复制得到的电流输入至改进Cascode电路；改进Cascode电路用于根据电流产生充电电流和放电电流，通过增加的串联MOS管增大开关电路输出的控制电压的摆幅；开关电路为差分型结构的开关电路，用于根据鉴频鉴相器输出的脉冲控制信号，控制Cascode电流镜电路的充电和放电，通过低通滤波器产生控制电压。本发明利用改进的Cascode电路结构降低充放电支路上的过驱动电压，产生一组低失配率的电荷泵充放电电流，经由一级滤波得到宽摆幅的控制电压。
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公开(公告)号：CN117254800A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311251871.6
申请日：2023-09-26
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
摘要： 本发明公开了一种鉴频鉴相器，包括：启动控制电路，用于基于外部使能信号的控制调整输入参考信号和待锁定信号的状态，并输出信号CLK_ref和CLK_fb；鉴频鉴相器电路，包括两个基于TSPC的D锁存器D1和D2、两条交叉耦合的复位支路R1和R2以及两个Latch锁存结构L1和L2；其中，锁存器D1、复位支路R1以及Latch锁存结构L1用于对输入的信号CLK_ref进行相位检测，并输出差分信号UP和UPb；锁存器D2、复位支路R2以及Latch锁存结构L2用于对输入的信号CLK_fb进行相位检测，并输出差分信号DN和DNb。该鉴频鉴相器的鉴相范围可以达到±2π，能够满足DLL对鉴相范围的设计要求。
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公开(公告)号：CN117118217A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310980845.0
申请日：2023-08-04
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
摘要： 本发明公开了一种应用于DC/DC转换器的软启动周期时间控制电路，包括：时钟信号产生电路，用于产生第一时钟信号；时钟周期扩展电路，用于对第一时钟信号的周期进行扩展得到第二时钟信号；软启动电路，用于在T内持续输出一固定电压；阶梯电压产生电路，用于根据固定电压在T内生成阶梯电压；在软启动时间内，DC/DC转换器响应于第一PWM信号控制其功率管的导通与关断实现软启动；在软启动时间之后，DC/DC转换器响应于第二PWM信号控制其功率管的导通与关断实现电压变换；第一PWM信号根据反馈电压与阶梯电压的比较结果生成。该软启动周期时间控制电路易于集成、软启动过程有效和稳定，且软启动结束后电压切换过程稳定。
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公开(公告)号：CN116583163A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310527890.0
申请日：2023-05-11
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
摘要： 本发明公开了一种采用柔性互连的半导体制冷器的制备方法，包括：提供第一基板和第二基板；对第一基板和第二基板进行刻蚀，形成第一导电结构和第二导电结构；提供第一N型半导体颗粒和第一P型半导体颗粒，将其装填在石墨工装中，将第一N型半导体颗粒和第一P型半导体颗粒与第一导电结构进行焊接；提供第二N型半导体颗粒和第二P型半导体颗粒，将其装填在石墨工装中，将第二N型半导体颗粒和第二P型半导体颗粒与第二导电结构进行焊接；在第一N型半导体颗粒与第二N型半导体颗粒之间、及在第一P型半导体颗粒与第二P型半导体颗粒之间焊接铜线。本发明能够保证半导体制冷器的制备品质。
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公开(公告)号：CN114035641A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111296272.7
申请日：2021-11-03
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种具有高性能的带隙基准电路，所述电路包括：带隙核心电路、多级运放闭环电路、基极电流补偿电路、Trim电路以及自偏置电流源电路；其中，所述自偏置电流源电路，用于根据启动电流输出偏置电流，以控制所述多级运放闭环电路进入工作状态；所述多级运放闭环电路，用于控制带隙核心电路产生参考电压；所述基极电流补偿电路用于向所述带隙核心电路输出补偿电流；所述基极电流补偿电路和所述Trim电路，用于调整所述参考电压等于目标电压，以得到最终电压。本发明能够在工艺、电压、温度变化等环境中保证电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN117118367A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311055349.0
申请日：2023-08-21
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
摘要： 本发明提供了一种基于图像传感器的可编程增益放大器，通过输入失调存储电路，可以大大降低主运算放大器的失调电压引起的图像列固定模式噪声，通过增益控制电路将可调电容阵列中的电容复用至高、低转换增益电容及反馈电容，从而同时改变高、低转换增益电容的容值及反馈电容的容值，改变图像传感器的动态范围，并且本发明可以避免反馈电容一端悬空导致的寄生电容引起的干扰问题。此外，本发明的可编程增益放大器可以应用于拓展图像传感器动态范围模式和普通模式；在动态范围模式下可以分高增益和低增益两种工作状态输出，因此扩展了图像传感器动态范围，提高了图像成像质量。
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公开(公告)号：CN116599516A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310465881.3
申请日：2023-04-26
申请人： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院
IPC分类号： H03K19/0175 , H03K19/00 , H03K17/687
摘要： 本发明涉及一种基于开关电容技术的低延时电平位移器，包括：控制信号产生器、内部转换电路、锁存器电路和输出电路，其中，控制信号产生器产生控制信号，内部转换电路包括两路输出支路根据控制信号输出两路输出信号，在输入电平状态发生变化的瞬时状态下，一路输出支路的输出信号变为瞬间低电压，另一路输出支路的输出信号保持为高电源电压；锁存器电路用于根据接收的两路输出信号产生一对电平幅度为高电源电压的低延时互补电平信号；输出电路根据低延时互补电平信号产生输出电平。本发明能够迅速地响应输入电平的变换并获得输出转换电平，具有低延时的优点，改善了由于电平转换速度变慢导致功耗增大的问题。
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