一种坩埚放置方法、装置及计算机可读存储介质

    公开(公告)号:CN117904702A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202211268295.1

    申请日:2022-10-17

    IPC分类号: C30B15/10 C30B29/06

    摘要: 本发明实施例提供了一种坩埚位置的调整方法、装置、存储介质。本申请通过响应于调整坩埚位置的调整指令,检测是否满足预设的获取条件;若是,则获取起始液口距、目标液口距、起始位置;对起始液口距进行验证;若验证通过,则基于起始液口距、目标液口距和起始位置确定坩埚的目标位置;将坩埚调整至目标位置。本申请通过放置系统自动获取液口距、放置位置等参数,实现坩埚的自动放置,并在放置过程中,进行安全监测防止意外发生,有效避免人工放置坩埚由于误操作而产生意外事故。

    一种拉晶方法、单晶硅棒和单晶炉

    公开(公告)号:CN117737845A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202211148316.6

    申请日:2022-09-20

    IPC分类号: C30B27/02 C30B29/06

    摘要: 本发明提供了一种拉晶方法、单晶硅棒和单晶炉,涉及晶体生长技术领域。拉晶方法包括:从调温开始时刻之后至收尾结束时刻的时段内,控制各个时刻,通入单晶炉的第一气体,在结晶界面处的第一压强,与调温开始时刻,通入所述单晶炉的第二气体,在所述结晶界面处的第二压强,两者的差值的绝对值,小于或等于第一预设值。本发明中,在调温开始时刻至收尾结束时刻的时段中,不同时刻对应的结晶界面的压强大致相等,则不同时刻对应的结晶温度大致相等,不同时刻对应的结晶速度大致相等,不同时刻对应的晶棒直径大致相等,使得最终拉制得到的单晶晶棒的直径波动小较小。同时,同一种杂质在晶棒各处的浓度分布大致相等,晶棒质量均匀性较好。

    温度控制方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116560420A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202210103157.1

    申请日:2022-01-27

    IPC分类号: G05D23/19

    摘要: 本申请实施例提供了一种温度控制方法、装置、电子设备及存储介质。其中,温度控制方法包括:在单晶硅生长过程中,获取所述单晶硅的平均提拉速度和第一调整量;响应于所述平均提拉速度大于预设的目标提拉速度,按照所述第一调整量减小坩埚转速,以使热场温度升高;响应于所述平均提拉速度小于所述目标提拉速度,按照所述第一调整量增大坩埚转速,以使热场温度降低。本申请实施例中通过调整坩埚转速能够更加快速准确地调整热场温度,实现了热场温度的瞬时控制,大大缩短了热场温度的控制周期,降低了热场温度的波动幅度。

    单晶硅棒拉晶方法、装置、存储介质及电子设备

    公开(公告)号:CN116265623A

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN202111555351.5

    申请日:2021-12-17

    IPC分类号: C30B15/20 C30B15/00 C30B29/06

    摘要: 本公开涉及一种单晶硅棒拉晶方法、装置、存储介质及电子设备,属于单晶硅制备领域,该方法包括:在单晶硅棒拉晶引晶缩颈完成后,若引晶时长达到任意一个或多个计算周期,计算所述单晶硅棒在所述一个或多个计算周期内的平均拉速;根据所述单晶硅棒在所述一个或多个计算周期内的平均拉速,控制埚转转速和/或氩气流量和/或输出功率。通过设置不同时长的计算周期,并在拉晶过程中达到计算周期时,计算单晶硅棒在该计算周期内的平均拉速,根据对应的计算周期以及该周期内的平均拉速,对埚转转速、氩气流量或者输出功率进行差异化调整,以控制炉台内温度一致,使得引晶拉速实现靶向控制,令引晶后期的单晶硅棒拉速一致,保证进入放肩一致性。

    功率设定方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116189814A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202111436021.4

    申请日:2021-11-29

    IPC分类号: G16C60/00 C30B15/22 C30B29/06

    摘要: 本发明实施例提供了一种功率设定方法、装置、设备及介质。该方法包括:获取与引晶功率相关的特征数据;特征数据包括实时数据和设定数据,设定数据包括引晶阶段结束时的目标拉速,将特征数据输入功率推荐模型,功率推荐模型通过与引晶功率相关的特征数据样本以及标记的样本引晶功率训练得到,特征数据样本包括实时数据样本和设定数据样本,实时数据样本包括引晶阶段结束时的样本拉速,根据特征数据,由功率推荐模型生成推荐功率,将引晶功率设定为推荐功率,以控制在引晶阶段结束时的拉速向目标拉速变化,使得自动产生合适的推荐功率,并据此对引晶功率进行设定,使引晶阶段结束时的拉速能向目标拉速变化,从而避免拉晶过程中断线等问题的发生。

    一种等径启动控制方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118516760A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202311587485.4

    申请日:2023-11-24

    IPC分类号: C30B29/06 C30B15/20

    摘要: 本发明实施例提供了一种等径启动控制方法、装置、设备及介质。该方法包括:在直拉单晶过程中,获取放肩阶段的当前直径、拉速变化信息和直径变化信息,根据所述拉速变化信息和直径变化信息,以及等径目标直径,确定对应的等径启动直径;在所述当前直径达到所述等径启动直径的情况下,控制等径阶段启动,使得结合拉速变化和直径变化,抓住了放肩阶段直接过度到等径阶段的正确时机,取消了原来的转肩阶段,实现了晶体的横向生长到纵向生长的平稳过度,减低了断线等异常的概率、等径阶段的头部出现不合格品的概率,避免了等径阶段的头部拉速波动幅度较大的问题,继而提高了成品率和拉晶品质。

    工艺参数修正方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118516752A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310323994.X

    申请日:2023-03-29

    摘要: 本发明实施例提供了一种工艺参数修正方法。该方法包括:根据长度功率关系信息和第一拉速控制功率调整量,调整直拉单晶设备的设定功率,检测晶体生长处的变形程度,当等径长度达到预设长度节点,将第一拉速控制功率调整量作为功率修正量,根据变形程度、变形阈值和预设关系系数,确定拉速修正量,根据多次的功率修正量和拉速修正量,修正长度功率关系信息和长度拉速关系信息,以便根据修正后的长度功率关系信息和第二拉速控制功率调整量,调整设定功率,使得针对各个直拉单晶设备分别修正出最适合的长度功率关系信息和长度拉速关系信息,从而解决目标拉速设置不合理,没有充分发挥各个设备及热场的潜力,造成资源浪费的问题,提高了生产效率。

    放肩控制方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118516748A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310549747.1

    申请日:2023-05-16

    IPC分类号: C30B15/20 C30B29/06

    摘要: 本发明实施例提供了一种放肩控制方法、装置、设备及介质。该方法包括:在直拉单晶设备的当前直拉单晶过程中,获取放肩阶段之前与放肩相关的第一特征数据,确定与所述第一特征数据相匹配的目标特征数据,以及所述目标特征数据对应的历史直拉单晶过程中所采用的历史肩形参数;其中,所述目标特征数据为历史直拉单晶过程中获取的放肩阶段之前与放肩相关的特征数据,根据所述历史肩形参数,控制所述当前直拉单晶过程中的放肩阶段,使得找到与当前引晶环境相匹配的历史引晶环境,充分考虑放肩前环境的差异性,避免肩形参数与引晶环境不符,以合适的肩形进行放肩,提高放肩的成功率,缩短放肩的耗时,继而提高生产效率。

    液口距控制方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118516746A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202310293340.7

    申请日:2023-03-23

    IPC分类号: C30B15/20

    摘要: 本申请实施例提供了一种液口距控制方法、装置、电子设备及存储介质。液口距控制方法包括:在拉晶过程的放肩环节,获取当前测量放肩直径,基于当前测量放肩直径计算第一埚升速度,第一埚升速度表示为了满足在放肩环节缩小液口距的工艺需求所需的埚升速度;计算第二埚升速度,第二埚升速度表示在放肩环节由于晶体重量增加导致熔硅液位下降和液口距增加,为了补偿增加的液口距以保持液口距不变所需的埚升速度;基于第一埚升速度和第二埚升速度计算当前埚升速度,输出当前埚升速度以便控制液口距。不仅能够满足在放肩环节缩小液口距的工艺需求,还能够对由于晶体重量增加导致的液口距增加的情况进行液口距补偿,并且能够提高液口距控制的准确性。

    断线控制方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN117904704A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202211226286.6

    申请日:2022-10-09

    摘要: 本发明实施例提供了一种断线控制方法、装置、设备及介质。该方法包括:在本次直拉单晶过程中获取特征数据,采用断线预测模型根据特征数据,确定本次直拉单晶过程会发生断线,获取断线预测模型中特征权重从高到低排序靠前的重要特征数据以及特征权重和预设工艺参数配置信息,根据预设工艺参数配置信息,确定重要特征数据对应的可调工艺参数以及调整信息,根据特征权重和对应的调整信息,对可调工艺参数进行调整,以控制在本次直拉单晶过程不发生断线,使得本次直拉单晶过程的断线能够准确的提前预测,并据此自动完成对工艺参数的调整,避免了断线判断不准确和工艺参数调整不及时的问题,减低断线问题的发生率,继而提高生产效率。