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公开(公告)号：CN104520996B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201380034878.0
申请日：2013-04-30
Applicant: 维斯普瑞公司
Inventor： 阿瑟·S·莫里斯
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H03J5/0209 , B81B7/008 , B81B2201/01 , B81B2207/053 , B81C1/00238 , B81C2203/0785 , H01L23/5223 , H01L27/0688 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H03J2200/10 , Y10T29/49105 , H01L2924/00
Abstract: 本主题涉及用于布置和控制调谐部件的可编程组合件的系统和方法，其中，在单个阵列中组合多于一种形式的切换技术。具体而言，这种阵列可包括：一个或多个第一可切换部件，包括第一切换技术(例如，一个或多个固态受控器件)；以及一个或多个第二可切换部件，包括与第一切换技术不同的第二切换技术(例如，一个或多个微机电电容器)。然而，一个或多个第一可切换部件以及一个或多个第二可切换部件可被配置为输送组合式可变电抗。
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公开(公告)号：CN102906011B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180025557.5
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。
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公开(公告)号：CN102295263B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201110173720.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 乔治.A.邓巴三世 , 杰弗里.C.马林 , 威廉.J.莫菲 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。
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公开(公告)号：CN104520996A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380034878.0
申请日：2013-04-30
Applicant: 维斯普瑞公司
Inventor： 阿瑟·S·莫里斯
IPC: H01L29/00
CPC classification number: H03J5/0209 , B81B7/008 , B81B2201/01 , B81B2207/053 , B81C1/00238 , B81C2203/0785 , H01L23/5223 , H01L27/0688 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H03J2200/10 , Y10T29/49105 , H01L2924/00
Abstract: 本主题涉及用于布置和控制调谐部件的可编程组合件的系统和方法，其中，在单个阵列中组合多于一种形式的切换技术。具体而言，这种阵列可包括：一个或多个第一可切换部件，包括第一切换技术(例如，一个或多个固态受控器件)；以及一个或多个第二可切换部件，包括与第一切换技术不同的第二切换技术(例如，一个或多个微机电电容器)。然而，一个或多个第一可切换部件以及一个或多个第二可切换部件可被配置为输送组合式可变电抗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102906871A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025549.0
申请日：2011-06-08
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。
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公开(公告)号：CN102906011A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201180025557.5
申请日：2011-06-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）腔体的方法包括在下布线层之上形成第一牺牲腔体层。该方法还包括形成一层。该方法还包括在第一牺牲层之上形成第二牺牲腔体层并且该第二牺牲腔体层与该层接触。该方法还包括在第二牺牲腔体层上形成顶盖。该方法还包括在顶盖中形成至少一个排放孔，暴露第二牺牲腔体层的一部分。该方法还包括在排放或剥离第一牺牲腔体层之前，排放或剥离第二牺牲腔体层，使第二牺牲腔体层的顶表面不再接触顶盖的底表面，从而分别形成第一腔体和第二腔体。
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公开(公告)号：CN102295264A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110174027.9
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 迪恩.当 , 泰.多恩 , 杰弗里.C.马林 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。
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公开(公告)号：CN102295263A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110173720.4
申请日：2011-06-24
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 乔治.A.邓巴三世 , 杰弗里.C.马林 , 威廉.J.莫菲 , 安东尼.K.斯塔姆珀
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0021 , B81B2201/01 , B81B2201/014 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/0015 , B81C1/00365 , B81C1/00476 , B81C1/00619 , B81C1/00626 , B81C1/00666 , B81C2201/0109 , B81C2201/013 , B81C2201/0167 , B81C2201/017 , B81C2203/0136 , B81C2203/0172 , G06F17/5068 , G06F17/5072 , H01H1/0036 , H01H57/00 , H01H59/0009 , H01H2057/006 , H01L41/1136 , H01L2924/0002 , Y10S438/937 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49002 , Y10T29/49105 , Y10T29/49121 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49155 , Y10T29/5313 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括形成下牺牲材料，用于形成下腔体。该方法还包括形成将下腔体连接到上腔体的腔体通孔。该腔体通孔形成有圆形或倒角边缘的俯视外形。该方法还包括在腔体通孔内及其上方形成上牺牲材料，其具有基于该腔体通孔的外形的生成表面。该上腔体形成有顶盖，该顶盖具有不妨碍MEMS梁的结构，包括：在上牺牲材料的生成表面上沉积顶盖材料；以及排出该上牺牲材料以形成上腔体，从而该顶盖材料形成与该上牺牲材料的生成表面保形的顶盖。
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公开(公告)号：CN100487837C
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN03824521.3
申请日：2003-09-18
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 阿尼尔·K·钦萨金迪 , 罗伯特·A·格罗夫斯 , 肯尼思·J·斯坦 , 塞沙德里·萨班纳 , 理查德·P·沃兰特
CPC classification number: H01G5/18 , B81B2201/01 , H01G5/011 , Y10S257/924
Abstract: 描述了三维微机电(MEM)可变电抗器，其中在彼此耦合的分离衬底上分别制造可移动梁(50)和固定电极(51)。在“芯片侧”上制造具有梳状驱动电极的可移动梁而在分离的衬底的“载体侧”上制造固定底部电极。在衬底两个表面上制造该器件时，芯片侧器件被切割并“翻转”、对准且连接至“载体”衬底以形成最终器件。梳状驱动(鳍)电极用于激励而电极的运动提供电容的变化。由于引入恒定驱动力，可获得大的电容调谐范围。器件的三维方面有利于大的表面积。当提供大纵横比特征时可使用低激励电压。制造时，完全封装MEM器件，无需附加的器件封装。另外，由于在晶片级完成对准和键合(晶片级MEMS封装)，可以低成本获得改善的器件产率。
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