公开(公告)号：CN104025373B

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201380004526.0

申请日：2013-06-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： H-H.苏 ,  R.马哈米德 ,  M.A.阿布德尔莫诺伊姆 ,  D-H.韩

IPC: H01P1/10 ,  B81B7/00

CPC classification number: H01H59/0009 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/094 ,  Y10T29/42

Abstract: 方法和系统可以提供包括静电致动和压电致动的混合RF MEMS组件设计。在一个示例中，所述方法可以包括施加第一电压以生成第一压电力来减小悬臂与致动电极之间的第一间隙，以及施加第二电压以生成静电力来在悬臂与传输电极之间产生接触。

公开(公告)号：CN102906871B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180025549.0

申请日：2011-06-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： G.A.邓巴 ,  何忠祥 ,  J.C.马林 ,  W.J.墨菲 ,  A.K.斯坦珀

IPC: H01L23/48 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成至少一个微机电系统（MEMS）的方法包括：在衬底上形成下布线层。该方法还包括：自下布线层形成多个分离布线（14）。该方法还包括：在多个分离布线之上形成电极梁（38）。电极梁和多个分离布线的形成的至少之一形成有最小化后续硅沉积（50）中的小丘和三相点的布局。

公开(公告)号：CN102295265B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110174587.4

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 安东尼.K.斯坦珀 ,  约翰.G.通布利

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括图案化布线层以形成至少一个固定板，以及在该布线层上形成牺牲材料。该方法还包括在至少一个固定板上和下方衬底的暴露部分上形成一个或多个膜的绝缘层以防止形成该布线层和牺牲材料之间的反应产物。该方法还包括在至少一个固定板上形成可移动的至少一个MEMS梁。该方法还包括排出或剥去该牺牲材料以形成至少第一腔体。

公开(公告)号：CN102295264B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201110174027.9

申请日：2011-06-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 迪恩.当 ,  泰.多恩 ,  杰弗里.C.马林 ,  安东尼.K.斯塔姆珀

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C99/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种平面腔体微机电系统及相关结构、制造和设计结构的方法。一种形成至少一个微机电系统(MEMS)的方法包括在衬底上形成多个分离导线。该方法还包括在该分离导线上形成牺牲腔体层。该方法还包括在该牺牲腔体层的上表面形成沟槽。该方法还包括用电介质材料填充沟槽。该方法还包括在该牺牲腔体层和该电介质材料上沉积金属以形成具有从其底表面延伸的至少一个电介质缓冲器的梁。

公开(公告)号：CN103732528A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038717.4

申请日：2012-08-03

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 布莱恩·I·特洛伊 ,  迈克·雷诺 ,  托马斯·L·麦圭尔 ,  约瑟夫·达米安·戈登·拉西 ,  詹姆斯·F·波比亚

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0108 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0089

Abstract: 本发明通常涉及一种来自附着力促进剂材料的硅残留物从空腔底部减少或甚至消除的MEMS装置。附着力促进剂典型地用于将牺牲材料粘附到衬底上的材料。然后，将附着力促进剂与牺牲材料层一起移除。然而，在移除时附着力促进剂在空腔内留下基于硅的残留物。本发明人发现可以在沉积牺牲材料之前将附着力促进剂从空腔区域移除。残留在衬底的剩余部分上的附着力促进剂足以将牺牲材料粘附到衬底，而不用担心牺牲层脱层。因为在装置的空腔区域中不使用附着力促进剂，所以在解放MEMS装置的开关元件之后在空腔内不会存在硅残留物。

公开(公告)号：CN102906008A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180025545.2

申请日：2011-06-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.斯坦珀 ,  C.V.扬斯

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/014 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00365 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00619 ,  B81C1/00626 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0167 ,  B81C2201/017 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0172 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5072 ,  H01H1/0036 ,  H01H57/00 ,  H01H59/0009 ,  H01H2057/006 ,  H01L41/1136 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/937 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/435 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49105 ,  Y10T29/49121 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。

公开(公告)号：CN102741958A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180006168.8

申请日：2011-01-14

Applicant: 维斯普瑞公司

Inventor： 达纳·德瑞斯

IPC: H01G5/16 ,  B81B3/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B3/007 ,  B81B2201/014 ,  H02N1/006

Abstract: 本发明主题涉及MEMS可调电容器及操作这种电容器的方法。该可调电容器的特征在于衬底上的初级固定致动器电极、衬底上的次级固定致动器电极、衬底上的固定RF信号电容器极板电极、布置在衬底上方的装有弹簧的悬臂、将装有弹簧的悬臂的第一端连接至衬底的梁锚、将装有弹簧的悬臂的第二端连接至衬底的一个或多个弹性弹簧或其他偏置元件，第二端位于远离第一端的位置。弹簧悬臂可以在OFF状态和ON状态之间移动，其中OFF状态是由固定致动器电极和可移动致动器电极的为零的电势差定义的，而ON状态是由固定致动器电极和可移动致动器电极之间的非零电势差定义的。

公开(公告)号：CN101519200A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910003608.9

申请日：2009-01-14

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所

Inventor： 畠贤治 ,  早水裕平 ,  山田健郎

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/014 ,  Y10T428/24802

Abstract: 本发明提供一种仅由具有所期望的机械特性/电特性以及各向异性的碳纳米管(CNT)整体形成的任意立体形状的结构体及其制造方法。该CNT结构体(1)由包含从在基板表面上以直线状形成的金属催化剂膜沿一定方向化学气相生长的多个CNT的CNT聚集体(2)构成，其中，所述CNT的重量密度为0.1g/cm3以上，并且具有与基板(3)抵接的第一部分(2A)、从所述基部分离的第二部分(2B)、以及连结所述第一部分与所述第二部分的弯曲形状的第三部分(2C)，所述第一部分、所述第二部分以及所述第三部分中至少一部分CNT的取向轴是连续的。

公开(公告)号：CN106865484A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710065876.8

申请日：2017-02-06

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

Inventor： 杨照坤 ,  刘莎 ,  冯翔 ,  张强 ,  胡伟频 ,  杨瑞智

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/014 ,  B81C1/0015

Abstract: 本发明提供一种阵列基板，包括：基底、绝缘层、微电子机械系统开关和像素电极；所述微电子机械系统开关包括：栅极、源极和漏极；所述栅极设置在所述基底的第一表面上；所述绝缘层设置在所述基底的第一表面上，并覆盖所述栅极；所述源极、所述漏极和所述像素电极均设置在所述绝缘层的第一表面上；所述漏极和所述像素电极连接；其中，在所述栅极未加载电压的状态下，所述源极和所述漏极之间具有间隙；在所述栅极加载电压的状态下，所述源极和所述漏极接触。本发明还提供一种阵列基板的制作方法和显示装置。本发明的阵列基板在栅极未加载电压的状态下，源极和漏极之间具有间隙，不会产生漏电流。

公开(公告)号：CN103890932B

公开(公告)日：2017-03-29

申请号：CN201180074343.7

申请日：2011-11-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 岛内岳明

IPC: H01L23/02 ,  B23K1/00 ,  B81B3/00 ,  B81C3/00 ,  H03H9/02

CPC classification number: H01L23/04 ,  B23K1/0016 ,  B23K2101/42 ,  B81B7/0041 ,  B81B2201/014 ,  B81C1/00873 ,  H01L21/50 ,  H01L23/10 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/1461 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/1057 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种电子部件，其具有：衬底；元件，其形成在上述衬底上；侧壁构件，其在上述衬底上包围上述元件；盖构件，其配设在上述侧壁构件上，与上述侧壁构件一起在上述衬底上划分出包围上述元件的空间；密封构件，其设置在上述侧壁构件的外侧，将上述侧壁构件及盖构件与上述衬底的表面接合，并密封上述空间。