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公开(公告)号：CN103620747B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201280029023.4
申请日：2012-05-31
申请人： 福吉米株式会社
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/321 , C09K3/14 , C09G1/02
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 本发明的研磨用组合物包含磨料粒和具有亲水性基团的水溶性聚合物。使用本发明的研磨用组合物研磨后的疏水性含硅部分的水接触角，低于使用通过从本发明的研磨用组合物排除水溶性聚合物而获得的另一组合物研磨后的疏水性含硅部分的水接触角，且优选57°以下。水溶性聚合物的实例包含多糖类和醇化合物。本发明的另一研磨用组合物包含水溶性聚合物和各具有硅烷醇基团的磨料粒。当将该研磨用组合物在25℃下静置一天时，所述水溶性聚合物以基于1μm2磨料粒的表面积为5,000个以上的分子而被吸附。水溶性聚合物的实例包含具有聚氧化烯链的非离子性化合物(如聚乙二醇)。
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公开(公告)号：CN106967385A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610997442.7
申请日：2016-11-11
申请人： 方树辉
发明人： 方树辉
CPC分类号： C09G1/02 , B24C11/00 , C09G1/00 , C09G1/04 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C09K3/1472 , H01L21/02013 , H01L21/02024 , H01L21/30625 , H01L21/3212 , C09K13/00
摘要： 本发明公开一碳化硅蚀刻剂，其通式MXO2，M为碱金属或铵，X为卤素，O为氧。当碳化硅蚀刻剂与磨料颗粒混合成水溶液浆料状型态，MXO2蚀刻剂作为摩擦化学反应剂，用以加速在化学机械研磨过程中碳化硅材料的移除速率。该移除速率相比于其他不含此亚卤酸盐蚀刻剂的浆料有时可高出几个数量级。MXO2式中的典型金属为K及Na，X包括Cl、Br及I。全系列的MXO2化合物属于金属亚卤酸盐或亚卤酸铵盐。亚氯酸钠(NaClO2)为亚卤酸盐中最简单也最易取得，故为典型例子。增加的研磨速率可大幅增加CMP的碳化硅基材研磨操作的生产率。此外，因研磨配方中不含有毒重金属离子，故废水处理厂可容易处理CMP工艺所产生的研磨废水。
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公开(公告)号：CN104428386B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201380036245.3
申请日：2013-07-12
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , C09K3/1436
摘要： 本发明提供适用于抛光含有锗‑锑‑碲(GST)合金的基板的化学机械抛光(CMP)组合物。本发明的CMP组合物为包含粒状研磨剂、水溶性表面活性剂、络合剂、及腐蚀抑制剂的含水浆料。基于该粒状研磨剂的ζ电位选择表面活性材料的离子特性(例如，阳离子型、阴离子型、或非离子型)。还公开了使用该组合物抛光含有GST合金的基板的CMP方法。
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公开(公告)号：CN104250816B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410295621.7
申请日：2014-06-26
申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B1/00 , C09G1/00 , C09G1/02 , C09G1/04 , C09G1/06 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C09K13/06 , H01L21/30625 , H01L21/76898
摘要： 本发明提供了用于抛光铜衬底的新型化学机械抛光(CMP)浆料组合物和使用所述CMP组合物的方法。在抛光IC芯片的纳米结构的本体铜层时，所述CMP浆料组合物以高且可调的移除速率和低的缺陷提供优异的平坦化。所述CMP浆料组合物还提供相对于其它材料(例如，Ti、TiN、Ta、TaN和Si)而言更高的抛光铜选择性，适合用于要求高的铜膜移除速率的硅通孔(TSV)CMP工艺。
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公开(公告)号：CN106752968A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611025581.X
申请日：2016-11-18
申请人： 福建三邦硅材料有限公司
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1463
摘要： 本发明属于硬质材料抛光技术领域，具体涉及一种蓝宝石抛光用大粒径低粘度硅溶胶的制备方法，包括以下步骤：(1)制备氢氧化钠溶液；(2)制备活化硅粉；(3)制备二苯并呋喃溶液；(4)在水中，加入丙三醇，然后，缓慢加入所述活化硅粉和所述二苯并呋喃溶液，同时滴加所述氢氧化钠溶液；(5)加料完成后，继续反应，自然冷却后减压抽滤，即得大粒径低粘度硅溶胶。本发明所得硅溶胶粒径大，能显著增大其对蓝宝石的研磨作用，提高抛光效率，并且粘度低、不易团聚，降低蓝宝石表面损伤和粗糙度，保证其表面质量。
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公开(公告)号：CN106701019A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611245285.0
申请日：2016-12-29
申请人： 东莞市淦宏信息科技有限公司
发明人： 简顺年
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463
摘要： 本发明公开了一种改进的陶瓷片研磨液，按研磨液总重量百分比，陶瓷片研磨液由10～20％研磨剂、5～10％悬浮剂、3～5％切削剂、1～3％加速剂和余量水组成，其pH值为8～9。本发明的研磨液分散均匀，研磨剂悬浮稳定，在研磨加工过程中，循环使用时研磨剂不易沉积在机器底部，且研磨液液膜能较好的粘附在研磨盘上，阻止晶片与研磨盘直接接触而造成的划伤，提高研磨加工效率，研磨加工的良品率较高，不易因为转速过大而甩出，同时研磨液去除速率高，循环使用寿命长。
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公开(公告)号：CN106661430A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580046079.4
申请日：2015-06-25
申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , C09K13/00 , H01L21/30625 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/3212
摘要： 化学机械抛光组合物，其包含具有结合到其中的化学化合物的胶态氧化硅研磨剂颗粒。所述化学化合物可包括：含氮的化合物，例如氨基硅烷；或者，含磷的化合物。用于采用这样的组合物的方法包括将所述组合物施加至半导体基板以移除至少一部分层。
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公开(公告)号：CN106634833A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611164527.3
申请日：2016-12-16
申请人： 安徽宝恒新材料科技有限公司
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463
摘要： 本发明公开了一种不锈钢镜面板用研磨液，涉及一种研磨液，具体由下列物质制成：去离子水、氮化硼、氧化铝、氧化铈、氧化锆、碳化硅、防锈剂、消泡剂、甘油、改性处理液。本发明制得的研磨液加工处理时造成的次品率较低，加工效率较高，有很好的使用价值。
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公开(公告)号：CN106574147A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580041935.7
申请日：2015-07-31
申请人： 3M创新有限公司
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , B24B37/245 , B24B37/26 , C01F7/02 , C09G1/04 , C09K3/1409 , C09K3/1463
摘要： 本发明公开了一种抛光液，该抛光液包含流体组分和多个调理颗粒。流体组分包括水、碱性pH调节剂和聚合物增稠剂。聚合物增稠剂以基于抛光液的总重量计大于0.01重量％存在于流体组分中。
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公开(公告)号：CN106566412A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201610853254.7
申请日：2016-09-26
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/04 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08K2003/2237 , C08K2003/2241 , C08K2003/2244 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/76819 , H01L21/7684 , H01L21/304
摘要： 化学机械抛光(CMP)组合物、方法和系统是用于抛光图案化半导体晶片。包含磨料和水溶性铝化合物添加剂且pH>7的CMP组合物抑制CMP停止层(含硅层，如氮化硅、氧化硅或碳化硅)去除速率。CMP组合物任选地含有表面活性剂以帮助润湿表面；提供对金属管线、通道或沟槽的腐蚀抑制的腐蚀抑制剂；和用于调节CMP抛光组合物的pH的pH调节剂。
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