公开(公告)号：CN118531374A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311685414.8

申请日：2023-12-08

申请人： 中天科技精密材料有限公司 ,  江苏中天科技股份有限公司 ,  复旦大学

发明人： 陈京京 ,  张烨锋 ,  沈一春 ,  区琼荣 ,  沈海平 ,  陈娅丽 ,  周建峰 ,  吴椿烽 ,  何亮 ,  郑垒垒

IPC分类号： C23C16/453 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455

摘要： 本申请涉及光纤制造技术领域，旨在解决一些已知的喷灯存在沉积效率低的问题，提供喷灯及等离子沉积设备。其中，喷灯包括第一管件、第二管件、第三管件、辅助进气管。第一管件限定进料通道，第一管件具有沿其长度方向相对设置的进料端和出料端。第二管件套接于第一管件的外侧，第二管件与第一管件围成辅助通道。第三管件套接于第二管件的外侧，第三管件与第二管件围成第一冷却通道。辅助进气管连接于第二管件，辅助进气管与第二管件的径向间距在靠近出料端的方向上逐渐减小。本申请的有益效果是提高喷灯的沉积效率。

公开(公告)号：CN118441266A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202310124796.0

申请日：2023-02-03

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 闫志顺 ,  刘彤 ,  赵佳彬 ,  赵福平 ,  郑建宇 ,  李补忠

IPC分类号： C23C16/46 ,  H01L31/18 ,  C23C16/50

摘要： 本发明提供了一种散热装置，涉及光伏电池工艺设备技术领域，为解决热气在机箱内部停留的时间过长的问题而设计。该散热装置用于冷却机箱内的存储位区域，散热装置包括吸风骨架和抽风元件，吸风骨架设置于机箱的内部，吸风骨架具有骨架腔体以及均与骨架腔体连通的吸风口和引风口，吸风口朝向存储位；抽风元件安装于机箱，抽风元件用于提供气流自引风口排出的动力。本发明能够缩短热气在机箱内部的停留时间。

公开(公告)号：CN118412395A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202310019046.7

申请日：2023-01-06

申请人： 浙江理工大学

发明人： 王顺利 ,  赵天丽 ,  吴超 ,  胡海争 ,  郭道友

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  C23C16/30 ,  C23C16/50 ,  B05D7/14 ,  C23C14/35 ,  C23C14/20 ,  C23C28/00

摘要： 本发明涉及一种紫外光电探测器系统，具体是指一种基于GaON/CuPc自供电的紫外光电探测器及其制备方法。本发明先通过旋涂法在等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)温度850℃，生长时间60min的GaON薄膜上制备一层CuPc薄膜，其中，GaON薄膜上用磁控溅射镀上Au/Ti电极，在CuPc薄膜上镀上Au电极，制备一个基于GaON/CuPc自供电的紫外光电探测器。本发明的优点是：所制备的紫外光电探测器性能稳定，对紫外波段的光谱具有响应，耐高温，即使在高温或长期DUV辐照，设备可以保持高光电流，性能优异。

公开(公告)号：CN118374789A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410472655.2

申请日：2024-04-19

申请人： 南京大学

发明人： 高力波 ,  郑航 ,  袁国文

IPC分类号： C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种快速等厚生长高介电性能六方氮化硼薄膜的方法及薄膜，包括：1）选取衬底；2）将衬底置于等离子体辅助化学气相沉积装置中进行加热退火；3）调控等离子体辅助化学气相沉积装置的反应室压强，并向反应室内通入载气以及含氮元素或含硼元素的气体；4）调控反应室压强，对反应室进行升温；5）开启等离子体辅助化学气相沉积装置的等离子发生器使反应发生；6）待反应结束后，自然降温至室温，得到高介电性能六方氮化硼薄膜。本发明不仅能够快速获得大面积的h‑BN薄膜、能消除因化学气相沉积法获得的h‑BN普遍存在的褶皱以及可有效提升h‑BN的介电性能。

公开(公告)号：CN116313978B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202310294342.8

申请日：2023-03-23

申请人： 嘉兴市耐思威精密机械有限公司

发明人： 孔剑雷 ,  吕群锋 ,  施鲁鸣 ,  胡丹辉

IPC分类号： H01L21/683 ,  B29C70/34 ,  B29C70/22 ,  B29C70/54 ,  C23C16/458 ,  C23C16/50

摘要： 本申请涉及太阳能硅片加工设备技术领域，尤其是一种轻质化的硅片批量吸取装置。一种轻质化的硅片批量吸取装置，包括紧固基座和若干连接于紧固基座的硅片吸盘片，所述硅片吸盘片包括吸盘底座和可拆卸连接于吸盘底座的硅片吸盘单元件，所述吸盘底座为铝制或者铝合金材质；所述硅片吸盘单元件为碳纤维材质；所述紧固基座可拆卸连接有若干固定杆件；所述固定杆件连接有总气管；单个所述硅片吸盘片均与总气管相连通。本申请整体的质量相对较轻盈，降低与硅片批量吸取装置连接的机器人负重，提升整体操作精度，有利于降低能耗，提升硅片电池的质量。

公开(公告)号：CN118360510A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410522875.1

申请日：2024-04-28

申请人： 金川镍钴研究设计院有限责任公司 ,  金川集团股份有限公司

发明人： 马玉天 ,  程少逸 ,  王江 ,  张东 ,  马磊 ,  邓洪民 ,  周华 ,  陈韩锋 ,  卢苏君 ,  周文政 ,  陈旭军 ,  杜辰宇

IPC分类号： C22C1/03 ,  C22C19/07 ,  C23C16/50 ,  C23C16/34

摘要： 本发明公开一种医用钴基合金氮元素控制方法。本发明在合金熔化过程中，加入氮化铬中间合金，在合金中引入氮元素，通过控制氮化铬的含量来确保合金中氮元素的精确控制，表面活性剂的引入有助于提高氮元素在合金中的分散度，等离子体增强化学气相沉积则能够形成更均匀、致密的氮化层，有助于提高合金的表面硬度、耐磨性和腐蚀抗性，更好地控制氮元素的分布，能够更精细地控制合金的微观结构，提高合金的强度、韧性和疲劳寿命。

公开(公告)号：CN117089825B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202310638330.2

申请日：2023-06-01

申请人： 无锡松煜科技有限公司

发明人： 陈庆敏 ,  李丙科 ,  张海洋

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/455

摘要： 本发明涉及材料镀覆技术领域，尤其涉及一种流体分布均匀的镀覆腔室及镀覆方法，具体的，镀覆腔室内的进气口位于靠近炉口的输入区域中，抽气口位于靠近炉尾的输出区域中，所述输入区域和所述输出区域之间形成有扩散区域；输入的气体在所述输入区域内混合、逐步通过所述扩散区域后扩散至所述输出区域中。本发明将进气的区域和抽气的区域分别设置于炉口处和炉尾处，尽量拉开进气和出气位置之间的间距，给气体均匀扩散以最大的时间和空间，使其分布的均匀性有所提升，进而提升各个基材镀膜厚度的均匀性，减小色差。

公开(公告)号：CN118326362A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202410435955.3

申请日：2024-04-11

申请人： 北京化工大学 ,  中国人民解放军陆军装甲兵学院

发明人： 王瑞雪 ,  薛爽 ,  闫辉 ,  谭俊 ,  陈茜 ,  贺建芸

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/06 ,  C23C16/50

摘要： 本发明公开一种大气压温和条件下小口径管件内表面铬基薄膜均匀沉积装置及方法，该装置由高压电源、等离子体多孔羽流装置、中空管件、气瓶、供气管路、流量计、固体加热坩埚、管式加热炉、步进电机构成；沉积方法包括：打开气瓶与流量计，将气体供入到工作气体管路中，打开高压射频电源激励产生高密度均匀的等离子体多孔羽流，设定步进电机带动中空管件螺旋运动，实现等离子体多孔羽流对管件内表面均匀刻蚀清洗；将铬基前驱体装入固体加热坩埚中，打开管式加热炉升温到设定温度；打开流量计，将气体供入到载流气体管路中，铬基前驱体与等离子体中高能电子和活性自由基发生反应裂解与重组，结合管件螺旋运动，实现其内表面铬基涂层的均匀沉积。

公开(公告)号：CN118309794A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410015847.0

申请日：2024-01-04

申请人： 哈钦森公司

发明人： A·泽达

IPC分类号： F16J15/00 ,  C23C14/20 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C16/50 ,  C23C16/26 ,  H01R41/00 ,  F16J15/328 ,  F16J15/3284

摘要： 本发明涉及配置为在其中至少一个是移动的第一构件和第二构件之间建立移动和导电接触的动态密封元件，配置为传递电流的密封系统，以及该动态密封元件的制造方法。所述动态密封元件(1)包括：‑密封体(1a)，其包括导电聚合物复合材料，导电聚合物复合材料至少其旨在面向至少一个移动构件的外表面上；‑中间层(3)，其包括钛的第一亚层(31)和第二亚层(32)；和‑直接接触第二亚层(32)的涂层(2)，其中涂层(2)基于的钛掺杂的类金刚石碳，所述钛掺杂的类金刚石碳具有5％和50％之间的固定的钛原子浓度，并且其中第二亚层(32)是钛掺杂的类金刚石碳的梯度层，其具有跨第二亚层(32)的厚度降低的变化的钛原子浓度。

公开(公告)号：CN118307981A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410204067.0

申请日：2024-02-23

申请人： 深圳奥拦科技有限责任公司

发明人： 苏雄达 ,  云洋 ,  苏建华 ,  吕勇

IPC分类号： C09D5/08 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C09D1/00 ,  C09D127/12 ,  C09D133/16

摘要： 本申请公开一种阻水抗腐蚀复合涂层及其制备方法。该阻水抗腐蚀复合涂层形成于基体的表面，包括有机膜、无机膜和纳米碳氟聚合物膜；纳米碳氟聚合物膜相对于基体设置于远离基体的最外端，有机膜设置于基体与纳米碳氟聚合物膜之间，无机膜设置于基体与纳米碳氟聚合物膜之间；其中，有机膜与无机膜堆叠设置于基体与纳米碳氟聚合物膜之间。本申请技术方案通过结合纳米碳氟聚合物膜、有机膜和无机膜，实现了对基体的全面保护，该复合涂层具有优异的耐腐蚀性能、高强度和良好的电气性能，能够有效地延长基体的使用寿命。