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公开(公告)号：CN113430646A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110711199.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种利用单籽晶桥式结构诱导生长REBCO超导块材的方法，包括以下步骤：配制RE123和RE211纯相粉末，按照RE123+30mol％RE211+1wt％CeO2的组分配料，充分碾磨混合均匀，得到前驱粉料；根据模具直径不同，将所述粉料称取合适质量，放入模具，压制成圆柱形状的籽晶桥1个、缓冲层2～3个和前驱体1个；将籽晶、籽晶桥、缓冲层、前驱体从上至下依次放置；所述籽晶、所述籽晶桥、所述缓冲层构成单籽晶桥式结构；其中，所述籽晶放置在所述籽晶桥的上表面中心，所述籽晶桥搭设在所述缓冲层上方，所述缓冲层沿所述籽晶[110]晶向排列成一列；将所述放置好的前驱体连同和所述单籽晶桥式结构置于生长炉中进行顶部籽晶熔融织构生长，以实现(110)∥(110)取向诱导生长REBCO超导块材。
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公开(公告)号：CN111676509B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202010424390.0
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种镍基单晶高温合金中不同类型稳定晶界的制备方法。该方法通过切割特定取向及夹角的籽晶对，在Bridgman定向凝固系统中制备镍基单晶高温合金，可有效控制制备的镍基单晶高温合金中含有对称(或非对称)倾侧或扭转晶界，且晶界角度可控制在0～90°之间的任意角度。本发明一方面解决了使用传统工艺针对不同类型晶界制备、提取以及检测难的问题，工艺简单可靠，成本低，适用性强。同时，通过使用本发明在镍基单晶高温合金引入特定类型与角度的晶界，以便于开展晶界结构、晶界能量以及晶界对单晶合金力学性能影响等相关研究。该方法在研究含小角晶界镍基单晶高温合金变形损伤机理及镍基单晶高温合金晶界容限方面具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN112899778A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110082024.6
申请日：2021-01-21
Applicant: 烁光特晶科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种深紫外高透过石英晶体制造方法。涉及人工晶体技术领域。本发明包括以下步骤：挑选无条纹石英晶体籽晶腐蚀后，水平悬挂固定在晶体生长架上，籽晶上表面贴膜遮挡；制备高纯石英块状原料；高压釜内用节流隔板分成上下两个区域加入矿化剂密封；升温；初期结晶界面控制并重复；恒温；降温取出。本发明工艺制造的深紫外高透过石英晶体SiO2纯度达99.999％以上，内透过率T≥95％/cm@193nm，193nm光学损耗降低了2/3以上，光学均匀性≤5ppm@633nm，双折射率差均匀性≤0.2％，满足深紫外光学仪器应用需求。
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公开(公告)号：CN112647133A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011486859.X
申请日：2020-12-16
Applicant: 武汉高芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种碲锌镉晶体生长方法，包括如下步骤：S1，选用由上至下依次分布有材料补充区域、引晶区域以及生长区域的第一安瓿，并将碲锌镉多晶料装入至所述安瓿的材料补充区域中；S2，将装好了所述碲锌镉多晶料后的安瓿封装在第二安瓿中；S3，封装好后进行凝固工艺，使所述碲锌镉多晶料填满所述引晶区域以及所述生长区域；S4，接着将所述第一安瓿从所述第二安瓿中取出，并将所述第一安瓿放入到第三安瓿中进行封装，所述第三安瓿中设有金属镉。还提供一种碲锌镉晶体生长装置。本发明的生长方法采用垂直梯度法自上而下完成碲锌镉晶体生长，在生长过程中能够有效控制碲锌镉固液界面处镉分压，从而减少微沉淀相产生。
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公开(公告)号：CN112536421A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011245770.4
申请日：2020-11-10
Applicant: 中国科学院金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高薄壁单晶高温合金铸件性能稳定性的方法，属于单晶高温合金制备技术领域。该方法首先制备单晶合金籽晶，在单晶铸件的型壳装入定向凝固炉之前，在型壳中加入籽晶，通过控制单晶薄壁铸件的二次枝晶取向来提高铸件性能稳定性。本发明采用简单可行的方法，在基本保持原单晶铸件制造工艺的前提下，提高了单晶薄壁件的性能稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111876821A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010758499.8
申请日：2020-07-31
Applicant: 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司
Abstract: 本发明涉及一种铸造单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。铸造单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：在容器的底部铺设回收单晶籽晶，形成单晶籽晶层；回收单晶籽晶自远离容器底部向靠近容器底部的方向为第一方向，第一方向与回收单晶籽晶的原晶体生长方向相同；在单晶籽晶层上装硅料，加热使硅料完全熔化、单晶籽晶层部分熔化，长晶之后得到铸造单晶硅锭。上述铸造单晶硅锭的制备方法，在长晶过程中改变了回收单晶籽晶中缺陷的生长方向，利用回收单晶籽晶中已有缺陷引导后续缺陷向与之前相反的方向扩展，实现了使用回收单晶籽晶生长的铸锭单晶硅锭的缺陷不再继续沿原方向扩展增殖，反而逐渐收窄甚至消失，提高了铸造单晶硅锭的良率。
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公开(公告)号：CN109321975B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811378218.5
申请日：2018-11-19
Applicant: 永平县泰达废渣开发利用有限公司
Abstract: 本发明公开了单晶硅定向凝固引晶模块，包括第一坩埚和第二坩埚，所述第二坩埚套设在第一坩埚内，第二坩埚内底部设有籽晶；所述第二坩埚的外径小于第一坩埚的内径，在第一坩埚和第二坩埚之间的环形腔室内设有石墨保温织套，所述石墨保温织套呈轴向两端敞口的筒状结构，石墨保温织套的轴向一端通过连接件固定在环形腔室的顶端、轴向另一端在重力作用下自然垂挂在环形腔室底部。本发明可有效防止液态硅原料在第一坩埚侧壁上成核结晶，利于获得高质量的单晶硅产品。
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公开(公告)号：CN110373717A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910630634.8
申请日：2019-07-12
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种利用组分分层控制，生长REBCO(RE＝Sm,Nd，La)高温超导块材的方法，包括如下工序：a)制备富钡组分的RE123SS、RE211SS相以及普通组分的RE123、RE211粉末；b)制备分层组分的前驱体；c)将籽晶放置在前驱体的上表面；d)将前驱体和籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长。本发明采用顶部籽晶熔融织构法，制备高性能REBCO高温超导块材，在块体的上层采用常规组分，下层部分采用富钡组分，顶部籽晶首先快速将上层普通组分ab面长满，然后上层已长满的部分充当一个大籽晶可将下层富钡组分粉体的ab面长满，获得大c畴的LREBCO块材，提高磁悬浮力、冻结磁场等性能。
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公开(公告)号：CN110257913A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910608953.9
申请日：2019-07-08
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供一种用于顶端种子溶液法生长晶体的设备，能够促进大尺寸晶体生长，其特征在于，包括：坩埚，截面为阶梯状，包括：设置在底面中部半径为L1且高为H1的下凹区域，和从下凹区域的上边缘向四周延伸一定距离L2后再向上延伸高度H2的主体区域；加热装置，对坩埚进行加热，包含；覆盖在下凹区域的整个底面底侧和所有侧面外侧上的第一加热层T1，和覆盖在主体区域的整个底面底侧和所有侧面外侧上的第二加热层T2；以及保温装置，其中，设籽晶半径为R，液态原料高度为H，则H＝1.4～1.8R，L1＝0.2～0.6R，H1＝0.18～0.23H，L2≥1.5R-L1，T1-T2＝40～60℃。
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公开(公告)号：CN108754598A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810598330.3
申请日：2018-06-12
Applicant: 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司
Abstract: 一种生产铸造单晶时新型籽晶的铺设方法，包括以下步骤：直拉单晶棒去除边皮，截断后得到小长方体形状的籽晶；将籽晶的四个边进行倒角或将籽晶加工成台阶形；将籽晶侧面紧密贴合，铺满整个坩埚底部。硅料熔化阶段，硅液流入籽晶拼接缝，因为籽晶拼接缝底部留有空隙，给硅液凝固体积膨胀预留了足够的空间，所以不会给籽晶造成很大应力，减少了位错的产生，提升了铸造单晶的质量。
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