公开(公告)号：CN112634971B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202011581255.3

申请日：2020-12-28

申请人： 合肥大唐存储科技有限公司

发明人： 吴莉莉

IPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/34 ,  G11C16/12

摘要： 本申请提供一种确定NAND闪存读取电压的方法及装置，所述方法包括：确定样本未完全编程块包含的解码失败的页，其中，所述样本未完全编程块为NAND闪存中含有未被编程的页的块；根据获取到的所述NAND闪存对应的多个电压组，确定使用每个电压组重读所述解码失败的页时成功解回的页的页数；其中，每个电压组合包括多个读取电压；根据每个电压组对应的成功解回的页的页数，选择至少一个电压组作为用于读取未完全编程块的读取电压组。上述技术方案可以确定用于读取未完全编程块的读取电压组，通过该读取电压组重读未完全编程块的解码失败的页可以提高重读的效率，从而可以提高NAND闪存的读取效率。

公开(公告)号：CN113302700B

公开(公告)日：2024-10-08

申请号：CN201980073123.9

申请日：2019-09-06

申请人： 艾瑞迪亚公司

发明人： P·F·普雷德基 ,  J·S·福斯特

IPC分类号： G11C16/26 ,  G11C16/34

摘要： 一种新颖的存储和读取数字数据的系统和方法，包括提供具有至少一个存储器单元的纳米孔聚合物存储装置，该存储器单元包括至少两个添加室，每个添加室被布置成当聚合物进入相应的添加室时向聚合物(或DNA)串添加唯一的化学结构(或代码)，该数据包括代码的序列；依次操纵聚合物通过纳米孔进入添加室，以将代码添加到聚合物，从而在聚合物上产生数字数据图案；以及使用伺服控制器准确控制聚合物的比特率。该装置可具有加载室，以通过至少一个微孔将聚合物加载到解块室中或从解块室中移除聚合物。该单元可以是存储系统的一部分，该存储系统存储和检索“原始”数据并允许远程检索和转换。

公开(公告)号：CN118695608A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410196036.5

申请日：2024-02-22

申请人： 铠侠股份有限公司

发明人： 柳平康辅 ,  细村嘉一 ,  尾崎正一

IPC分类号： H10B43/35 ,  H10B43/40 ,  G06F13/16 ,  G11C16/34 ,  G11C16/10 ,  G11C16/08

摘要： 本发明提供一种能抑制噪声传播的半导体存储器。一个实施方式的半导体存储器(30)含有包含衬底(201)的第1芯片(200)、及在第1面与第1芯片贴合的第2芯片(100)。第2芯片具有包含存储单元阵列及第1屏蔽线(SHL)的第1区域、与包含第2屏蔽线(SHL)且与第1区域不同的第2区域。第1屏蔽线设置在第1面与存储单元阵列之间。第2屏蔽线设置在与第1屏蔽线相同的层(M1)，不与第1屏蔽线电连接。

公开(公告)号：CN118692542A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410790322.4

申请日：2021-03-24

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 宋航 ,  宋大植 ,  杨林

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C29/12

摘要： 在某些方面中，一种用于多模式校准的电路可以包括电阻器输入。该电路还可以包括连接至电阻器输入并且连接至第一多个电压源的第一比较器。该电路还可以额外包括第一上拉驱动器。该电路还可以包括逻辑上拉代码生成器以校准第一上拉驱动器。该电路可以额外包括第一上拉驱动器的副本。该电路还可以包括第一下拉驱动器以及连接至该副本、第一下拉驱动器和第二多个电压源的第二比较器。第二比较器可以将第一下拉驱动器和第二上拉驱动器之间的中点的电压与第二多个电压源中的一个电压源进行比较。该电路还可以包括逻辑下拉代码生成器。

公开(公告)号：CN118689808A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202411178290.9

申请日：2024-08-27

申请人： 江苏帝奥微电子股份有限公司

发明人： 方芳 ,  刘羽 ,  庄华龙

IPC分类号： G06F13/16 ,  G06F13/40 ,  G11C16/12 ,  G11C16/34

摘要： 本发明公开了一种斜率可调的LIN控制电路及控制方法，包含斜率控制电路、上拉电路和负载，斜率控制电路的输出端连接上拉电路的输出端和负载的输入端，斜率控制电路包含存储介质、斜坡产生模块、延时模块、高压运放、NMOS管N1、NMOS管N2和二极管D1。本发明在硬件层面上实现了LIN总线信号的斜率控制，达到减弱EMI、提升信号质量和系统稳定性的目的；通过使用可编程的斜率控制来适应不同工况下的斜率需求，应用灵活性更高。

公开(公告)号：CN118675593A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202411170830.9

申请日：2024-08-26

申请人： 合肥康芯威存储技术有限公司

发明人： 陈文涛 ,  许建强 ,  苏忠益

IPC分类号： G11C16/34 ,  G11C16/26

摘要： 本发明提供一种存储颗粒读取电压的校正系统及校正方法，存储颗粒读取电压的校正系统包括：电源模块，用以向存储颗粒供电；控制器，与存储颗粒电性连接，控制器将存储单元的某一阈值电压进行若干偏移区间的调整后，得到该阈值电压对应的偏移电压，将存储单元的其他阈值电压保持为初始电压；向存储颗粒写入主机数据后，在存储单元为某一偏移电压及其他的初始电压下，读取存储颗粒上的原始数据，比较主机数据与原始数据，并统计某一偏移电压对应的错误位数量；统计每一偏移电压对应的错误位数量，并将错误位数量小于阈值数量对应的每一偏移电压，生成为存储单元的读取电压。本发明可提高存储单元读取电压的准确性，提高对存储颗粒的纠错性能。

公开(公告)号：CN118675588A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202310993057.5

申请日：2023-08-08

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 黄盛炫 ,  辛弦燮 ,  郑载烨

IPC分类号： G11C16/12 ,  G11C16/34 ,  G11C5/14

摘要： 本申请涉及半导体装置及半导体装置的操作方法。一种半导体装置可以包括：多个传输电路，其被配置为基于传输控制信号向多条字线中的至少一条传输编程脉冲；解码器，其被配置为基于行地址向多个传输电路中的至少一个提供编程脉冲；以及控制电路，其被配置为基于编程/擦除计数来调整传输控制信号的电压电平。

公开(公告)号：CN118645142A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410678254.2

申请日：2020-07-14

申请人： 美光科技公司

发明人： 陈宁 ,  J·朱 ,  朱方芳 ,  Y·邰

IPC分类号： G11C16/34

摘要： 本申请案是针对用于存储器系统的维护操作。描述用于以下操作的方法、系统和装置：对存储器单元执行存取操作；基于对所述存储器单元执行所述存取操作而使第一计数器的值递增；确定所述第一计数器的所述经递增值满足阈值；基于确定所述第一计数器的所述经递增值满足所述阈值而使第二计数器的值递增；和基于确定所述第一计数器的所述经递增值满足所述阈值而对所述存储器单元执行维护操作。

公开(公告)号：CN118645138A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202311396126.0

申请日：2023-10-25

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 郭东勋

IPC分类号： G11C16/12 ,  G11C16/14 ,  G11C16/34

摘要： 本公开涉及存储器装置和存储装置。根据本公开的实施方式，存储器装置可以包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括在垂直于基板的方向上层叠的存储器单元，存储器单元中的每一个包括第一子存储器单元以及具有比第一子存储器单元的尺寸大的尺寸的第二子存储器单元；子存储器单元信息存储部，该子存储器单元信息存储部被配置成存储与第一子存储器单元和第二子存储器单元的尺寸有关的子存储器单元尺寸信息；外围电路，该外围电路被配置成对存储器单元当中的选定子存储器单元执行编程操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置成控制外围电路以基于子存储器单元尺寸信息来将数据存储在第一子存储器单元和第二子存储器单元中的每一者中。

公开(公告)号：CN118629470A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410263339.4

申请日：2024-03-07

申请人： 美光科技公司

发明人： H·卡斯特罗

IPC分类号： G11C16/12 ,  G11C16/24 ,  G11C16/34 ,  G06F7/523

摘要： 与使用具有两个存储器胞元的集合执行带符号乘法的存储器装置相关的系统、方法和设备。在一种方法中，将被组织为存储器胞元阵列中的存储器胞元对的集合编程为使得每一集合存储带符号权重。在第一和第二时间将电压施加到所述存储器胞元的集合。所述电压表示要乘以所述带符号权重的带符号输入。在用于每一集合的相应公共线中，在所述第一和第二时间处累加来自每一集合中的所述存储器胞元的输出电流。基于在所述第一和第二时间累加的所述输出电流的数字化总和提供每一集合的带符号结果。