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公开(公告)号：CN103361620A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310295365.7
申请日：2013-07-15
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了LED芯片ITO蒸镀机可视窗口，包括蒸镀机本体（1），蒸镀机本体（1）内设置有旋转架（2），旋转架（2）上设置有镀锅（3），镀锅（3）通过弹簧夹设置有LED芯片，旋转架（2）通过转轴（4）与驱动电机（5）连接，驱动电机（5）输出轴（51）通过联轴器（6）与转轴（4）连接，旋转架（2）通过转盘（7）与导轨（8）连接，蒸镀机本体（1）上还设置有可视窗口（9），其特征在于：所述可视窗口（9）包括安装座（91）、红外光学晶体（92），红外光学晶体（92）通过安装座（91）与蒸镀机本体（1）连接，红外光学晶体（92）内侧通过安装支架（93）设置有一个以上的反光镜（94），本发明有效解决现有ITO蒸镀机可视窗口，可视范围窄，无法全面了解蒸镀机内部的情况。
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公开(公告)号：CN103361618A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310295316.3
申请日：2013-07-15
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了LED芯片ITO蒸镀机防爆可视窗口，包括蒸镀机本体，蒸镀机本体内设置有旋转架，旋转架上设置有镀锅，镀锅通过弹簧夹设置有LED芯片，旋转架通过转轴与驱动电机连接，驱动电机输出轴通过联轴器与转轴连接，旋转架通过转盘与导轨连接，蒸镀机本体上还设置有可视窗口，所述可视窗口包括安装座、红外光学晶体、防爆板，红外光学晶体、防爆板通过安装座与蒸镀机本体连接，防爆板位于红外光学晶体内侧，红外光学晶体内侧通过安装支架设置有一个以上的反光镜，该技术方案有效解决现有ITO蒸镀机可视窗口，可视范围窄，无法全面了解蒸镀机内部的情况，而且解决了红外光学晶体易被金属颗粒密集撞击炸裂问题。
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公开(公告)号：CN103361609A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310295338.X
申请日：2013-07-15
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了LED芯片ITO蒸镀机转盘装置，包括蒸镀机本体（1），蒸镀机本体（1）内设置有旋转架（2），旋转架（2）上设置有镀锅（3），镀锅（3）通过弹簧夹设置有LED芯片，旋转架（2）通过转轴（4）与驱动电机（5）连接，驱动电机（5）输出轴（51）通过联轴器（6）与转轴（4）连接，旋转架（2）通过转盘（7）与导轨（8）连接，其特征在于：所述转盘（7）通过轴承（9）与旋转架（2）连接，轴承（9）由陶瓷材料制成，本发明有效解决现有ITO蒸镀机的转盘与旋转架之间的轴承为金属轴承，由于机体在工作过程中会产生大量的金属粉尘，同时温度较高，金属轴承易卡死，导致设备故障问题。
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公开(公告)号：CN103346222A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310246149.3
申请日：2013-06-20
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/06
摘要： 本发明公开了一种设置N-SLS层的GaN基发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述MQW发光层（5）与N型GaN层（3）之间设置有N—SLS层（4），N—SLS层（4）、MQW发光层（5）构成发光区（7），本发明有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
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公开(公告)号：CN115911199B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211419087.7
申请日：2022-11-14
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种发光二极管外延结构及发光二极管。发光二极管外延结构，包括：衬底，以及顺次设置于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；有源层包括交替层叠设置的量子阱层和量子垒层，至少一个所述量子垒层为复合结构层；复合结构层包括一个或多个复合结构子层；复合结构子层包括层叠设置的未掺杂的氮化镓层、掺杂硼的氮化镓层和P型掺杂的氮化铝镓层。本发明的有源层中的量子垒层使用GaN/B‑GaN/P‑AlGaN超晶格方式，可以抑制电子溢流，并减小量子垒层与电子阻挡层之间的晶格失配度；同时，可以有效提升空穴的注入质量，进一步改善电子空穴的辐射复合效率，提升LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN115986023B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211503468.3
申请日：2022-11-29
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及发光二极管制造领域，公开了一种发光二极管的外延片，包括衬底，以及依次位于其上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层，在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部还设有AlxInyGa（1‑x‑y）N层，1≥x＞0，1＞y≥0。本发明在第一和第二多量子阱层之间，和/或第二和第三多量子阱层之间，和/或第二多量子阱层内部插入数层禁带宽度较大的ALN层增加电子减速效果，降低部分电子扩散到P型发生非辐射复合，同时增加V型凹坑侧壁发光比例，从而提高整体发光辐射效率。
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公开(公告)号：CN115986014B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202211440073.3
申请日：2022-11-17
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明涉及半导体发光二极管技术领域，公开了一种设有连接层的外延片及包含该外延片的发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、连接层、低温P型GaN层、电子阻挡层及高温P型GaN层，其中，连接层包括位于多量子阱层上的第一连接层，以及第一连接层上的第二连接层，第一连接层为未掺杂GaN层，第二连接层为AlN/GaN超晶格结构。本发明的连接层由GaN与AlN/GaN超晶格结构组成，可以在提升连接层的生长质量的同时提高连接层的势垒高度，改善了电子溢流，进而提升多量子阱层的发光效率。
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公开(公告)号：CN115966642B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211715903.9
申请日：2022-12-29
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本申请提供了一种高压发光二极管芯片，包括衬底，以及设置在衬底表面的至少两个发光单元，每个发光单元均包括N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；N电极层与其中一发光单元的N型半导体层电性连接；P电极层与其中另一发光单元的P型半导体层电性连接；连接电极包括电性连接P型半导体层的P侧连接部、电性连接N型半导体层的N侧连接部、以及连接P侧连接部和N侧连接部的中间连接部；其中，至少一连接电极呈连续的弯曲型结构。本申请通过设置连续的弯曲型结构的连接电极，使得N电极层和P电极层能够达到首尾相连，进而使得高压发光二极管芯片中的电流单向传导，从而减少电流损失，提高高压发光二极管芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115000269B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210641669.3
申请日：2022-06-07
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种发光二极管及发光二极管封装件，其中，该发光二极管包括：衬底，以及设置在衬底上的发光结构层，发光结构层顺次包括N型层、有源层和P型层；N型层包括未被P型层和所述有源层覆盖的暴露区域，暴露区包括若干个分散的N台阶；反射电极，包括分散设置于所述P型层的上表面的复数个子反射电极；第一绝缘层，覆盖所述发光结构层并包括露出所述N台阶的第一开口和露出所述子反射电极的第二开口；第一互连电极，通过所述第一开口与所述N型层电性连接；第二互连电极，通过所述第二开口与所述反射电极电性连接，所述第一互连电极与所述第二互连电极绝缘设置；所述子反射电极的数量大于所述N台阶的数量。可以提高LED的出光效率。
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公开(公告)号：CN116014050B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202211737373.8
申请日：2022-12-30
申请人： 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
IPC分类号： H01L33/46
摘要： 本申请提供了一种发光元件，衬底具有第一表面和第二表面；外延层位于衬底的第一表面上并依次包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，反射结构包括设置在衬底的第二表面上，和/或P型半导体层上的反射膜组；反射膜组至少包括第一绝缘反射层和第二绝缘反射层，第一绝缘反射层对第一波长范围的光比对第二波长范围的光具有更高的反射率，第二绝缘反射层对第二波长范围的光比对第一波长范围的光具有更高的反射率，第二波长范围中的波长大于第一波长范围中的波长；第二绝缘反射层的总厚度大于第一绝缘反射层的总厚度，反射结构对波长范围在400nm～900nm的光的反射率大于等于85％。本申请能够减少膜层的吸收损耗，达到提高外量子效率的效果。
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