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公开(公告)号：CN107004579B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201580064038.8
申请日：2015-11-06
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/20 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种外延晶片，其特征在于，具有：硅系基板；第一缓冲层，配置于硅系基板上，具有第一多层结构缓冲区域与第一插入层，前述第一多层结构缓冲区域由AlxGa1‑xN层与AlyGa1‑yN层交互配置而成，前述第一插入层由比AlyGa1‑yN层更厚的AlzGa1‑zN层构成，x>y、x>z，前述第一缓冲层由第一多层结构缓冲区域与第一插入层交互配置而成；第二缓冲层，配置于第一缓冲层上，具有第二多层结构缓冲区域与第二插入层，前述第二多层结构缓冲区域由AlαGa1‑αN层与AlβGa1‑βN层交互配置而成，前述第二插入层由比AlβGa1‑βN层更厚的AlγGa1‑γN层构成，α>β、α>γ，前述第二缓冲层由第二多层结构缓冲区域与第二插入层交互配置而成；以及，通道层，配置于第二缓冲层上，比第二插入层更厚，并且，第二缓冲层的平均铝组成比第一缓冲层的平均铝组成更高。由此，提供一种外延晶片，能够降低晶片的翘曲并抑制发生内部龟裂。
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公开(公告)号：CN106165072B
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201580018718.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明是一种半导体基板，其具有：基板；所述基板上的缓冲层；高电阻层，其由所述缓冲层上的氮化物系半导体所构成且包含过渡金属和碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体所构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层具有减少层，所述减少层邻接于所述通道层，并且所述过渡金属浓度是自所述缓冲层侧朝向所述通道层侧减少；并且，碳浓度朝向所述通道层减少的减少率，比所述过渡金属浓度朝向所述通道层减少的减少率更大。由此，提供一种半导体基板，其能够一面降低通道层内的碳浓度和过渡金属浓度，一面谋求高电阻层的通道层侧区域的高电阻化。
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公开(公告)号：CN106206752B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201510323730.X
申请日：2015-06-12
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 森川直树
IPC: H01L29/868 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够软化高速二极管的开关波形。该半导体装置具有电流在纵向上流动的PiN型的二极管结构，在施加反向偏压时所形成的耗尽层区域的外侧的漂移层的区域内，改变浓度地配置有多个载流子蓄积层(N+层)。从器件中央侧朝向端部侧配置积蓄层，积蓄层的浓度从器件中心侧至端部侧阶段性地升高。可利用多个载流子蓄积层来控制耗尽层的扩展方向，从而能够软化开关波形。
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公开(公告)号：CN110707064A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201810818358.3
申请日：2018-07-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该半导体器件包括：单极性部件，该单极性部件至少包括第一外延层和第一基板；以及旁路部件，该旁路部件至少包括第二外延层和第二基板，且该单极性部件和该旁路部件并联；其中，该单极性部件的厚度与该旁路部件的厚度之差小于或等于预定值。
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公开(公告)号：CN106026659B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510958186.6
申请日：2015-12-18
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M3/28
Abstract: 本发明提供开关电源装置，能够实现与输入电压对应的最佳开关频率下的工作。开关电源装置具有：作为误差放大器发挥作用的分路调节器(Z1)，其比较输出电压(Vo)与基准电压，将其误差电压作为表示负载状态的(FB)信号发送到一次侧；频率生成电路(13)，其根据(FB)信号生成开关频率；作为截止时机确定电路发挥作用的S/OCP检测电路(15)，其通过比较(FB)信号与流过开关元件(Q1)的电流，来确定使开关元件(Q1)截止的时机；以及作为频率校正电路发挥作用的开关电流波形校正电路(16)，其根据开关元件(Q1)的导通占空比，对频率生成电路(13)生成的开关频率进行校正。
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公开(公告)号：CN106468757B
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201510518300.3
申请日：2015-08-21
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明提供半导体模块的测试方法以及半导体模块，该测试方法能够通过简单的方法来判定基于噪声的半导体模块的误动作耐受程度，该半导体模块能够更可靠地防止噪声所造成的误动作。特征在于，具有：第1步骤，将构成第1半桥的第1高侧开关与第1低侧开关之间的连接点、和构成第2半桥的第2高侧开关与第2低侧开关之间的连接点连接于检测部；第2步骤，在所述第1步骤之后，使所述第1高侧开关成为导通状态；第3步骤，在所述第2步骤之后，使所述第1高侧开关成为截止状态；以及第4步骤，在所述第3步骤之后，根据从所述检测部输出的信号，检测半导体模块有无误动作。
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公开(公告)号：CN107346945B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610298154.2
申请日：2016-05-06
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 忠政由道
Abstract: 本发明提供开关电源装置和半导体装置。开关电源装置具有：变压器，其具有一次绕组、二次绕组以及辅助绕组；开关元件，其与所述一次绕组串联连接；输出电路，其根据随着所述开关元件的开关动作而从所述一次绕组传送到所述二次绕组的电力，生成电源输出；反馈信号生成电路，其根据在电流流过所述二次绕组的二次侧导通期间内所述辅助绕组感应产生的辅助绕组电压，在该二次侧导通期间内生成反馈信号；以及控制电路，其根据所述反馈信号驱动所述开关元件，其中，所述控制电路具有：电压检测电路，其判定在电流流过所述二次绕组的二次侧导通期间内所述辅助绕组电压是否超过阈值；以及停止电路，其根据所述电压检测电路的信号，使开关动作停止。
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公开(公告)号：CN110071033A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810151850.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/302 , H01L23/12
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体晶片以及形成半导体的方法。该半导体晶片包括：第一半导体元件，该第一半导体元件具有第一器件；第二半导体元件，该第二半导体元件具有第二器件；绝缘层，该绝缘层侧向延伸到该第一半导体元件和该第二半导体元件；以及研磨层，该研磨层配置在该半导体晶片的背面上或临近于该半导体晶片的背面。因此，在制薄过程中(例如背面研磨)将研磨层暴露时，可以减少或避免碎屑或裂纹。
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公开(公告)号：CN107786106B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610718028.8
申请日：2016-08-24
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 忠政由道
Abstract: 本发明提供一种降压斩波型开关电源装置，其具有：降压斩波电路，其包括与直流电源连接的开关元件以及与该开关元件连接的电感器；再生电压检测电路；控制电路，其对所述开关元件进行控制以使再生电压成为基准电压；辅助电源电路，其利用所述再生电压对电容器进行充电，并将所述电容器的电压作为电源电压提供给所述控制电路；接通时间产生电路，其在开关元件的接通时间超过预定时间时产生接通信号；以及电压切换部，其对基准电压值进行切换，所述降压斩波型开关电源装置具有如下功能：当随着直流电源的下降而使开关元件的接通时间超过预定时间时，所述电压切换部将所述基准电压切换为较低的基准电压值。
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